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单个磁体中存在较大的异常单向磁阻
(10 -5 ) 钴铁硼 10 50 5 6.67 14.60 175.01 55.64 77.63 3.68 钴铁硼 5 50 5 8.46 29.48 384.88 64.82 135.41 3.22 钴铁硼 5 50 10 4.56 17.88 108.74 75.02 27.16 1.31 钴铁硼 * 5 50 10 4.65 14.77 78.57 87.39 9.91 0.53 钴铁硼 5 100 10 8.95 15.40 197.38 69.82 59.57 1.43 镍铁 10 50 5 8.72 2.66 10.78 215.17 -12.42 -1.95 镍铁 2.5 50 5 9.15 35.98 148.76 221.25 -180.37 -3.91 镍铁 2.5 50 10 4.58 27.30 54.35 230.17 -70.75 -3.02
具有复合源极-...的单向 p-GaN 栅极 HEMT
硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT) 以其低成本、大面积应用等优势在功率器件应用领域引起了广泛关注 [1]。近年来，双向开关在轧机、电梯、风力发电等许多工业双向功率转换应用中备受青睐。此外，常闭单向 HEMT 是实现高性能双向开关的重要器件 [2,3]。常闭单向 HEMT 通常通过在 HEMT 的漏极中嵌入肖特基势垒二极管 (SBD) 来实现。目前已经采用了氟注入或金属氧化物半导体技术。然而，在常闭单向 HEMT 中尚未见具有良好阈值电压 (V th ) 可控性和稳定性的 p-GaN 栅极技术 [4] 的报道。此外，凹陷式肖特基漏极[5]和场板技术[6]可以为实现具有小开启电压（V on ）、高击穿电压（BV）和良好动态性能的单向HEMT提供相关参考。本研究通过实验证明了一种具有凹陷肖特基漏极和复合源漏场板的单向p-GaN HEMT（RS-FP-HEMT）。研究并揭示了漏极电压应力对动态性能的影响。实验。图1（a）和（b）分别显示了传统的带欧姆漏极的p-GaN HEMT（C-HEMT）和提出的RS-FP-HEMT的示意横截面结构。这两个器件都是在GaN-on-Si晶片上制造的。外延结构由 3.4 µ m 缓冲层、320 nm i-GaN 沟道层、0.7 nm AlN 中间层、15 nm Al 0.2 Ga 0.8 N 阻挡层和 75 nm p-GaN 层（Mg 掺杂浓度为 1 × 10 19 cm −3）组成。器件制造首先通过反应离子刻蚀 (RIE) 形成 p-GaN 栅极岛。然后，蒸发 Ti/Al/Ni/-Au 金属堆栈并在 N 2 环境中以 850 ◦C 退火 30 秒。形成凹陷的肖特基漏极
通过对称性破缺实现单向 skyrmion 运动......
通过破坏势能壁垒的对称性 Dae-Han Jung、Hee-Sung Han、Namkyu Kim、Ganghwi Kim、Suyeong Jeong、Sooseok Lee、
有向网络中单向依赖簇与簇同步稳定性
耦合振荡器网络中的集群同步是科学界广泛关注的课题，其应用范围从神经网络到社交网络、动物网络和技术系统。这些网络大多是有向的，信息或能量流从给定节点单向传播到其他节点。然而，集群同步方面的大多数工作都集中在无向网络上。这里我们描述了一般有向网络中的集群同步。我们的第一个观察结果是，在有向网络中，节点集群 A 可能单向依赖于另一个集群 B：在这种情况下，只要 B 稳定，A 可能保持同步，但反之则不成立。本文的主要贡献是一种将集群稳定性问题转化为不可约形式的方法。通过这种方式，我们将原始问题分解为最低维的子问题，这使我们能够立即检测到集群之间的相互依赖关系。我们将分析应用于两个感兴趣的例子：一个小提琴演奏者组成的人类网络演奏一首乐曲，音乐家可以激活或停用该乐曲的定向交互；以及具有定向层到层连接的多层神经网络。
单向量子通信的直接乘积定理
