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二维范德华异质结构中的电气可调巨型Nernst效果
图S4。 扫描跨INSE通道的NERNST效果的光电流图：（a）设备示意图显示了跨INSE通道的GR/5L-INSE异质结构和电气检测的照明。 在此示意图之后，任何测得的电流都被迫流过半导体。 （b）与扫描光电流图同时测量的感兴趣区域的激光反射图。 这种测量使我们能够将激光的位置与观察到的信号相关联。 被选中的位置分别标记为石墨烯和INSE/石墨烯异质结构的位置1和2分别为位置（c）Nernst效应信号记录了不同的磁场和50µW的激光照明和50µW的激光照明和V_G = 0 V的位置1和2，位于1和2的位置，在1和2中亮着，在1和2的位置上，在Chemaine ElectereDere和Hersossctuction上闪闪发光。 裸露的石墨烯信号以蓝色显示，通过一个数量级放大，以更好地突出两条曲线之间的斜率差异。 进行测量是没有任何应用偏差的，因为它会掩盖Nern的效果，从而诱导图片中的其他光电流机制。 （d）扫描光电流图显示了在完整设备上的完整设备的测得的光电流，以-1T的施加了平面外电场。 （e）和（f）分别为0T和1T显示的类似扫描光电流图。图S4。扫描跨INSE通道的NERNST效果的光电流图：（a）设备示意图显示了跨INSE通道的GR/5L-INSE异质结构和电气检测的照明。在此示意图之后，任何测得的电流都被迫流过半导体。（b）与扫描光电流图同时测量的感兴趣区域的激光反射图。这种测量使我们能够将激光的位置与观察到的信号相关联。被选中的位置分别标记为石墨烯和INSE/石墨烯异质结构的位置1和2分别为位置（c）Nernst效应信号记录了不同的磁场和50µW的激光照明和50µW的激光照明和V_G = 0 V的位置1和2，位于1和2的位置，在1和2中亮着，在1和2的位置上，在Chemaine ElectereDere和Hersossctuction上闪闪发光。裸露的石墨烯信号以蓝色显示，通过一个数量级放大，以更好地突出两条曲线之间的斜率差异。进行测量是没有任何应用偏差的，因为它会掩盖Nern的效果，从而诱导图片中的其他光电流机制。（d）扫描光电流图显示了在完整设备上的完整设备的测得的光电流，以-1T的施加了平面外电场。（e）和（f）分别为0T和1T显示的类似扫描光电流图。
创建二维硅碳化物
通过将碳和硅添加到碳化物表面上，我的论文揭示了一种创建二维碳化硅碳化物的新方法，这种材料可能导致更有效的电子设备。如大多数人所知道的那样，今天的电子产品严重依赖硅。为了改善我们的设备，这些硅电子设备已变得越来越小，但现在已经达到了极限。想象一下，如果不使用庞大的三维结构，我们可以使用堆叠在一起的超薄原子。这些床单被称为二维（2D）材料，自2010年获得诺贝尔奖获奖石墨烯以来就引发了一波研究。石墨烯是一层碳原子，向我们展示了2D材料可以彻底改变技术，但它有局限性。例如，石墨烯没有带隙，这对于控制计算机等设备中的电流至关重要，我们需要清除开/关状态（例如管理汽车流量的交通信号灯）。此频段间隙对于创建二进制二进制（电流）和零（无电流）是计算机逻辑的基础至关重要。带有带隙的材料称为半导体，具有直接带隙的材料对于LED，激光器和太阳能电池等设备特别有用。直接带隙就像是一条井井有条的道路，在交通信号灯处停止后，允许汽车平稳，高效地加速，而间接的频段隙就像是一条扭曲的道路，使汽车需要更长的时间才能达到全速。建立在这一发现的基础上，我的目标是直接在TAC水晶上创建2D SIC。在我的研究中，我专注于创建一种新的2D材料：碳化硅（SIC），将硅原子和碳原子组合成单层。科学家认为，2D SIC可能是一个改变游戏规则的人，因为它具有直接的乐队差距，但使其非常具有挑战性。最近，一个突破表明，在顶部加热用薄薄的碳化物（TAC）加热碳化硅晶体可以帮助形成2D SIC。通过将碳和硅添加到加热的TAC表面，我成功形成了2D SIC。这种方法使我可以更好地控制编队过程，并更深入地了解2D SIC的成长方式。另外，通过调整碳的量，我可以在2D SIC的顶部创建石墨烯层。石墨烯的稳定性提高了将其用作2D SIC上的保护层的令人兴奋的可能性。未来的研究可以探索这种可能性。最重要的是，我的作品展示了一种创建2D SIC的新方法，使其更接近被用于下一代电子和光学设备。这可能会导致更快，更高效的技术，继续我们用硅取得的进步，但将其提升到一个新的水平。
二维调制的狄拉克系统中的圆形Terahertz棘轮
