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有机电子
5 聚合物薄膜晶体管的电气和环境稳定性 108 Alberto Salleo 和 Michael L. Chabinyc 5.1 简介 108 5.2 TFT 中的电荷捕获 109 5.2.1 一般考虑 109 5.2.2 有机晶体管中的偏置应力 111 5.3 聚芴和聚噻吩 TFT 中的偏置应力 112 5.3.1 可逆偏置应力 113 5.3.2 长寿命偏置应力 115 5.3.3 偏置应力对工作条件的依赖性；寿命预测 116 5.3.4 偏置应力的微观理论 118 5.4 化学对稳定性的影响 – 缺陷和杂质 119 5.4.1 简介 119 5.4.2 分子结构缺陷 120 5.4.2.1 合成缺陷 120 5.4.2.2 光致缺陷 121 5.4.3.1 热化学分析 123 5.4.3.2 氧 124 5.4.3.3 水 126 5.4.3.4 有机溶剂 127 5.4.3.5 无机杂质 127 5.4.3 杂质 123 5.4.4 TFT 寿命研究 128 5.5 结论 129 致谢 129 参考文献129
基础电子学的目标
单元 1：组件 14 小时 组件简介 – 无源组件和有源组件 – 电阻器、标准化、颜色编码技术、电阻器类型 – 电容器、电容器类型 – 电感器、电感器类型、特性和规格、变压器、变压器类型。 二极管 - 原子理论 – 硅和锗的结构 – 导体、半导体、绝缘体的能带图 – 本征和非本征半导体 – PN 结二极管 – 正向和反向偏置 PN 结的特性。 单元 2：特殊二极管及其应用 8 小时 特殊二极管 – 齐纳二极管 – 发光二极管 (LED) – 光敏二极管 (LDR)。 整流器 – 半波和全波（桥式和中心抽头）整流器 – 纹波系数 – 整流器的效率和滤波电路。第 3 单元：晶体管和偏置方法 17 小时 双极结型晶体管 – 晶体管结构 – PNP 和 NPN 晶体管 – 工作模式 – 共基极配置 (CB)、共发射极配置 (CE)、共集电极配置 (CC) – 晶体管参数 – α 和 β 之间的关系 – 偏置方法 – 固定偏置 – 集电极-基极偏置 – 发射极偏置场效应晶体管 – FET 的分类 – BJT 和 JFET 的比较研究 – FET 的优点和缺点 – JFET 的结构 – JFET 特性 – MOSFET（增强和耗尽）
模拟电子学（REC3C001）
模块 — I（12 小时） MOS 场效应晶体管：FET 和 MOSFET 的原理和操作；P 沟道和 N 沟道 MOSFET；互补 MOS；E- MOSFET 和 DMOSFET 的 VI 特性；MOSFET 作为放大器和开关。BJT 的偏置：负载线（交流和直流）；工作点；固定偏置和自偏置、带电压反馈的直流偏置；偏置稳定；示例。FET 和 MOSFET 的偏置：固定偏置配置和自偏置配置、分压器偏置和设计模块 — II（12 小时）BJT 的小信号分析：小信号等效电路模型；CE、CC、CB 放大器的小信号分析。Rs 和 RL 对 CE 放大器操作的影响、射极跟随器；级联放大器、达林顿连接和电流镜电路。 FET 的小信号分析：小信号等效电路模型、CS、CD、CG 放大器的小信号分析。CS 放大器上的 RsiG 和 RL 的匹配；源极跟随器和级联系统。模块 —III（8 小时）FET 和 BJT 的高频响应：BM 和 FET 的高频等效模型和频率响应；CS 放大器的频率响应、CE 放大器的频率响应。模块 —IV（6 小时）反馈放大器和振荡器：负反馈和正反馈的概念；四种基本反馈拓扑、实用反馈电路、正弦振荡器原理、WeinBridge、相移和晶体振荡器电路、功率放大器（A、B、AB、C 类）。模块 — V（7 小时）运算放大器：理想运算放大器、差分放大器、运算放大器参数、非反相配置、开环和闭环增益、微分器和积分器、仪表放大器。书籍：
生成人工智能导致白领工人的位移，但减少了区域机会差异
图3：基于α-MOO 3的EUV检测器的性能：（a）在不同的光子能量和偏置电压下测量当前时间（I-T）曲线，而EUV辐射在周期中关闭并在循环中打开。时间归一化，以在同一面板中显示所有数字。随着偏差的增加，信号增加，但黑电流也有所增加。（b）。在分贝（𝑑𝐵）中作为光子能量的函数的信噪比（SNR）在低偏置时显示出强信号强度约为15 dB。由于在给定较高的偏置电压下暗电流值增加，在较高的偏置电压下，信号强度降低。（c）EUV在给定光子能量下诱导的电流对光子通量依次增加的响应，表明在检测极高的通量〜10 12𝑃ℎ/𝑠时没有饱和或降解，显示了设备稳定性。（d）记录电流的密度图与极高通量（〜10 12𝑝ℎ𝑜𝑡𝑜𝑛𝑠/𝑠）下的100个连续重复测量的偏置电压（-5至5𝑉）的函数进行了测试，以测试该设备的
在薄膜锂调节剂中的电响应响应放松
摘要：薄膜硅锂（TFLN）是一个有前途的电磁光（EO）光子平台，具有高调制带宽，低驱动电压和低光学损耗。然而，已知TFLN中的EO调制可以在长时间尺度上放松。取而代之的是，热通加热器通常用于稳定的偏置，但是加热器会带来交叉言论，高功率和低带宽的挑战。在这里，我们表征了TFLN调节剂的低频（1 MHz至1 MHz）EO响应，研究EO松弛的根本原因，并展示了改善偏置稳定性的方法。我们表明，与弛豫相关的效果可以增强我们设备中跨越1KHz至20kHz的频带的EO调制 - 这是一个反直觉的结果，可以混淆TFLN调制器中半波电压（Vπ）的测量。我们还表明，通过控制LN金属界面和退火，可以通过10 4倍的速度减慢EO放松，从而为寿命稳定的EO偏置提供了进步。这种强大的EO偏置将使跨言，功率和偏置带宽至关重要的TFLN设备的应用，例如量子设备，高密度集成光子学和通信。
一种用于安全地体内放大电生理信号的电解质门控有机晶体管的新型偏置方案
肿瘤切除术中神经活动的监测、神经外科手术[6–8]中慢性植入物中癫痫病灶的识别[9–11]以及神经假体。[12–17]为了在保留大量任务相关信息的同时尽量减少侵入性，人们对皮层电图 (ECoG) 和微皮层电图 (μ ECoG) 技术进行了广泛的研究。[18–22]对于皮层内微电极，由于与信号源的距离增加，ECoG 和 μ ECoG 都表现出一些固有的局限性。[23]此外，由于电极小型化和随之而来的阻抗增加，μ ECoG 会受到噪声增强的影响。[24,25]在这种情况下，脑记录将从原位第一级信号放大策略中受益匪浅。在克服这些限制的各种策略中，半导体技术已用于神经生理学应用。无机场效应晶体管已成功证明可作为体外生物电活动传感器，[26–28] 但它们在体内的应用受到无机半导体的化学和机械特性的限制，尤其是暴露于水环境时。[29] 这使得无机晶体管沦为微电极集成多路复用器的角色。[30]