FA Viola 博士、B. Brigante、P. Colpani、G. Dell'Erba 博士、Dario Natali 教授、M. Caironi 博士,意大利理工学院纳米科学与技术中心@PoliMi,地址:via Pascoli 70/3,邮编 20133 米兰,意大利。电子邮件:mario.caironi@iit.it Dr. V. Mattoli 微型生物机器人中心,意大利理工学院,viale Rinaldo Piaggio 34, 50125 Pontedera (PI), 意大利 Prof. D. Natali 米兰理工大学电子、信息和生物工程系,via Ponzio 34/5, 20133 米兰,意大利 关键词:印刷电子、RFID、二极管、整流器、有机半导体
信息 xcelitas Technologies 的大面积 PIN 光电二极管类型 C30619GH、C30641GH、C30642GH、C30665GH 和 C30723GH 是高响应、低电容 InGaAs 探测器。它们专为测量应用而设计,如光功率计、光纤测试设备、近红外光谱和仪器。它们的平面钝化结构具有低电容以扩展带宽和高分流电阻以实现最大灵敏度。典型设备对大于 +13dBm (20 mW) 的光功率具有 1% 以上的非线性,并且在整个探测器有效面积上具有 2% 以内的均匀性。我们的大面积 InGaAs 设备在 850 nm 处的典型响应度为 0.2 A/W,允许在设计为在 850 nm、1300 nm 和 1550 nm 下工作的光纤测试仪器中使用单个探测器。提供可选的超低电容设备(-LC 选项)。它们电容只有标准类型电容的一半,因此 3 dB 带宽是其两倍。这些器件的有效面积从 0.5 mm 到 5.0 mm,采用密封 TO 封装。Excelitas 认识到不同的应用具有不同的性能要求,因此提供了这些光电二极管的各种定制以满足您的设计挑战。响应度和噪声筛选、定制器件测试、TEC 冷却器件和结合带通滤波器是许多可用的特定于应用的解决方案中的一部分。测试方法 Excelitas 会验证每台器件的电光规格。制造过程中的目视检查按照我们的质量标准进行,并剔除不合格器件。Excelitas Technologies 经过 ISO-9001 认证,光电二极管设计符合 MIL-STD-883 和/或 MIL-STD-750 规格。包装和运输所有大面积 InGaAs PIN 二极管都装在 ESD 安全塑料托盘中运输。
X. Ma, H. Bin, BT van Gorkom, TPA van der Pol, MJ Dyson, CHL Weijtens, SCJ Meskers, RAJ Janssen, GH Gelinck 埃因霍温理工大学 PO Box 513, Eindhoven 5600 MB, 荷兰 电子邮件: rajjanssen@tue.n l M. Fattori 电气工程系 埃因霍温理工大学 PO Box 513, Eindhoven 5600 MB, 荷兰 AJJM van Breemen, D. Tordera, GH Gelinck TNO/Holst Center High Tech Campus 31 Eindhoven 5656 AE, 荷兰 瓦伦西亚 C/ Chair of J. Beltran 2, Paterna 46980, 西班牙 RAJ Janssen 荷兰基础能源研究所 De Zaale 20, Eindhoven 5612 AJ, 荷兰
X. Ma, H. Bin, BT van Gorkom, TPA van der Pol, MJ Dyson, CHL Weijtens, SCJ Meskers, RAJ Janssen, GH Gelinck 埃因霍温理工大学 PO Box 513, Eindhoven 5600 MB, 荷兰 电子邮件: rajjanssen@tue.n l M. Fattori 电气工程系 埃因霍温理工大学 PO Box 513, Eindhoven 5600 MB, 荷兰 AJJM van Breemen, D. Tordera, GH Gelinck TNO/Holst Center High Tech Campus 31 Eindhoven 5656 AE, 荷兰 瓦伦西亚 C/ Chair of J. Beltran 2, Paterna 46980, 西班牙 RAJ Janssen 荷兰基础能源研究所 De Zaale 20, Eindhoven 5612 AJ, 荷兰
