双层 (DD) 系列层压板的特点是参数化层压板描述 [± 𝜑, ± 𝜓 ] 𝑟𝑇 。DD 为航空航天层压板带来了显著优势,因为层压板构建块架构的独特组合简化了制造过程,尤其是层压板优化。DD 消除了传统层压板中复杂的排列问题,通过局部改变重复次数 𝑟 ,可以轻松调整刚度。本文提出了一种针对层压板强度的 DD 层压板优化方案,该方案侧重于安全层压板识别的稳健性。该方案适用于多载荷场景,每个载荷由五个单独的载荷组成。将主应变包裹的荨麻圈失效与 DD 特征相结合,可以得到一个相当简单的优化方案,并附上有意义的说明,本文将对此进行介绍。
高能量密度固态电池需要高面积容量的阴极。在这里,我们展示了一种用于循环 3-6 mAh/cm 2 NMC811 复合阴极的双层聚合物电解质设计。双层电解质包括交联 PEO 基电解质层和线性 PEO 基电解质层。前者提供抗枝晶性,后者在循环过程中提供与阴极的无缝界面。使用单层膜会导致第一次循环中严重短路或极低的库仑效率 (CE)。面向锂阳极的刚性抑制枝晶的电解质和确保在循环过程中与阴极接触的更柔软的阴极集成电解质的一般概念可能为实现高能量密度阴极提供一种模式。
摘要:研制了一种基于硅芯片的双层三维螺线管电磁动能收集器,可高效将低频(<100 Hz)振动能转化为电能。利用晶圆级微机电系统 (MEMS) 制造形成金属铸造模具,然后采用随后的铸造技术将熔融的 ZnAl 合金快速(几分钟内)填充到预先微加工的硅模中,在硅片中制作 300 匝螺线管线圈(内螺线管或外螺线管均为 150 匝),以便锯切成芯片。将圆柱形永磁体插入预蚀刻的通道中,以便在外部振动时滑动,该通道被螺线管包围。收集器芯片的尺寸小至 10.58 mm × 2.06 mm × 2.55 mm。螺线管的内阻约为 17.9 Ω。测得的最大峰峰值电压和平均功率输出分别为 120.4 mV 和 43.7 µ W 。电磁能量收集器的功率密度有很大的提高,为 786 µ W/cm 3 ,归一化功率密度为 98.3 µ W/cm 3 /g 。实验验证了电磁能量收集器能够通过步行、跑步和跳跃等各种人体运动来发电。晶圆级制造的芯片式螺线管电磁收集器在性能均匀、尺寸小和体积大的应用方面具有优势。
先进晶圆级封装的一个重要方面是使用临时晶圆键合 (TWB) 材料和工艺,使部分处理过的晶圆即使在极高的温度和高真空条件下也能承受各种后续步骤。如果要求他们描述能够节省时间和金钱同时保持最佳性能的“理想” TWB 材料解决方案,许多制造商会要求使用可以在室温下应用和键合的材料,并且可以在热压键合 (TCB) 步骤中操作减薄晶圆时提供保护。这些材料还应具有足够的柔韧性,以支持不同的固化选项,同时保持设备功能的完整性。同时,材料应能够使用各种分离技术将减薄晶圆从载体上分离。
摘要:已经进行了大量研究来从各个方面提高基于运动想象的脑机接口 (BCI) 分类性能。然而,在客观和主观数据集上比较他们提出的特征选择框架性能的研究有限。因此,本研究旨在提供一种新颖的框架,该框架将不同频带的空间滤波器与双层特征选择相结合,并在已发布和自获取的数据集上对其进行评估。对脑电图 (EEG) 数据进行预处理并将其分解为多个频率子带,然后根据 Fisher 比率和最小冗余最大相关性 (mRmR) 算法提取、计算和排序其特征。通过线性判别分析 (LDA) 选择信息滤波器组进行最佳分类。研究结果首先表明,所提出的方法在准确性和 F1 分数方面可与其他传统方法相媲美。研究还发现,手与脚的分类比左手与右手的分类更具可辨性(差异为 4-10%)。最后,在应用于小规模数据时,滤波器组通用空间模式(FBCSP,无特征选择)算法的性能明显低于所提出的方法(p = 0.0029、p = 0.0015 和 p = 0.0008)。
我们介绍了一种电隔离的“浮动”双层 GaAs 量子阱 (QW) 设计,其中施加可控且高度可重复的大栅极电压会诱导电荷,这些电荷在移除栅极电压后仍被捕获在双层中。在较小的栅极电压下,双层通过厚绝缘屏障与外部电极完全电隔离。这种设计允许完全控制两个耦合的 2D 电子系统的总密度和差分密度。浮动双层设计提供了一种独特的方法来研究无法通过简单的传输测量进行研究的系统。它还提供了测量层间电荷转移的能力,即使 2D 系统的平面电阻率不同。我们测量了 QW 双层的电容和层间隧穿光谱,并独立控制顶层和底层电子密度。我们的测量显示,在 v T ¼ 1 时,层间隧穿电流大大增强,这是强层间关联双层系统激子凝聚的标志。由于各个层的密度完全可调,浮动双层 QW 系统提供了一个多功能平台来获取有关电子双层系统中量子相的先前无法获得的信息。