其中 Q1ε(f)表示最坏情况误差为ε的f的单向纠缠辅助量子通信复杂度，fk表示f的k个并行实例。据我们所知，这是第一个用于一般关系量子通信复杂度的直接积定理——直接和定理以前仅用于一般关系的单向量子协议，而直接积定理仅在特殊情况下为人所知。我们的技术受到Jain、Pereszlényi 和Yao [ 24 ]提出的乘积分布下的双人非局部博弈中纠缠值的并行重复定理，以及Bavarian、Vidick 和Yuen [ 4 ]提出的锚定分布下的并行重复定理，以及Jain、Radhakrishnan 和Sen [ 29 ]提出的量子协议消息压缩的启发。具体来说，我们证明了对于 X × Y 上任意锚定在一侧的分布 q 下，f 的分布单向量子通信复杂度的直积定理成立，即存在 ay ∗ 使得 q(y ∗) 为常数，且对于所有 x ，q(x|y ∗)=q(x)。这使我们能够证明一般分布的直积定理，因为对于任何关系 f 及其输入上的任何分布 p，我们可以定义一个修改的关系 ˜ f ，它具有接近于 p 的锚定分布 q，使得对于 ˜ f 在 q 下失败的概率最多为 ε 的协议可以用来给出对于 f 在 p 下失败的概率最多为 ε + ζ 的协议。我们的技术也适用于纠缠的非局部博弈，这些博弈的输入分布锚定在任意一侧，即，要么存在前面指定的 ay∗，要么存在一个 x∗，使得 q(x∗) 为常数，且对所有 y 都有 q(y|x∗)=q(y)。具体来说，我们表明，对于任何博弈 G=(q,X×Y,A×B,V)，其中 q 是 X×Y 上的分布，锚定概率为常数，锚定在任意一侧，则
高度均匀的气体量子点，在电信范围内与间接 - 单向带频率交叉
我们通过填充液滴蚀刻的纳米霍尔斯，基于嵌入单晶Algasb矩阵中的煤气量点（QD）（QD）展示了一种新的量子限制的半导体材料。液滴介导的生长机制允许形成非经典单QD光源所需的低QD密度。光致发光（PL）实验表明，在电信波长下，燃气QD具有间接的单向频率跨度。这是由于受纳米结构尺寸控制的量子限制的结果，导致导带中γ和L阀的比对。我们表明，在接近1.5μm波长的直接带隙状态下，GASB QD具有I型频带对齐，并且具有狭窄的光谱线的激发量发射，并且由于高材料质量和尺寸均匀性，因此具有狭窄的光谱线和非常低的PL发射不均匀扩展。这些特性在红外量子光学和量子光子整合的应用方面非常有前途。
AL4.5WT％CU合金的重结晶研究在传统上和单向上
AL4.5WT％CU是一种航空和汽车合金，在产业中广泛用于结构目的。这项工作的目的是评估AL4.5WT％Cu合金，常规和单向的两个不同的固化过程及其重结晶过程。首先，AL4.5WT％Cu合金被冷旋转锻造变形，然后在250至450°C的温度下处理热量。在54％，76％和91％的面积减少后获得了用于分析的样品。进行了光学显微镜，扫描电子显微镜和Vickers显微硬度的测试，以评估重结晶过程。结果表明，重结晶始于350ºC，因为传统样品在5分钟后呈现了完全的重结晶，而单向样品仅呈现部分再结晶。通常，对所有进行的所有分析都呈现出相似的结果。
电池电动汽车超快充电器的单向电压转换器
自动工作机器的大容量蝙蝠快速充电的基础设施是其在行业中广泛使用的重要因素。缺乏空气污染，安静的操作和有限的环境加热是能够使用许多行业中电池中积累的能量动力的移动机器的基本功能。快速电池充电站在工作场所工作场所周围环境中的位置减少了充电电池所需的时间。可以预期，由内燃机，农业和许多其他繁重的工作场所的人和经典机器的参与将被电动自动驾驶机器取代。电池供电的电动机符合Strin-Gent生态要求，安全性和无人值守的操作。即使在家用电器中，人工智能和机器学习算法也已经发现了控制工作机。
PVDF静电纺丝技术及其单向水/水分传输性能
定向流体转运对自然界的许多物理过程具有重要意义。如何通过人造材料操纵这一过程仍然是科学家的关键挑战。在这项研究中，Janus织物是通过电钉在螺栓或纱布上的一层聚偏氟化物（PVDF）纳米纤维来构建的。Janus织物两侧的化学组成，形态和表面润湿性的特征是红外光谱，扫描电子显微镜（SEM）和接触角度测量。通过控制PVDF静电纺丝时间，测量了具有不同PVDF厚度的Janus织物的最大静水站。发现PVDF/Gauze对单向水转运更有利，并且水分也可以从疏水侧转移到脑电侧。凭借便捷制备，低成本和单向水/水分传输的优势，可以将本研究中准备的Janus织物用于水分间隔，湿度转移和从空中收集水。