机构名称：
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将通过区域选择性气相渗透 (VPI) 将三甲基铝渗透到聚（2-乙烯基吡啶）中制备的 5 纳米氧化铝薄膜的生长化学和电性能与传统的等离子体增强原子层沉积 (PEALD) 工艺进行了比较。通过能量色散 X 射线光谱和硬 X 射线光电子能谱测量评估了化学性质，同时进行了电流 - 电压电介质击穿和电容 - 电压分析，首次提供了这些薄膜的电信息。评估了通过聚合物 VPI 形成电介质的成功和挑战、吡啶在这种角色中的兼容性以及独特快速的接枝聚合物刷方法在形成相干金属氧化物方面的能力。结果发现，在 200 到 250 ◦ C 之间的温度下制备的 VPI 氧化铝具有一致的击穿电场，性能最佳的器件的 к 值为 5.9。结果表明，VPI 方法可以生成具有与传统 PEALD 生长薄膜相当的介电性能的氧化铝薄膜。
微电子工程
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