点的扭转角可以通过改变费米能量、拓扑绝缘体收缩宽度和量子阱带隙来进行调控。27但目前还没有关于分子器件扭转角的系统研究。本文基于非平衡格林函数(NEGF)结合密度泛函理论(DFT),28,29研究了由两个V型锯齿边石墨烯纳米带(GNR)电极连接不同扭转角的CuPc分子构成的CuPc分子器件的量子输运性质。通过改变扭转角可以控制器件的局域自旋态和相关的量子输运性质。结果表明,扭转双层CuPc分子(TTBCPM)的HOMO-LUMO能隙、自旋滤波效率(SFE)和自旋相关电导随扭转角变化。当q较大时,电导和SFE的变化趋势几乎相反。当q=0时电导最大,当q=60时SFE最大,提出了这些现象的物理机制,并通过分析透射光谱、分子能级谱和散射态,进一步理解了具有扭转角的量子传输现象。
摘要:由于Covid-19的影响,企业需要有效的定价策略来提高利润和生存能力。为了填补不同货运模式之间市场竞争的文献研究差距,并通过优化转换价格来调整货运运输结构,我们提出了一个多目标双级编程定价模型,以考虑市场竞争和中国货运系统的碳发电。首先,上层规划中的目标功能用于改善物流企业的利用,并减少货运系统的总碳排放。然后,设计了货运运输模式的广义成本功能,以量化不同运输模式之间的市场竞争,并建立了用户平衡分配模型,以获得低级规划中的货物流量分配的结果。为了解决模型,设计了灵敏度分析算法,并使用物流网络示例来验证模型的有效性。实验结果表明,合理的货运价格调整可以有效地增加企业利用,并减少货运系统的总碳排放。在本文中,我们为货运定价研究提供了一种新方法,考虑了多种运输模式的市场竞争,并为通过货运价格优化提供了一个新的想法,以调整运输结构,这将在促进绿色货运的发展中发挥积极作用。
摘要 - 双层升降方法在商业上用于制造许多MEM和半导体器件结构,并部署用于金属化过程以制造神经探针电极。该过程利用LOR/PMGI加上成像抗性来创建双层掩蔽结构。唯一地,可以自定义此结构,因为它的组成和尺寸可以针对给定的材料 - 沉积设计特征目标量身定制。考虑了材料和制造选择的必要进步,以实现神经植入器设备和微电极阵列(MES)进行本研究,以评估使用绝缘体材料SIO 2的双层加工的使用。提出了基于施加的沉积膜应力的结构优化的预测模型,用于相关的厚度,以制造导体线绝缘和微电极阵列。此外,它还使用能够在较高温度绝缘体沉积过程中保持稳定性的负成像抗性引入了新的高温双层过程。这项研究确定了用溅射绝缘子制造成功的双层目标的尺寸目标,以优化用于测量,密歇根州类型探针和相关神经界面微观结构的有用结构。新的处理能力可以启用新的神经探针界面设计和功能,以扩大人工智能和机器交叉点。
在MOS 2效应晶体管中,与迁移率或数量依赖性关系相关的电流或电压闪烁是由低频噪声的特征。这种噪声通常可用于评估基于MOS 2的电子设备的应用限制。在这项工作中,通过化学蒸气沉积(CVD)生长的单晶双层MOS 2的低频噪声特性是系统地进行投资的,并发现与基于单层MOS 2通道的低频噪声MOS 2相比,可提供显着的性能改进。在F¼100Hz时,归一化的漏极电流功率频谱密度(S I / I D 2)为2.4 10 10 Hz 1和BiLayer和Monolayer MOS 2转换器分别为3.1 10 9 Hz 1。McWhorter的载流子数量流量模型可以准确地描述1晶体管类型,这表明载流子捕获和通过介电缺陷捕获和去捕获是CVD MOS 2晶体管中1/ F噪声的主要机制。此外,在VBg¼3V时,通过使用后场电压降低了双层MOS 2晶体管的接触电阻,从而在VBg¼3V时实现了最小的WLS I / I D 2的3.1 10 10 L m 2 / hz(其中W是栅极宽度,L是栅极长度)。这些结果表明,CVD双层MOS 2是未来大规模2D-Sementemondoctor的电子应用,具有提高噪声性能的有前途的候选者。