我们报告了在特殊设计的二维超材料中观察到由Terahertz Laser辐射激发的圆形棘轮效应，该二维超材料由沉积在带有三角形动物阵列的几层石墨烯栅极上的石墨烯单层组成。我们表明，具有空间不对称的定期驱动的迪拉克费米恩系统将A.C.转换为A.C.动力变成华盛顿电流，当辐射螺旋被切换时，其方向会逆转。室温和2.54 THz的辐射频率证明了圆形棘轮效应。表明，棘轮电流幅度可以通过图案和均匀的后门电压来控制。根据棘轮电流形成的电子和等离子机理的开发微观理论，对结果进行了分析。
揭示了Terahertz二维相干光谱的光耦合的新颖方面：超导体中振幅模式的情况
最近开发了Terahertz（THZ）二维相干光谱（2DC）是一种强大的技术，可以以与其他光谱镜的方式获取材料信息。在这里，我们利用THZ 2DC研究了常规超导体NBN的THZ非线性响应。使用宽带THZ脉冲作为光源，我们观察到了一个三阶非线性信号，其光谱成分的峰值达到了超导间隙能量2δ的两倍。具有窄带Thz脉冲，在驱动频率ω处鉴定出THZ非线性信号，并在ω¼2δ时在温度下表现出谐振剂的增强。一般的理论考虑表明，这种共振只能由光激活的顺磁耦合引起。这证明了非线性THZ响应可以访问与磁磁性拉曼样密度波动不同的过程，据信这在金属的光学频率下占主导地位。我们的数值模拟表明，即使对于少量疾病，ω¼2δ共振也是由整个研究疾病范围内的超导振幅模式主导的。这与其他共振相反，其振幅模式的贡献取决于疾病。我们的发现证明了THZ 2DC探索其他光谱学中无法访问的集体激发的独特能力。
混合二维材料在能源应用方面的最新进展
Shamsiya Shams 和 B. Bindhu * 摘要 二维氮化硼在能源转换和存储的发展趋势中具有广泛的应用。能源行业因其多功能性而迅速发展，利用了新技术发展的各种应用。更加注重二维氮化硼扩展的机械强度和柔韧性，这种材料优先用于柔性太阳能电池的开发，这反过来又使得构建轻量级和便携式能源解决方案成为可能。二维氮化硼在超级电容器和电池中的储能应用是有趣的结构候选。由于其巨大的表面积，它能够容纳客体离子，因此它有潜力用作电极材料，加速储能设备的循环和速率。此外，其化学稳定性对电池和超级电容器的寿命有积极影响，因为它可以减少电极的氧化或结垢，从而确保更长的使用寿命。此外，二维氮化硼膜具有出色的离子选择性和渗透性，是燃料和电解质电化学合成的有希望的候选材料。本文详细介绍了二维氮化硼，它是一种用于增强转化和储能技术的多功能材料，使其成为该领域的杰出材料，这将在未来带来更高效、更耐用、更环保的能源解决方案。
1抑制O-GLCNAC转移酶激活I型... 环境影响如何以及何时会改变脑皮质？具有出生体重差异的双胞胎的实验培训研究 通过工程模式识别受体增强植物的广谱抗性 鉴定在上皮卵巢癌中具有治疗价值的新型RAN GTPase的抑制剂 细胞周期蛋白A/B RXL大环抑制剂以高E2F活性治疗癌症 DNA甲基化与转录噪声相关，响应于东部牡蛎（Crassostrea virginica）的PCO2升高 2分析：用于分析二维空间中脂质膜和生物聚合物的工具箱 全基因组CRISPR敲除屏幕揭示了猪基因组中必需基因的景观 细胞N-米尔司他酰转移酶是乳腺癌繁殖1 的必需 使用CRISPR-CAS12A 在DNA信息存储中随机消毒
105，也可以根据CC0许可使用。（未通过同行评审认证）是作者/资助者。本文是美国政府的工作。不受此前版本的版权持有人的版权，该版本于2024年6月11日发布。 https://doi.org/10.1101/2023.12.14.571787 doi：Biorxiv Preprint
扫描二维材料的电化学探针显微镜研究
二维（2D）材料中的摘要研究兴趣由于其独特而引人入胜的特性而导致了指数增长。高度裸露的晶格平面以及2D材料的可调电子状态在设计新平台上为能量转换和传感应用的新平台创造了流动机会。仍然，理解这些材料的电化学（EC）特征的挑战是源于固有和外在异质性的复杂性，这些异质性可能会掩盖结构 - 活性相关性。扫描EC探针显微镜调查在揭示纳米级级别的局部EC重新激素方面提供了独特的好处，而纳米级级别则无法使用宏观方法。本综述总结了应用扫描EC显微镜（SECM）和扫描EC细胞显微镜（SECCM）的最新进展，以获得对2D电极基本面的独特见解。我们展示了EC显微镜在解决缺陷，厚度，环境，应变，相位，堆叠和许多其他方面的功能，以及代表性2D材料及其衍生物及其衍生物的光电化学。对扫描EC探针显微镜调查的优势，挑战和未来机会的观点进行了讨论。
用于未来信息技术的二维材料
1 南京大学电子科学与工程学院，南京 210023；2 南京大学集成电路学院、未来智能芯片交叉学科研究中心（Chip-X），苏州 215163；3 南京邮电大学集成电路科学与工程学院，南京 210003；4 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海 200083；5 东南大学电子科学与工程学院物理学院、量子材料与器件教育部重点实验室，南京 211189；6 浙江大学集成电路学院、硅基与先进半导体材料国家重点实验室，杭州 310027；7 苏州实验室，苏州 215004； 8 复旦大学微电子学院集成芯片与系统国家重点实验室，上海 200433；9 绍兴实验室，浙江绍兴 312000；10 香港理工大学应用物理系，香港 999077；11 湖南大学材料科学与工程学院，湖南省微纳物理与技术重点实验室，长沙 410082；12 浙江大学集成电路学院，浙江杭州 311200；
