社区监测计划的水文气象数据定量验证,J.Hydrol.,538,713–725,doi:10.1016/j.jhydrol.2016.04.062,2016 年。Weeks W.、Barthelmess A.、Rigby E.、Witheridge G. 和 Adamson R. 水力结构的堵塞。
摘要。由超薄和平面构建块形成的超光学器件可实现紧凑高效的光学设备,从而在纳米尺度上操纵光。可调超光学器件的发展有望实现小型化和高效的光学系统,这些光学系统可以动态适应不断变化的条件或要求,推动从电信和成像到量子计算和传感等领域的创新。二维 (2D) 材料在实现可调超光学方面显示出巨大的潜力,因为它们具有原子级薄层内的量子限制所带来的卓越电子和光学特性。在这篇评论中,我们讨论了基于二维材料的可调超光学在线性和非线性领域的最新进展和挑战,并对这一快速发展的领域的前景进行了展望。
随着电子设备的小型化,辐射环境中的内存故障数量也在增加。一维 (1D) 纠错码 (ECC) 无法有效缓解这些问题,需要二维 (2D)-ECC 来提供卓越的纠错能力,同时减少能耗和面积消耗。该领域的出版物数量大幅增加,需要开展一项研究来指导和资助研究决策,主要是为了确定一种比较和评估 ECC 的标准化方法。我们提出了系统文献综述 (SLR),以研究用于缓解内存故障的 2D-ECC 的最重要特征。该 SLR 揭示了最常用的 ECC、数据大小和冗余开销、编码器和解码器实现技术、故障注入方法和评估指标。此外,我们提取了一些 ECC 趋势,例如在解码器内重复使用编码器,并以三维 (3D)-ECC 为目标来提高纠错效率。实验结果描述了对该科学界具有重要价值的重要研究决策。
二维材料的合成需要较高的工艺温度才能获得较高的材料质量,这阻碍了在器件晶圆上直接合成。因此,制造需要将二维材料从专用的生长衬底转移到器件晶圆上。本论文介绍了一种通过晶圆键合转移二维材料的通用方法。该方法的目标是在半导体代工厂的生产线后端集成到电子电路上。该方法的变体是悬挂二维材料的自由悬挂膜,并将层堆叠成二维材料异质结构。二维材料的图案化是器件制造的基本步骤。然而,标准的光刻方法会导致保护性抗蚀剂残留,从而降低器件性能。本论文介绍了一种非接触、无抗蚀剂的方法,通过激光直写和现成的系统以纳米级精度对二维材料进行图案化。金属电极和二维材料之间的电接触电阻显著影响器件的性能。本论文研究了湿度对石墨烯接触电阻和薄层电阻的影响。这一见解对于在无封装或密封包装的环境中操作至关重要。多层铂硒化物 (PtSe 2 ) 是一种半金属二维材料,可在 450 ◦ C 以下合成。本论文展示了通过在器件基板上直接生长将 PtSe 2 光电探测器与硅波导集成。光电探测器在红外波长下工作,这对于集成光子电路很有前景。
摘要MOSI 2 N 4和WSI 2 N 4的二维(2D)分层晶体的最新增长引起了人们对其出色的特性和潜在应用的重大兴趣。这一发展为新的和大型的2D材料铺平了道路,其一般公式为MA 2 Z 4。在这方面,由这个令人兴奋的家族驱动的,我们提出了M si 2 N 4(M = GE,SN和PB)单层的两个结构阶段(1T - 和1H-),并通过使用第一个Principles方法研究了它们的结构,振动,机械,电子和光学特性。这两个阶段具有相似的凝聚力,而1T结构在能量上比其1H对应物更有利。对声子光谱和从头算分子动力学模拟的分析表明,除1H -GESI 2 N 4外,所有建议的单层即使在高温下也是动态稳定的。通过计算其弹性常数(C IJ),平面刚度(Y 2D),泊松比(ν)和最终的拉伸应变(UTS)来检查所提出晶体的弹性稳定性和机械性能。值得注意的是,所考虑的系统表现出突出的机械特征,例如实质的内部刚度和高UTS。计算出的电子带结构表明,1T - 和1H-M SI 2 N 4纳米片是宽频段间隙的半导体,其能带间隙从可见光到光谱的紫外线范围跨度,适用于高强度的纳米电源设备的应用。最后,对光学性质的分析表明,设计的系统具有各向同性光谱,并且取决于系统的类型,紫外线的鲁棒吸收和可见光(尤其是在1H -PBSI 2 N 4 4 Monolayer中)。我们的研究不仅向2D MA 2 Z 4晶体的家族介绍了新成员,而且还揭示了他们有趣的物理特性,并建议他们作为多种纳米力学和光电应用的有前途的候选人。
