o SBD 4 – 与政府的利益声明 o SBD 6.1 – 优先点数索取(仅限南非公司) • 此正式报价请求受《优惠采购政策框架法》和《2022 年优惠采购条例》、《一般合同条件》(GCC)以及(如适用)任何其他特殊合同条件的约束。 在中央供应商数据库 (CSD) 上注册:投标人必须在国家财政部的中央供应商数据库中,才能与 NRF 开展业务,并且 NRF 才能授予投标并签署后续合同。必须在 CSD(www.csd.gov.za)上注册,未注册的投标人的投标将不予考虑。 国家财政部联系方式:+27 (0) 12 406 9222 或发送电子邮件至 csd.support@treasury.gov.za
摘要 — 在本文中,我们报告了高迁移率 β -Ga 2 O 3 同质外延薄膜的生长温度,该薄膜的生长温度远低于金属有机气相外延的传统生长温度窗口。在 Fe 掺杂的 (010) 块体衬底上以 600 ◦ C 生长的低温 β -Ga 2 O 3 薄膜表现出卓越的晶体质量,这从测量的非故意掺杂薄膜的室温霍尔迁移率 186 cm 2 /Vs 可以看出。使用 Si 作为掺杂剂实现 N 型掺杂,并研究了 2 × 10 16 - 2 × 10 19 cm −3 范围内的可控掺杂。通过比较二次离子质谱 (SIMS) 中的硅浓度和温度相关霍尔测量中的电子浓度,研究了 Si 的掺入和活化。即使在这种生长温度下,薄膜也表现出高纯度(低 C 和 H 浓度),且补偿受体浓度非常低(2 × 10 15 cm − 3)。此外,在较低温度下生长时,可以观察到突变掺杂分布,正向衰减速度为 ∼ 5nm/dec(与在 810 ◦ C 下生长的薄膜相比,提高了 10 倍)。
摘要 — 低温 CMOS 电路因其在量子计算、磁共振成像、粒子探测器和太空任务等领域的潜在应用而备受关注。这些电路在低于 77 K 直至接近绝对零度的温度下工作,由于深低温下可用的冷却功率有限,因此面临严格的功率限制。虽然低温操作可以大幅减少漏电流并提高晶体管效率,但优化低温 CMOS 电路以在冷却限制内最小化静态和动态功耗至关重要。在本文中,我们提出了一种低温感知技术映射方法来优化低温 CMOS 电路的功率特性。所提出的方法以技术独立的逻辑网络和低温标准单元库作为输入,并生成技术映射的门级网表,从而显着降低功耗。通过考虑低温下的静态和动态功率限制,与最先进的低温非感知算法相比,该方法可实现高达 26.89% 的平均功耗降低。这种优化使得基于大规模标准单元的数字电路能够在关键应用中的低温下高效运行。
Timken 低温应用轴承经过专门设计和加工,可满足此类环境的极端要求。我们的轴承采用先进材料、专业热处理和混合设计,确保卓越的性能、可靠性和使用寿命。选择 Timken 满足您的低温轴承需求,体验无与伦比的质量和工程卓越性。
Brodie于1872年首先描述了CO/CO 2与H 2的混合物与H 2的混合物。[1]三十年后,1902年,“法国正世俗主义”的促进者保罗·萨巴蒂尔(Paul Sabatier)和父亲让·巴蒂斯特·森德伦斯(Jean Baptiste Senderens)[2]描述了他们与CO和CO 2氢化对镍催化剂的反应有关的发现。[3]两种流室MIC反应有选择性地产生甲烷。在镍上,反应在250°C下轻松进行,而在CO 2的情况下需要350°C。[4]使用较高的温度引起的碳沉积。使用钴的使用暗示在较高温度下起作用,以开始反应。几年后,萨巴蒂尔(Sabatier)以有远见的方式提议将这种反应应用于CO 2和电解产生的氢气的产生或加热气体。[5]部分要归功于这些关于CO 2甲基化的研究(今天也称为Sabatier反应),Sabatier于1912年与Victor Grignard一起获得了化学诺贝尔奖。从历史上看
NbN 技术可在 8.5 K 下运行,因此在 4 K 附近的低温下运行是理想的。然而,随着结密度的增加,结的自热会在阵列和冷头之间产生显著的热梯度。因此,需要仔细设计整个系统以保持可接受的操作裕度。我们开发了一种量热测量技术来表征系统变量,并用它来评估几种不同的 PJVS 配置。该技术使用 PJVS 子阵列作为热源和温度传感器,结合时间门控测量技术来表征系统的热响应。使用包含 Pb 热质量的无源热过滤器来减少低温冷却器的温度振荡。我们的结果表明,通过适当的系统设计,在小型(额定容量为 100 mW,温度为 4.2 K)低温冷却器上运行实用的 10 V PJVS 是可能的。
式中,t为钢材厚度,MS为低碳钢,HT为高强度钢。船体结构钢分为普通厚度钢和高强度钢。普通强度钢按质量分为A、B、C、D四个等级;高强度钢分为AH32、DH32、EH32、AH36、DH36、EH36两个强度等级和三个质量等级。
我们正在寻求任命一名博士后研究员,负责一项为期 36 个月的工程和物理科学研究委员会 (EPSRC) 资助项目,以探索低温等离子体在凝胶合成中的应用。凝胶是一种用途极为广泛的材料,在从食品到个人护理产品等日常用品中随处可见,也可用于药物输送和电池技术等复杂应用。该研究将重点通过开发先进的等离子体源和应用复杂的等离子体诊断技术,建立一种基于等离子体的新型软物质合成工艺。
甲脒铅三碘化物 (FAPbI 3 ) 已成为金属卤化物钙钛矿家族中高效、稳定的钙钛矿太阳能电池 (PSC) 的有希望的候选者,尤其是与早期的甲基铵铅三碘化物 (MAPbI 3 ) 原型相比。这是因为 FAPbI 3 具有更窄的带隙能量 ≈ 1.45 eV——更接近 Shockley-Queisser 最优 [1]——并且比 MAPbI 3 更热稳定。[2] 然而,α 相 FAPbI 3 的形成通常需要高温退火 (≥ 150 ° C) 数十分钟,[3] 而获得的 α -FAPbI 3 在室温下是亚稳态的,因为它会迅速降解为光惰性的非钙钛矿同质异形体 (δ-FAPbI 3 )。 [4] 钙钛矿相的亚稳态归因于甲脒(FA +)的尺寸相对较大,导致Gold-schmidt容忍因子> 1,从而驱动六方晶体结构而不是立方晶体结构的形成。[5]
• 许多红外天文学需要< 3 K,因此不能通过制冷机来满足 – “无制冷剂”超导磁体或SQUID阵列 – 再液化LN 2 、LHe或其他制冷剂 – 热辐射屏蔽的冷却 – 基于HiTc的电子设备的冷却,例如用于电池的微波滤波器