二维材料的工程带结构与远程MoiréFerroéJingding 1,2,3，Hanxiao Xiang 1,2,3，Wenqiang Zhou 2,3
5材料研究中心纳米结构科学研究中心，国家材料科学研究所，1-1纳米基，塔苏卡巴，日本305-0044 *乐队。反演对称性在菱形堆积的过渡金属二分法元素（TMDC）中赋予它们与平面电动极化相关的界面铁电性。通过将扭转角作为旋钮构建菱形堆积的TMDC，可以生成具有交替平面偏振的抗fiferroelelectric域网络。在这里，我们证明了这种并行堆叠的扭曲WSE 2中这种空间周期性的铁电极化可以将其Moiré电位烙印在远程双层石墨烯上。这种遥远的Moiré电位产生了明显的卫星电阻峰，除了石墨烯中的电荷 - 中性点，它们可以通过WSE 2的扭曲角度调节。我们对有限位移场上铁电滞后的观察表明，Moiré由远程静电电势传递。通过MoiréFerroelectricity构建的超级晶格代表了一种高度灵活的方法，因为它们涉及Moiré构造层与电子传输层的分离。这个远程莫伊尔被确定为弱势势，可以与常规的莫伊尔共存。我们的结果通过利用Moiré铁电性提供了二维材料的工程带结构和特性的全面策略。
b'abstract：与乙烯基连接的二维聚合物（V-2DPS）及其层堆叠的共价有机框架（V-2D COF）具有高平面内\ XCF \ XCF \ x80-Conjugation和Robobs框架的能量候选候选者。但是，当前的合成方法仅限于产生缺乏加工性的V-2D COF粉末，阻碍了它们的整合到设备中，尤其是在依赖薄膜的膜技术中。本文中，我们通过knoevenagel多浓度报告了乙烯基连接阳离子2DPS膜（V-C2DP-1和V-C2DP-2）的新型水面表面合成，作为高度可逆和耐用的基于锌的双子电池（ZDIB）（Zdibs），它们是阴离子 - 选择性电极涂层。模型反应和理论建模揭示了水面上knoevenagel反应的反应性和可逆性的增强。在此基础上，我们证明了对V-C2DPS膜的水表面2D多浓度，该膜显示出较大的侧向尺寸，可调厚度和高化学稳定性。代表性地，V-C2DP-1以A = B 43.3 \ XC3 \ X85的平面晶格参数为完全结晶和面向对面的膜。 V-C2DP-1膜从其定义明确的阳离子位点，定向的1D通道和稳定的框架中获利，具有优质的Bis（Trifluoromethanesulfonyl）酰亚胺阴离子（TFSI）inimide（TFSI） - 转移性（TONT_ = 0.85），用于高valtibe Zdibs Zdibs trigge，因此
b'abstract：与乙烯基连接的二维聚合物（V-2DPS）及其层堆叠的共价有机框架（V-2D COF）具有高平面内\ XCF \ XCF \ x80-Conjugation和Robobs框架的能量候选候选者。但是，当前的合成方法仅限于产生缺乏加工性的V-2D COF粉末，阻碍了它们进入设备，尤其是在依赖薄膜的膜技术中。在此，我们报告了通过knoevenagel多凝结的乙烯基链接阳离子2DPS膜（V-C2DP-1和V-C2DP-2）的新型水上表面合成，可作为高度可逆且基于耐用锌的Dual-iro-ion patchies（Zdibs）的阴离子选择性电极（作为阴离子）。模型反应和理论建模揭示了水面上knoevenagel反应的反应性和可逆性的增强。在此基础上，我们证明了对V-C2DPS膜的水表面2D多浓度，该膜显示出较大的侧向尺寸，可调厚度和高化学稳定性。代表性地，V-C2DP-1作为完全结晶和面向面的膜，具有A = B 43.3 \ XC3 \ X85的平面晶格参数。从定义明确的阳离子位点，定向的1D通道和稳定的框架中获利，V-C2DP-1膜具有优质的Bis（Trifluoromethanesulfonyl）Imide阴离子（TFSI）inImide（TFSI） - 转移率（T_ = 0.85），用于高空ZDIBS，从而在高空zdibs中进行transpertion andercation transportive and-Interc Zdib and Fratsion trande trander-dranscation-intrance zdib and。促进其特定能力（从〜83到124 mahg 1）和骑自行车寿命（> 1000个循环，能力保留95％）。