大量核素和电子的自组织导致物质出现不同相。相代表一种可以在空间上无限复制的组织方式,其特性会随着外场的变化而不断变化,与其他相不同。因此,当材料经历相变时,某些系统特性会发生变化。相变的一般特征是,它要么涉及根据相变的朗道范式 1 – 3 的序参量的不连续性,要么涉及拓扑不变量的变化 4、5。发现、表征和控制物质的不同相是凝聚态物理学和材料科学的核心任务。特别是,对二维系统中相变的研究在促进我们对相变的理解方面发挥了至关重要的作用(图 1)。 2D 材料 6 – 10 是可以在两个方向上无限复制,但在第三个方向上具有原子级厚度的物质。例如,单层 MoS 2 的厚度为 6.7 Å,在通过机械剥离 6 制备的实验室样品中,平面内厚度通常为微米,因此,其长宽比为 ~10 3 或更大。为了进行比较,一张典型的 A4 大小的纸(~100 μm × 29.7 cm × 21 cm)的长宽比也相似,为 ~10 3 。虽然 2D ↔ 3D/1D 相变无疑是有趣的讨论主题,但在这里,我们重点关注 2D → 2D 转变。最早对 2D 相变的研究大多是理论上的;例如二维 Ising 自旋模型的精确解 11 、 Hohenberg–Mermin–Wagner 定理的提出 12 , 13 以及 Kosterlitz–Thouless 转变的发现 14 , 15 (图 1 )。20 世纪 80 年代初,半导体技术的进步使得人们能够实验研究半导体界面和强磁场下的二维电子系统,从而带来了突破性的
摘要:在GAAS型量子井中二维(2D)磁磁体的特性,其经受了强烈的垂直磁场的作用,其与直接库仑电子孔(E-H)相互作用确定的结合能的作用,并讨论了E-H Spin Spin Projections 1 f-firections 1 f-distect。在库仑交换电子孔相互作用的影响下,由磁excitons形成的新叠加状态出现。在线性极化为正(负)均衡的情况下,允许对称状态(不对称)状态,并且在线性极化为负(正(正)平等的情况下,禁止使用。这两个对称和不对称的叠加态揭示了量子干扰效应。获得的光学结果开放了使用Dirac Cone分散法研究2D Bose气体的热力学特性的可能性。
摘要:现代轨道磁化 (OM) 理论是利用 Wannier 函数方法发展起来的,其形式与 Berry 相相似。在本文中,我们利用该方法对二维 Haldane 模型进行了无序下 OM 的命运的数值研究,该模型可以在半填充的正常绝缘体或陈绝缘体之间进行调整。模拟了两种情况下无序增加对 OM 的影响。在弱无序区域和拓扑平凡情况下观察到能量重正化偏移,这是通过自洽 T 矩阵近似预测的。除此之外,还可以看到另外两种现象。一是能带轨道磁化的局部化趋势。二是来自非零陈数或大积分 Berry 曲率值的拓扑手性态的显著贡献。如果费米能量固定在清洁系统的间隙中心,则 | M | 会增强对于正常绝缘体和陈绝缘体的情况,都处于中等无序状态,这可以归因于局域化之前无序引起的拓扑金属态。
《药品供应链安全法案》(DSCSA)于 2013 年 11 月 27 日签署成为法律,旨在通过识别和清除美国药品供应链中的假冒和危险药品/产品来增强 FDA 保护消费者的能力。DSCSA 规定,到 2023 年,美国将拥有一个电子的、可互操作的系统,该系统将能够监控处方药从制造到分发的整个过程。为了实现这一目标,DSCSA 要求制造商以人类可读的形式在他们打算引入供应链的产品的每个包装和箱子上印上产品标识符。此外,产品标识符必须包括国家药品代码、序列号、批号和有效期,这些都编码在二维条形码中。