总剂量:质子/电子通过微电子设备有源区域时的能量损失(沉积剂量)在任务过程中累积(或在高剂量率事件期间逐步累积),导致设备性能下降和电路或系统级性能下降。
摘要 - 在辐射环境(例如空间)中,吸收剂量和剂量率的测量是一项常见的任务。这是用称为辐射剂量计的专用仪器来完成的。在空间任务中最常用的辐射剂量计中是基于辐射敏感的场效应晶体管(RADFET)的。 在本文中,我们为辐射硬化读数系统提出了一个设计概念,以实时测量带有RADFET的吸收剂量和剂量速率。 在吸收剂量和剂量率读数模式以及随后的数据处理之间的连续切换是由自适应耐受性缺陷耐受性的多处理系统对芯片(MPSOC)进行的。 使用嵌入式静态随机访问存储器(SRAM)对粒子通量的集成框架控制器(SRAM)实现了自主选择操作和耐故障模式,从而在可变辐射条件下实现了最佳性能。。在本文中,我们为辐射硬化读数系统提出了一个设计概念,以实时测量带有RADFET的吸收剂量和剂量速率。在吸收剂量和剂量率读数模式以及随后的数据处理之间的连续切换是由自适应耐受性缺陷耐受性的多处理系统对芯片(MPSOC)进行的。使用嵌入式静态随机访问存储器(SRAM)对粒子通量的集成框架控制器(SRAM)实现了自主选择操作和耐故障模式,从而在可变辐射条件下实现了最佳性能。
FFF梁已经成为最新和快速治疗技术的选择,因为它们的短暂处理时间以及当去除扁平过滤器时剂量率增加了两到四倍。FFF梁对于SRS和SBRT特别有利,但它们的强度增加可能适用于各种领域和处理。消除扁平过滤器会增加剂量率,并降低平均能量,头部泄漏和侧向散射,所有这些都已证明对专门的治疗程序有益[1,2]。没有光束硬化效应是由于将光束转化为FFF梁而导致的,因此去除了变平滤波器。再次取决于场的大小,Virgin Bremsstrahlung梁的百分比深度剂量模式略有减小。这些原因有两个原因:(i)FFF梁的剂量/脉冲诱导的光子能量的增加; (ii)与
摘要:我们使用环境异常校正的电子显微镜在一系列氧气压力的氧化气环境中,在氧化气环境中能量电子在氧化气环境中的影响下,在氧化气环境中能量电子在氧化气环境中的损伤阈值和途径上提出了前所未有的结果。我们观察到损伤的级联反应,该过程抵抗损害,直到与碳纳米管相比,较高的电子剂量,启动了无缺陷的BNNT侧壁,并通过从结晶纳米管转换为从结晶纳米管转换为无定形的硼氮化物(bn),均可抵抗氧化。我们将碳纳米管氧化的先前结果进行比较,并提出了将两种情况下损害发作的模型归因于物理氧气层,从而降低了损害发作的阈值。出乎意料的是,升高的温度可提供防止损害的保护,电子剂量率显着超过了氧剂量率,而我们的模型将两种影响都归因于物理氧气人群。
Druckrey 等人的经典实验描述了两个基本现象:即使最小剂量0.05mg/kg也会导致T50%的肿瘤发生率,即50%的测试动物携带至少一个肿瘤。因此,T50% 不是累积总剂量的函数,但是剂量率越小,T50% 发生的潜伏期就越长。在最小剂量率下,测试动物物种的自然寿命(大鼠约为 1000 天)变得有限,即动物甚至在有机会达到 T50% 之前就死亡了。这也清楚地说明了动物实验中的外推问题。如果在普通实验动物中以小剂量(与环境相关)测试致癌物,这并不一定意味着预期寿命较长的物种(例如人类,85 岁)在相同暴露下不会形成肿瘤。这种现象还解释了为什么近几十年来人类某些肿瘤的发病率有所增加:由于各种死亡原因(如传染病)的消除,预期寿命的增加增加了致癌物质暴露以癌症形式表现出来的概率。另一方面,由于含有诱发因素(亚硝胺)的饮食负荷减少,人类某些类型的肿瘤呈现下降趋势(例如胃粘膜肿瘤)。
摘要 日本政府已批准硼中子俘获疗法 (BNCT) 用于治疗无法切除的、局部晚期和复发性头颈部癌,自 2020 年 6 月起可在国家健康保险报销。住友重工业株式会社 (Sumitomo) 开发了一种用于临床 BNCT 的新型治疗计划系统 NeuCure® Dose Engine。为了将该系统安全地用于临床,将水模内的模拟中子通量和伽马射线剂量率与实验测量值进行了比较。此外,为了验证和确认新的计划系统,将拟人头部模型内的剂量分布与 BNCT 治疗计划系统 SERA 和内部开发的蒙特卡罗剂量计算程序进行了比较。模拟结果与实验结果非常吻合,热中子通量在 5% 以内,伽马射线剂量率在 10% 以内。头部模型内的剂量分布与 SERA 和内部开发的剂量计算程序非常接近,肿瘤的剂量分布在 3% 以内,脑部的剂量分布在 0.3 Gy w 以内。关键词:硼中子俘获治疗,治疗计划系统,调试,蒙特卡罗模拟
