5 低功耗蓝牙协议栈 ................................................................................................................ 27 5.1 概述 .............................................................................................................................. 27 5.2 通用访问配置文件 (GAP) ........................................................................................................ 27 5.2.1 概述 ...................................................................................................................... 27 5.2.2 GAP 抽象 ...................................................................................................................... 31 5.2.3 配置 GAP 层 ............................................................................................................. 31 5.3 GAPRole 任务 ............................................................................................................. 32 5.3.1 外围角色 ............................................................................................................. 32 5.3.2 中央角色 ............................................................................................................. 35 5.4 间隙绑定管理器 (GAPBondMgr) ............................................................................................. 37 5.4.1 低功耗蓝牙安全概述 ............................................................................................. 37 5.4.2 使用 GapBondMgr 配置文件 ............................................................................................. 38 5.4.3 各种安全模式的 GAPBondMgr 示例 ...................................................................................... 40 5.5 通用属性配置文件 (GATT) ...................................................................................................... 45 5.5.1 GATT 特性和属性 ...................................................................................................... 45 5.5.2 GATT 服务和配置文件 ................................................................................................ 46 5.5.3 GATT 客户端抽象 ...................................................................................................... 48
摘要:在电子处理系统中,二进制数的加法是一项基本运算。通过分析并与其他传统加法器进行比较,展示了一位低功耗混合全加器的性能改进。与其他传统全加器电路相比,1 位低功耗混合全加器被认为是提高电路速度的好方法。在该分析论文中,使用 EDA 工具实现了一位低功耗混合全加器,并使用通用 90nm CMOS 技术在 5 伏电压下进行了仿真分析,并在各种电压下与其他传统全加器进行了比较。为了将 1 位低功耗混合全加器与其他传统加法器在各种参数(例如静态和动态功耗、延迟和 pdp(功率延迟积))下的比较,考虑了 1 位低功耗混合全加器最适合各种低功耗应用。
5 电气特性参数 ........................................................................................................................... 7 5.1 绝对最大额定值 ........................................................................................................... 7 5.2 直流电特性 ................................................................................................................... 7 5.3 RF 性能 .......................................................................................................................... 8
