新一代微型超高灵敏度原子磁强计正在开发中,并已集成到军事系统中。这些新系统整合了微机电系统、原子物理学、光学、电磁学和数据采集方法方面的进步,在总磁场灵敏度方面实现了创纪录级别的性能,同时实现了尺寸、重量和功率的大幅降低。非常小规模的传感器(大约几立方厘米)已在标量和矢量模式下进行了演示,并集成到各种国防应用的设计中。我们工作的重点是将这些传感器实际集成到操作平台中。在工作环境中使用这些传感器有许多意义,例如优化信噪比、检测概率和误报缓解。为各种军事目标检测、定位和特性描述任务开发可在地球磁场中有效运行的传感器模块和平台的挑战是巨大的。我们研究平台和环境噪声的缓解以及传感器阵列和相关数据采集系统的开发。除了建模和模拟之外,还通过初步实验数据研究了传统低频磁力仪的变化和增强。特别是,我们讨论了传感器控制、目标地理定位和数据处理的独特部署概念。重点放在针对平台子集(小型无人地面、无人海底和无人驾驶飞行器)和感兴趣的目标定制的具有特定带宽灵敏度的原型上。应用包括海底和地下威胁检测配置 - 特别是与固定或移动爆炸物和紧凑金属目标(如弹药、简易威胁装置、潜艇和其他危险物体)相关的配置。我们展示了微型磁传感器的当前和未来特性的潜力,包括非常高的磁场灵敏度、带宽选择性、源场控制和阵列处理。
增加受控原子和量子比特的数量的必要先决条件是允许应用相应数量信号的微结构,例如B.通过整合微波线路。这是通过叠加结构实现的,类似于多层电路板。 PTB 结构由一组厚金属导体层组成,这些层彼此通过电介质隔开,并通过通孔选择性地相互连接。原则上,金属层的数量是不受限制的,因为每一层都具有高度精确的整体平面化。该工艺仅使用符合环境超高真空对原子和离子捕获的严格要求以及低温操作的材料;此外,该结构的高频特性非常优异。
引领实用聚变能源之路 自原子时代来临以来,通用原子公司一直站在聚变科学和技术创新的前沿。通过与政府和工业界的长期合作,通用原子公司为全球的研究项目提供服务和专有聚变技术 - 从集成等离子体控制系统到独一无二的诊断仪器。如今,通用原子公司正在运用其在运营、研究和开发方面数十年的专业知识,在 2030 年代打造一个可靠且具有成本竞争力的聚变试验工厂。
假设电子坐标是独立于核坐标扩张的,则可以使用复合尺度方法来计算出生 - 脑海体近似内的分子共振。使用这种方法,将计算非铁官哈密顿量的复杂能量,其实际部分与共振位置和虚构部分有关,是寿命的倒数。在这项研究中,我们提出了模拟量子计算机上共振的技术。首先,我们将缩放的分子哈密顿量转化为第二量化,然后使用约旦 - 王室转换将缩放的哈密顿量转化为Qubit空间。为了获得复杂的特征值,我们引入了直接的测量方法,该方法用于获得简单的一维模型电位的共振,该模型具有与二离子分子相似的预隔离共振。最后,我们应用了该方法来模拟H -2分子的共振。IBM Qiskit模拟器和IBM量子计算机的数值结果验证了我们的技术。
通过 ALD 循环次数可以实现区域选择性沉积 (ASD)。然而,对薄膜生长的横向控制,即区域选择性沉积 (ASD),对于 ALD 来说要困难得多。尤其微电子应用需要 ASD 来满足制造要求,因为关键特征尺寸缩小到纳米级,而且通过自上而下的光刻方法进行图案化变得越来越具有挑战性。[2,3] 光刻掩模需要以纳米级精度对准,即使是最轻微的掩模错位也必然会导致边缘位置误差 (EPE)。在 ALD 中实现 ASD 的传统方法可分为三大类:1) 非生长区域钝化;2) 生长区域的活化;3) 使用固有选择性沉积化学。在类别 (1) 中,非生长区域用钝化自组装单分子层 (SAM) 或聚合物膜进行功能化。 [4,5] 通常,当前体吸附在非理想组装或部分降解的 SAM 上时,会发生选择性损失。吸附在 SAM 上的前体分子作为后续前体剂量的反应位点,从而丧失选择性。[2] 在下一个处理步骤之前,还必须完全去除钝化层。在类别 (2) 中,生长区域表面在 ASD 之前进行功能化,以实现薄膜生长。[6–7] 然后,薄膜仅沉积在功能化表面上,而其他区域保持清洁。这种方法规定了非生长和功能化生长表面上的薄膜成核的明显对比。因此,它主要限于金属 ALD 工艺,因为金属表面比其他表面更容易成核。此外,需要仔细控制剂量以维持生长选择性。由于 ASD 的活化层被 ALD 膜掩埋,因此下一个处理步骤可以直接进行。在类别 (3) 中,即固有选择性 ALD,选择性完全由前体与基底上不同材料表面之间的反应决定。在正在制造的薄膜器件结构表面上,不同的材料暴露于 ALD 前体,但薄膜仅生长在某些优选材料上,从而定义生长区域。这是真正的自下而上的处理,将整体图案化步骤减少到最低限度。由于图案自对准,因此排除了 EPE。出于这些原因,(3) 是 ASD 的一个非常有吸引力的选择,但控制表面化学以在几个 ALD 循环中保持 ASD 极具挑战性。因此 (3) 主要限于金属的 ASD。[8–9]
“当我们进入非常非常小的世界时——比如说七个原子组成的电路——我们会发现很多新事物,它们代表着全新的设计机会。小尺度上的原子的行为与大尺度上的原子不同,因为它们满足量子力学定律……”
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https://www.hackerearth.com/blog/developers/charles-babbage-computer-history-computer-programming-part-1/
光子作为信息载体,使得使用线性光学装置实现单量子比特门成为可能,但由于光子之间不直接相互作用,因此纠缠操作的设计很难实现。有一种流行的 KLM 方案 [1],其中使用测量作为替代相互作用及其改进版本 [2, 3] 与隐形传态,这大大提高了效率,并且该方案还有许多用于原子的选项(例如,参见 [4])。然而,在实验中使用经典概率方案对单粒子量子门的效率提出了更高的要求,至少在理论上是可能的。使用经典概率掩盖了量子计算机的主要问题:相干性如何在不同粒子的复杂系统中体现?
增加受控原子和量子比特的数量的一个基本前提是允许应用相应量信号的微结构,例如B.通过整合微波线路。这是通过叠加结构实现的,类似于多层电路板。 PTB 结构由一组厚金属导体层组成,这些层彼此通过电介质隔开,并通过通孔选择性地相互连接。原则上,金属层的数量是不受限制的,因为每一层都具有高度精确的整体平面化。该工艺仅使用符合环境超高真空对原子和离子捕获的严格要求以及低温操作的材料;此外,该结构的高频特性非常优异。