测试方法 方法编号环境测试 1001 气压,降低(高海拔操作) 1002 浸没 1003 绝缘电阻 1004.7 防潮性 1005.10 稳态寿命 1006 间歇寿命 1007.1 约定寿命 1008.2 稳定烘烤 1009.8 盐雾环境(腐蚀) 1010.9 温度循环 1011.9 热冲击 1012.1 热特性 1013 露点 1014.15 密封 1015.11 老化测试 1016.2 寿命/可靠性特性测试 1017.3 中子辐照 1018.7 内部气体分析 1019.9 电离辐射(总剂量)测试程序 1020.1 剂量率诱发闩锁测试程序1021.3 数字微电路的剂量率翻转测试 1022 场效应晶体管 (Mosfet) 阈值电压 1023.3 线性微电路的剂量率响应 1030.2 封装前老化 1031 薄膜腐蚀测试 1032.1 封装引起的软错误测试程序(由阿尔法粒子引起) 1033 耐久性测试 1034.2 芯片渗透测试(针对塑料设备) 机械测试 2001.4 恒定加速度 2002.5 机械冲击 2003.12 可焊性 2004.7 引线完整性 2005.2 振动疲劳 2006.1 振动噪声 2007.3 振动,变频 2008.1 视觉和机械 2009.12 外部视觉 2010.14 内部视觉(单片) 2011.9 键合强度(破坏性键拉力试验) 2012.9 射线照相术 2013.1 DPA 内部目视检查 2014 内部视觉和机械 2015.14 耐溶剂性 2016 物理尺寸 2017.11 内部视觉(混合) 2018.6 金属化扫描电子显微镜 (SEM) 检查 2019.9 芯片剪切强度 2020.9 粒子撞击噪音检测测试
测试方法 方法编号环境测试 1001 气压,降低(高海拔操作) 1002 浸没 1003 绝缘电阻 1004.7 防潮性 1005.9 稳态寿命 1006 间歇寿命 1007.1 约定寿命 1008.2 稳定烘烤 1009.8 盐雾环境(腐蚀) 1010.8 温度循环 1011.9 热冲击 1012.1 热特性 1013 露点 1014.14 密封 1015.10 老化测试 1016.2 寿命/可靠性特性测试 1017.3 中子辐照 1018.7 内部气体分析 1019.9 电离辐射(总剂量)测试程序 1020.1 剂量率诱发闩锁测试程序1021.3 数字微电路的剂量率翻转测试 1022 场效应晶体管 (Mosfet) 阈值电压 1023.3 线性微电路的剂量率响应 1030.2 封装前老化 1031 薄膜腐蚀测试 1032.1 封装引起的软错误测试程序(由阿尔法粒子引起) 1033 耐久性测试 1034.1 芯片渗透测试(针对塑料设备) 机械测试 2001.3 恒定加速度 2002.5 机械冲击 2003.11 可焊性 2004.7 引线完整性 2005.2 振动疲劳 2006.1 振动噪声 2007.3 振动,变频 2008.1 视觉和机械 2009.11 外部视觉 2010.14 内部视觉(单片) 2011.9 键合强度(破坏性键拉力试验) 2012.9 射线照相术 2013.1 DPA 内部目视检查 2014 内部目视和机械 2015.14 耐溶剂性 2016 物理尺寸 2017.10 内部目视(混合) 2018.6 金属化扫描电子显微镜 (SEM) 检查 2019.9 芯片剪切强度 2020.9 粒子撞击噪音检测测试
测试方法 方法编号环境测试 1001 气压,降低(高海拔操作) 1002 浸没 1003 绝缘电阻 1004.7 防潮性 1005.10 稳态寿命 1006 间歇寿命 1007.1 约定寿命 1008.2 稳定烘烤 1009.8 盐雾环境(腐蚀) 1010.9 温度循环 1011.9 热冲击 1012.1 热特性 1013 露点 1014.15 密封 1015.11 老化测试 1016.2 寿命/可靠性特性测试 1017.3 中子辐照 1018.7 内部气体分析 1019.9 电离辐射(总剂量)测试程序 1020.1 剂量率诱发闩锁测试程序1021.3 数字微电路的剂量率翻转测试 1022 场效应晶体管 (Mosfet) 阈值电压 1023.3 线性微电路的剂量率响应 1030.2 封装前老化 1031 薄膜腐蚀测试 1032.1 封装引起的软错误测试程序(由阿尔法粒子引起) 1033 耐久性测试 1034.2 芯片渗透测试(针对塑料设备) 机械测试 2001.4 恒定加速度 2002.5 机械冲击 2003.12 可焊性 2004.7 引线完整性 2005.2 振动疲劳 2006.1 振动噪声 2007.3 振动,变频 2008.1 视觉和机械 2009.12 外部视觉 2010.14 内部视觉(单片) 2011.9 键合强度(破坏性键拉力试验) 2012.9 射线照相术 2013.1 DPA 内部目视检查 2014 内部目视和机械 2015.14 耐溶剂性 2016 物理尺寸 2017.11 内部目视(混合) 2018.6 金属化扫描电子显微镜 (SEM) 检查 2019.9 芯片剪切强度 2020.9 粒子撞击噪音检测测试