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微电子电路
Multisim 和 National Instruments 是 National Instruments 的商标。Sedra/Smith 微电子电路第七版一书是牛津大学出版社的产品，而非 National Instruments Corporation 或其任何附属公司的产品，牛津大学出版社对 Sedra/Smith 一书及其内容负全部责任。牛津大学出版社、Sedra/Smith 一书以及牛津大学出版社提供的任何书籍和其他商品和服务均非 National Instruments Corporation 或其任何附属公司的官方出版物，它们与 National Instruments Corporation 或其任何附属公司无任何关联、认可或赞助。
微电子可靠性
重引线键合是高功率电子制造中最常见的互连技术之一。对于工业应用，这些连接的长期可靠性至关重要。除了选择引线材料和环几何形状本身之外，环形成工艺参数也会影响引线键合的可靠性。在这项工作中，系统地研究了引线键合过程中键合头向后移动对引线键合连接质量的影响，并通过循环机械寿命测试、激光共聚焦显微镜对跟部区域的表面粗糙度测量和静态拉伸测试进行了鉴定。引线键合环由具有不同硬度值的 300 μm 铝 H11 和 H14CR 线制成。通过分别在 5 Hz 和 60 kHz 下运行的两种不同的机械循环测试方法确定了低频循环和高频循环模式下的寿命。结果表明，环形成过程中初始塑性变形引起的跟部区域的表面拓扑对由于跟部开裂而导致的引线键合失败有显著影响。在低频和高频循环范围内的所谓起皱分析中，失效前的负载循环次数与表面粗糙度呈反比关系。软线与硬线相比，根据测试条件表现出不同的使用寿命，而在所有情况下，当键合过程中反向运动 > 30 % 时，使用寿命会显著缩短。
微电子工程
将通过区域选择性气相渗透 (VPI) 将三甲基铝渗透到聚（2-乙烯基吡啶）中制备的 5 纳米氧化铝薄膜的生长化学和电性能与传统的等离子体增强原子层沉积 (PEALD) 工艺进行了比较。通过能量色散 X 射线光谱和硬 X 射线光电子能谱测量评估了化学性质，同时进行了电流 - 电压电介质击穿和电容 - 电压分析，首次提供了这些薄膜的电信息。评估了通过聚合物 VPI 形成电介质的成功和挑战、吡啶在这种角色中的兼容性以及独特快速的接枝聚合物刷方法在形成相干金属氧化物方面的能力。结果发现，在 200 到 250 ◦ C 之间的温度下制备的 VPI 氧化铝具有一致的击穿电场，性能最佳的器件的 к 值为 5.9。结果表明，VPI 方法可以生成具有与传统 PEALD 生长薄膜相当的介电性能的氧化铝薄膜。
桑德斯微电子
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