目的。脑机接口 (BMI) 具有恢复运动功能的潜力,但目前受到电极数量和长期记录稳定性的限制。如果在扩展到数千个微尘时能够将功耗保持在安全水平内,那么这些挑战可以通过使用自由浮动的“微尘”以无线方式传输记录的神经信号来解决。在这里,我们评估了一种用于基于红外 (IR) 微尘的脉冲间隔调制 (PIM) 通信方案,旨在降低无线数据速率和系统功耗。方法。为了测试 PIM 有效传递神经信息的能力,我们在非人类灵长类动物的实时闭环 BMI 中模拟了该通信方案。此外,我们对基于 IR 的 1000 个微尘系统进行了电路模拟,以计算通信准确性和总功耗。主要结果。我们发现每通道 1kb/s 的 PIM 与真实发放率保持很强的相关性,并且与传统有线系统的在线 BMI 性能相匹配。闭环 BMI 测试表明,最小 30 毫秒的滞后可能会对性能产生重大影响。最后,与其他 IR 通信方案不同,PIM 在功率方面是可行的,并且可以使用 3mW 的功率在 1000 个通道的接收器上准确恢复神经数据。意义。这些结果表明,基于 PIM 的通信可以显著降低无线微尘的功耗,从而为高性能 BMI 提供更高的通道数。
5. 瑞萨电子产品根据以下两个质量等级进行分类:“标准”和“高质量”。每种瑞萨电子产品的预期用途取决于产品的质量等级,如下所示。 “标准”: 计算机;办公设备;通信设备;测试和测量设备;视听设备;家用电器;机床;个人电子设备;工业机器人;等等。 “高质量”: 运输设备(汽车、火车、轮船等);交通控制(交通信号灯);大型通信设备;关键金融终端系统;安全控制设备;等。除非在瑞萨电子数据表或其他瑞萨电子文件中明确指定为高可靠性产品或适用于恶劣环境的产品,否则瑞萨电子产品不适用于或未获授权用于可能对人类生命或身体伤害造成直接威胁的产品或系统(人工生命支持设备或系统;手术植入等),或可能导致严重财产损失(太空系统;海底中继器;核电控制系统;飞机控制系统;关键工厂系统;军事装备等)。对于您或任何第三方因使用与任何瑞萨电子数据表、用户手册或其他瑞萨电子文件不一致的任何瑞萨电子产品而遭受的任何损害或损失,瑞萨电子不承担任何责任。
摘要 - 为了开发环境友好且能量良好的数据中心,谨慎地利用现场可再生资源(如太阳能和风)。数据中心部署分布式UPS系统,以提高UPS系统的效率,可扩展性和可靠性,从而处理可再生能源的间歇性质。我们提出了一个名为Redux的可再生能源经理(1)提供了一种智能的方式来管理由电网和可再生能源提供支持的数据中心的能源供应,并且(2)在能源成本和系统性能之间保持理想的平衡。为了实现这一总体目标,Redux明智地协调分配UPS设备(即充值或排放)以分配能源资源时,当(1)网格价格处于低状态或高州或(2)可续签的能源发电率低或发光水平。REDUX不仅可以保证每日工作量条件的稳定运行,而且还可以通过改善功率资源利用来减少数据中心的能源成本。与现有策略相比,Redux证明了减轻平均峰值工作负荷和促进可再生能源利用率的显着能力。
摘要 本文介绍了一种高增益运算跨导放大器结构。为了实现具有改进的频率响应的低压操作,在输入端使用体驱动准浮栅 MOSFET。此外,为了实现高增益,在输出端使用改进的自共源共栅结构。与传统的自共源共栅相比,所用的改进的自共源共栅结构提供了更高的跨导,这有助于显著提高放大器的增益。改进是通过使用准浮栅晶体管实现的,这有助于缩放阈值,从而增加线性模式晶体管的漏极-源极电压,从而使其变为饱和状态。这种模式变化提高了自共源共栅 MOSFET 的有效跨导。与传统放大器相比,所提出的运算跨导放大器的直流增益提高了 30dB,单位增益带宽也增加了 6 倍。用于放大器设计的 MOS 模型采用 0.18µm CMOS 技术,电源为 0.5V。
摘要 本文的目的是使用逻辑门和 CMOS 逻辑设计一个 16:1 多路复用器。在本研究中,我们研究了 16:1MUX 的延迟和功率调制。这表明 CMOS 技术处于领先地位,因为它使用的晶体管数量更少、电容更少、速度更快。在本研究中,我们进行了比较工作并得到了模拟结果,结果说明了 CMOS 逻辑设计的优越性,并且功耗和延迟非常低。使用 Synopsys 工具 HSPICE 在 32 nm BSIM 4 模型卡下对 PTM 模型的块状 CMOS 技术进行了模拟,并检查了不同电压下的结果。最小和最大延迟和功耗结果分别为 68.82ps、92.16ps 和 103.96µW、1471.4µW。我们在多路复用器中获得的总晶体管数量为 282,这是模拟的,我们使用名为 HSPICE 的高级工具获得了 MUX 的输出波形,它们在结果部分中表示出来。关键词:多路复用器、2×1 多路复用器、4×1 多路复用器、8×1 多路复用器、16×1 多路复用器、延迟、功耗
由于 CMOS 的缩放,这些设备的局限性引发了对替代纳米设备的需求。提出了各种设备,如 FinFET、TFET、CNTFET。其中,FinFET 成为最有前途的设备之一,由于其在纳米范围内的低泄漏,它可以替代 CMOS。如今,电子设备在电池消耗方面更加紧凑和高效。由于 CMOS 的缩放限制,CMOS SRAM 已被 FinFET SRAM 取代。已经有两个 FinFET SRAM 单元,它们具有高功率效率和高稳定性。已经对这些单元进行了性能比较,以分析泄漏功率和静态噪声容限。这些单元的模拟是在 20 nm FinFET 技术下进行的。经分析,改进的 9T SRAM 单元的写入裕度实现了 1.49 倍的改进。读取裕度也显示出比本文中比较的现有单元有显著的改善。对于所提出的 0.4 V SRAM 单元,发现保持裕度更好。栅极长度已经改变,以发现栅极长度对读取裕度的影响。
1 产品概述 ................................................................................................................................................ 3 2 模块特点 ................................................................................................................................................ 3 3 电气特性 ................................................................................................................................................ 4 4 模块功能描述 ............................................................................................................................................ 4 5 应用框图 ................................................................................................................................................ 5 6 模块引脚说明 ............................................................................................................................................. 5