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World File Search System击穿
分支：机械工程 学期：第 6 学期...
工件和工具与直流电源电连接。工件连接到 +ve 端子。它成为阳极。工具为阴极。 工件和工具之间保持 0.005 至 0.05 毫米范围内的间隙，称为“火花间隙”。 当施加 50 至 450 V 范围内的适当电压时，电介质击穿，电子从阴极发射，间隙被电离。 事实上，由于在发生电离碰撞过程的火花间隙中形成了电子雪崩，因此形成了一个小的电离液柱。 当间隙中聚集更多电子时，电阻会下降，导致电火花在工件和工具之间跳跃。 每次放电都会导致电子流以高速度和加速度从阴极向阳极移动，并在两个电极表面产生压缩冲击波。
信函 无回弹的 RC-LIGBT，其 LDMOS 和 LIGBT 由 L 形 SiO 2 层隔开
摘要 提出并研究了一种用L形SiO 2 层将LDMOS和LIGBT隔离的RC-LIGBT。L形SiO 2 层显著增强了击穿状态下的体电场，并大大降低了表面电场。正向传导时，A点之前电流以单极模式（LDMOS）为主，B点之后电流以双极模式（LIGBT）为主，由于电导率调制受到LIGBT区的抑制，A点和B点之间消除了回弹。反向传导状态下，LDMOS区实现了续流二极管（FWD）。与传统RC-LIGBT相比，所提出的器件表现出无回弹特性，同时将BV提高了107％。 关键词：RC-LIGBT，击穿电压，回弹现象 分类：功率器件与电路
O2等离子体处理对电学和介电常数的影响...
研究了 O 2 等离子体处理对 Ba 0 ： 7 Sr 0 ： 3 TiO 3 (BST) 薄膜电特性和介电特性的影响。将沉积态和退火态的 BST 薄膜暴露于 O 2 等离子体后，BST 薄膜的漏电流密度可以得到改善。通常，在施加 1.5 V 电压下，与未经等离子体处理的样品相比，漏电流密度可以降低 3 个数量级。研究发现，等离子体处理改变了表面形貌。BST 薄膜的电容降低了 10% 至 30%。等离子体处理样品的漏电流密度的改善和介电常数的降低可归因于 BST 薄膜中碳污染的减少。时间相关电介质击穿 (TDDB) 研究表明，所有样品在 1 V 电压偏置下均有超过 10 年的使用寿命。© 2000 Elsevier Science Ltd. 保留所有权利。
先进半导体器件技术
基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术正在彻底改变现代国防射频和电子战系统。该技术能够以高线性度和高效率在高频下提供高功率。由于这些优势，它被广泛应用于雷达、卫星通信和军事地面通信等各种应用中。基于 GaN 的 HEMT 技术比现有的砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 具有显著优势，尤其是在射频功率应用方面。这主要是因为 GaN 器件具有非常高的击穿场，因此能够在更高的电压下工作。此外，GaN 器件的阻抗要高得多，因此在射频功率放大器集成电路中对匹配网络的要求就更低了。总体而言，与竞争对手的射频相比，GaN 技术可以将射频 IC 的尺寸缩小十倍甚至更高
课程大纲 制造与工艺工程 第一年
模块 II（10 小时） 介电特性：简介、介电常数、介电极化（极化率）、介电体中的不同类型极化（电子、离子、取向和空间电荷极化、内部场（无推导）、克劳修斯-莫索蒂方程、介电损耗、击穿和强度、介电材料的应用 磁性：简介、基本定义、玻尔磁子、磁性材料的分类- 铁磁性、顺磁性、铁磁性、反铁磁性和亚铁磁性，磁滞曲线- 软磁和硬磁材料，磁性材料的应用 超导性：一般特性、迈森效应、同位素效应、超导体中的能隙、相干长度、临界磁场、磁通量化穿透深度、直流和交流约瑟夫森效应 I 型和 II 型超导体、BCS 理论、伦敦方程、超导体的应用