,例如厚度依赖性带隙,对硅,光电子和能量应用以外的超缩放数字电子设备具有吸引力。[1] TMD的悬挂式无键结构提供了具有散装半导体的高质量范德华异质结构的独特可能性,用于实施高级异质结构设备,利用界面处利用当前的运输。[2-5]尤其是,单层或几层MOS 2与宽带gap半导管的整合,例如III III氮化物(GAN,ALN和ALGAN ALLOYS)和4H-SIC,目前是越来越多的兴趣的对象(例如,对于高反应性双音群的现象,都可以提高兴趣的对象紫外线),[6-11]和电子设备(例如,用于实现异缝二极管,包括带对带隧道二极管的二极管)。[12–17]
诸如厚度相关的带隙,这对于硅以外的超大规模数字电子学、光电子学和能源应用具有吸引力。 [1] TMD 的无悬挂键结构为实现高质量范德华异质结构与块体半导体提供了独特的可能性,从而实现利用界面电流传输的先进异质结器件。 [2–5] 特别是,单层或几层 MoS 2 与宽带隙半导体(如 III 族氮化物(GaN、AlN 和 AlGaN 合金)和 4H-SiC)的集成,目前在光电子学(例如,用于实现覆盖可见光和紫外光谱范围的高响应度双波段光电探测器)[6–11] 和电子学(例如,用于实现异质结二极管,包括带间隧道二极管)中越来越受到关注。 [12–17]
设计师通常不必要地支付比仅仅用于适应他们所选择的申请中迫在眉睫的电阻稳定性偏移所需的更严格的公差付费。在这些应用程序中选择像CSM这样的高稳定性组件,消除了由于“计划不稳定”而导致的偏移津贴的需求,并且允许使用基于其他技术的电流感应电阻所需的较松开始的初始公差。
简介:下一代无线网络将依靠更小的蜂窝和更大的带宽来增加容量。通过保持无线电头硬件简单,光纤无线电技术可以实现这种密集的基站网络。利用硅光子技术实现基站硬件的小型化,可以降低尺寸和成本。对于微波光子应用,氮化硅 (SiN) 平台提供损耗极低的波导和一些最好的集成滤波器。然而,随着转向更高的载波频率,在毫米波和太赫兹频段,对光电二极管带宽的要求也会增加。当前的 SiN 平台缺少这种光电二极管,因此阻碍了高频微波光子应用。[1] 我们展示了一种 300 GHz 的通信链路,该链路由 SiN 上的异构集成单行载波 (UTC) 光电二极管作为发射器中的光电换能器实现。
谐振隧穿是一种量子力学效应,其中电子传输由量子孔(QW)结构内的离散能级控制。一种铁电谐振隧道二极管(RTD)利用QW屏障的开关电动极化状态来调节设备电阻。在这里,据报道,在All-Perovskite-氧化物BATIO 3 /SRRRUO 3 /BATIO 3 QW结构中发现了鲁棒的室温铁电调节谐振隧穿和负差分抗性(NDR)行为。通过BATIO 3铁电的可切换极性可调节谐振电流振幅和电压,其NDR比调制了≈3个数量级和一个OFF/ON电阻率超过2×10 4的OFF/ON电阻比。观察到的NDR效应被解释了由电子 - 电子相关性驱动的Ru-T 2g和Ru-E G轨道之间的能量带隙,如下性功能理论计算所示。这项研究为未来氧化物电子产品中的基于铁电的量子驾驶装置铺平了道路。
摘要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ZHOOV ZLWK QP $O*D1 EDUULHUV $V VKRZQ LQ )LJXUH D EHORZ WKH ZDIHU ZDV ILUVW FRDWHG LQ SKRWRUHVLVW DQG SDWWHUQHG IRU GHSRVLWLRQ RI WKQHJF DDFWK %WDWK VHG RQ RXU SUHYLRXV UHVXOWV D QP 1L OD\HU ZDV ILUVW GHSRVLWHG IROORZHG E\ D QP $X OD\HU DQG FDSSHG ZLWK D QP 1L OD\HU HDFK GHSRVLWHGQ*D1 ZHOOV ZLWK QP $O*D1 EDUULHUV $V VKRZQ LQ )LJXUH D EHORZ WKH ZDIHU ZDV ILUVW FRDWHG LQ SKRWRUHVLVW DQG SDWWHUQHG IRU GHSRVLWLRQ RI WKQHJF DDFWK %WDWK VHG RQ RXU SUHYLRXV UHVXOWV D QP 1L OD\HU ZDV ILUVW GHSRVLWHG IROORZHG E\ D QP $X OD\HU DQG FDSSHG ZLWK D QP 1L OD\HU HDFK GHSRVLWHG