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航天级并行持久性 SRAM 存储器
图 1：部件编号订购选项 ................................................................................................................................ 5 图 2：器件引脚排列 ................................................................................................................................ 7 图 3：142 球 FBGA ................................................................................................................................ 9 图 4：142 球 FBGA ................................................................................................................................ 10 图 5：功能框图 ...................................................................................................................................... 11 图 6：上电行为 ...................................................................................................................................... 12 图 7：写操作 ...................................................................................................................................... 17 图 8：写操作（E# 控制） ................................................................................................................ 18 图 9：总线周转操作 ................................................................................................................................ 19 图 10：读操作 ........................................................................................................................................ 20 图 11：4 字异步页面模式与传统异步模式的比较 ...................................................................................... 21 图 12：页面模式功能框图 ................................................................................................................ 22 图13：异步页读操作 ...................................................................................................................... 22 图 14：异步页写操作 ...................................................................................................................... 23 图 15：页写到单次写时序图 .............................................................................................................. 23 表 1：技术比较 ...................................................................................................................................... 4 表 2：有效组合列表 ................................................................................................................................ 6 表 3：信号描述 ...................................................................................................................................... 7 表 4：上电/断电时序和电压 ................................................................................................................ 13 表 5：器件初始化时序和电压 ................................................................................................................ 14 表 6：建议工作条件 ........................................................................................................................ 14 表 7：引脚电容 ........................................................................................................................................................................................................................ 14 表 8：直流特性 ...................................................................................................................................... 15 表 9：磁抗扰度特性 .............................................................................................................................. 15 表 10：交流测试条件 ............................................................................................................................. 15 表 11：绝对最大额定值 ...................................................................................................................... 16 表 12：写操作（W# 控制） ............................................................................................................. 17 表 13：写操作（E# 控制） ............................................................................................................. 18 表 14：写操作 ................................................................................................................................ 19 表 15：读操作 ................................................................................................................................ 