半导体微电子学和纳米电子学项目
NIST 的前身国家标准局 (NBS) 于 20 世纪 50 年代中期开始致力于满足新兴半导体行业的测量需求。虽然这项工作最初侧重于其他政府机构的晶体管应用，但在 20 世纪 60 年代初，该局向美国材料与试验协会 (ASTM) 和美国电子工业协会 (EIA) 寻求行业指导。ASTM 的首要任务是准确测量硅的电阻率。NBS 的科学家开发了一种实用的无损测量方法，其精度比以前的破坏性方法高出 10 倍。该方法是五种工业标准和广泛用于校准行业测量仪器的电阻率标准参考材料的基础。第二个项目由 EIA 专家小组推荐，旨在解决晶体管的“二次击穿”故障机理。该项目的成果得到了广泛应用，包括解决导致航天飞机发射延迟的主发动机控制问题。
半导体微电子和纳米电子项目
NIST的前身国家标准局（NBS）于20世纪50年代中期开始工作，以满足新兴半导体行业的测量需求。虽然这最初侧重于其他政府机构的晶体管应用，但在20世纪60年代初，该局向美国材料与试验协会（ASTM）和（美国）电子工业协会（EIA）寻求行业指导。ASTM的首要任务是准确测量硅的电阻率。NBS科学家开发了一种实用的非破坏性方法，其精度是以前破坏性方法的十倍。该方法为五项工业标准和广泛用于校准工业测量仪器的电阻率标准参考材料奠定了基础。第二个项目由 EIA 专家小组推荐，旨在解决晶体管的“二次击穿”故障机制。该项目的成果得到了广泛应用，包括解决导致航天飞机发射延迟的主发动机控制问题。
氧空位对铁电氧化铪电场循环行为的影响
摘要 —基于密度泛函理论（DFT）计算，提出了一种关于HfO 2 基铁电器件中氧空位（Vo）的新机制。在该机制中，除了已知的o相HfO 2 之外，m相HfO 2 中的Vo不仅作为电子陷阱而且也表现出铁电性。而“唤醒”过程中剩余极化的增加主要归因于这部分Vo-m相HfO 2 铁电单元。基于新机制，开发了动力学蒙特卡罗（KMC）模拟器来量化在HfO 2 基铁电器件中观察到的典型电场循环行为，包括唤醒、疲劳、分裂和击穿效应。这种新的认识建立了Vo与循环行为之间的关系，并进一步揭示了掺杂剂与HfO 2 基铁电器件唤醒特性之间的联系。
半导体微电子学和纳米电子学项目
NIST 的前身国家标准局 (NBS) 于 20 世纪 50 年代中期开始致力于满足新兴半导体行业的测量需求。虽然这项工作最初侧重于其他政府机构的晶体管应用，但在 20 世纪 60 年代初，该局向美国材料与试验协会 (ASTM) 和美国电子工业协会 (EIA) 寻求行业指导。ASTM 的首要任务是准确测量硅的电阻率。NBS 的科学家开发了一种实用的无损测量方法，其精度比以前的破坏性方法高出 10 倍。该方法是五种工业标准和广泛用于校准行业测量仪器的电阻率标准参考材料的基础。第二个项目由 EIA 专家小组推荐，旨在解决晶体管的“二次击穿”故障机理。该项目的成果得到了广泛应用，包括解决导致航天飞机发射延迟的主发动机控制问题。
半导体微电子学和纳米电子学项目
NIST 的前身国家标准局 (NBS) 于 20 世纪 50 年代中期开始致力于满足新兴半导体行业的测量需求。虽然这项工作最初侧重于其他政府机构的晶体管应用，但在 20 世纪 60 年代初，该局向美国材料与试验协会 (ASTM) 和美国电子工业协会 (EIA) 寻求行业指导。ASTM 的首要任务是准确测量硅的电阻率。NBS 的科学家开发了一种实用的无损测量方法，其精度比以前的破坏性方法高出 10 倍。该方法是五种工业标准和广泛用于校准行业测量仪器的电阻率标准参考材料的基础。第二个项目由 EIA 专家小组推荐，旨在解决晶体管的“二次击穿”故障机理。该项目的成果得到了广泛应用，包括解决导致航天飞机发射延迟的主发动机控制问题。