20 表 16：页面模式交流时序 ................................................................................................................ 24 表 16：耐用性和数据保留 ................................................................................................................ 24 表 17：热阻规格 .......................................................................................................................... 25........................................................................... 24 表 16：耐久性和数据保留时间 ...................................................................................................... 24 表 17：热阻规格 ...................................................................................................................... 25........................................................................... 24 表 16：耐久性和数据保留时间 ...................................................................................................... 24 表 17：热阻规格 ...................................................................................................................... 25
太空级并行持久性 SRAM 存储器
非易失性 − √ √ √ 写入性能 √ − − √ 读取性能 √ − − √ 耐久性 √ − − √ 功率 − − − √ MRAM 是一种真正的随机存取存储器；允许在内存中随机进行读取和写入。MRAM 非常适合必须存储和检索数据而不会产生较大延迟的应用程序。它提供低延迟、低功耗、无限耐久性、高性能和可扩展的内存技术。AS30xxB16 采用小尺寸 48 球 FBGA（10 毫米 x 10 毫米）封装，支持 16Mb、32Mb 和 32Mb 密度。此封装与类似的低功耗易失性和非易失性产品兼容。AS30xxB16 提供工业扩展（-40°C 至 125°C）工作温度范围。每个单元在发送给客户之前都要经过 48 小时的老化。
基于单个晶体管的高密度 SOT-MRAM 存储器阵列
Rana Alhalabi 1、Etienne Nowak 1、Ioan-lucian Prejbeanu 2 和 Gregory Di Pendina 2 1 CEA LETI，Minatec campus，17 Rue des martyrs，38054 Grenoble，法国 2 Univ. Grenoble Alpes，CEA，CNRS，Grenoble INP*，INAC，SPINTEC，F-38000 Grenoble，法国 摘要 — 自旋轨道扭矩磁性 RAM (SOT-MRAM) 方法代表了一种通过分离读取和写入路径来克服自旋转移扭矩 (STT) 存储器限制的新方法。由于每个位单元有两个晶体管，因此它对于不需要非常高密度的高速应用尤其有用。本文介绍了一种基于单个晶体管和单向二极管的高密度 SOT-MRAM 存储器阵列。这种方法有三个优点。 32kb 存储器阵列的晶体管数量减少了 45%，与传统 SOT 位单元相比，单元密度提高了 20%。此外，读取操作所需的控制更少，最终可实现高耐久性、高速度和高密度。关键挑战在于在感测裕度和读取能量之间进行调整。
航天级并行持久性 SRAM 存储器
非易失性 − √ √ √ 写入性能 √ − − √ 读取性能 √ − − √ 耐久性 √ − − √ 功率 − − − √ MRAM 是一种真正的随机存取存储器；允许在内存中随机进行读取和写入。MRAM 非常适合必须存储和检索数据而不会产生较大延迟的应用程序。它提供低延迟、低功耗、高耐久性、高性能和可扩展的内存技术。AS3xxx332 采用小尺寸（15mm x 17mm）142 球 BGA 封装。在 1、2、4Gb 密度下，该设备使用一个芯片选择 E#。在此配置中，形成一个 1、2、4Gb 的连续地址空间。在 8Gb 配置中，该封装有两个 4 个芯片组，每个芯片组可单独选择，但不能同时选择。每个芯片组可使用 E1# 和 E2# 选择。在 8Gb 配置中，不得同时选择 E1# 和 E2#，因为两个组共享相同的 I/O 引脚。AS3xxx332 提供工业扩展（-40°C 至 125°C）工作温度范围：这是以结温测量的。
“共享经济”如何共享？来自 97 个 Airbnb 市场的证据
近年来，Airbnb 等数字平台已成为一股重要的经济和政治力量，它们将自己标榜为“共享经济”——一种新的、更公平的社会和经济活动组织方式，同时又扮演着自有市场的所有者和管理者的角色。近年来，这些平台受到各种各样但日益严格的监管，这不禁让人想知道这些监管如何影响它们的平台市场。本文通过对 97 个城市和地区的 Airbnb 市场收入分配进行大规模国际比较分析来检验这些说法，重点关注收入不平等的水平及其演变，并使用机器学习对房东头像进行分类来估算种族和性别收入差距。通过研究 834,722 个房源、513,785 名房东和 13,466,854 条评论，本文发现平均基尼系数为 0.68，这意味着市场收入的大部分往往流向大约 10% 的房东。各个城市的集中化程度差异很大，但随着时间的推移，集中化程度不断提高，政府监管似乎是一个抵消因素，但这只能暂时减缓少数大型房东日益增长的主导地位。该论文还发现，性别和种族收入差距很大，黑人房东的平均房源收入比男性少 22%，女性房东的平均房源收入比男性少 12%。这些发现为正在进行的学术和政策辩论提供了重要数据，也为进一步研究共享经济中的不平等及其监管方式提供了一个起点。
使用 TiOx 作为电阻层的电阻存储器的制造
图 3 ReRAM 特性的电极依赖性：(a) 50×50 μm 2 ，(b) 200×200 μm 2 。 5.结论我们利用 TiO x 作为电阻变化层制作了 ReRAM，并评估了其特性。在本次创建的条件下，没有观察到复位操作。这被认为是因为在复位操作过程中，由于氧气的释放，灯丝没有断裂。比较电极尺寸，50×50 μm2 的较小元件与 200×200 μm2 的元件相比，可获得更优异的特性。这被认为表明了氧化退火过程中的尺寸依赖性。 6.参考文献 [1] A. Hardtdegen 等，IEEE Transactions on Electron Devices，第 65 卷，第 8 期，第 3229-3236 页 (2018) [2] Takeo Ninomiya，基于氧化物材料设计和可靠性建模的电阻式存储器量产，名古屋大学研究生院博士论文 (2016) [3] D.Carta 等，ACS Appl. Mater. Interfaces，第 19605-19611 页 (2016) [4] D. Acharyya 等，微电子可靠性。54，第 541-560 页 (2014)。
适用于太空应用的英飞凌抗辐射存储器解决方案
Xilinx Virtex V5、Kintex US 以及 Microchip RTG4 和 RTPolarFire FPGA 的 RadHard 72M 和 144M QDRII+ SRAM 设备均可免费获得内存控制器。QDR-II+ SRAM 控制器管理基于 DDR 的源同步时序架构的复杂时序细节，并确保 FPGA 和 QDRII+ SRAM 内存之间的可靠数据传输。如果需要更高级别的辐射抗扰度来减轻单粒子干扰，控制器嵌入式 ECC (SECDEC) 也可作为 RTL 选项提供。请联系 hirel-memory@infineon.com 获取 RTL 代码和测试台的副本。
人工智能与共享繁荣
人工智能 (AI) 的发展影响社会和人民的主要途径之一是重新分配经济机会和收入前景。这种重新分配可以是公平和包容的，也可以偏向某些群体，这些群体从集中在他们手中的经济权力中获益 [9]。直到最近，许多技术专家还认为，一旦经济经历调整期，技术进步总是“惠及所有人”，并会自动带来共同繁荣。这导致许多人忽视了他们的发明对经济不平等的影响。然而，自 20 世纪 80 年代以来，技术进步伴随着不平等的显著加剧。例如，[ 4 ] 调查了大量经济文献，发现美国的自动化导致了劳动力市场的两极分化，过去执行常规任务的中等收入工作被低收入工作所取代，而收入分配顶层的人的收入显著增加，导致经济不平等加剧。[ 14 ] 记录了过去 20 年里经合组织（一个涵盖世界最富裕国家的俱乐部）中也存在类似的现象：中位数工资（普通工人的报酬）的增长速度低于整体生产率的增长速度，而且两者之间的差距一直在扩大。近年来，幸运的是，人们普遍呼吁“人工智能应该以人为本，透明度和问责制是至关重要的特征”（NextGen 报告，2020 年）。然而，不幸的是，这些呼吁往往紧接着就会出现“人工智能将彻底颠覆全球劳动力市场和经济”之类的言论，而这些言论被视为不可改变的事实。对于人工智能违反公平、问责和透明原则的态度似乎存在很大差异，
