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摘要 - 双层升降方法在商业上用于制造许多MEM和半导体器件结构，并部署用于金属化过程以制造神经探针电极。该过程利用LOR/PMGI加上成像抗性来创建双层掩蔽结构。唯一地，可以自定义此结构，因为它的组成和尺寸可以针对给定的材料 - 沉积设计特征目标量身定制。考虑了材料和制造选择的必要进步，以实现神经植入器设备和微电极阵列（MES）进行本研究，以评估使用绝缘体材料SIO 2的双层加工的使用。提出了基于施加的沉积膜应力的结构优化的预测模型，用于相关的厚度，以制造导体线绝缘和微电极阵列。此外，它还使用能够在较高温度绝缘体沉积过程中保持稳定性的负成像抗性引入了新的高温双层过程。这项研究确定了用溅射绝缘子制造成功的双层目标的尺寸目标，以优化用于测量，密歇根州类型探针和相关神经界面微观结构的有用结构。新的处理能力可以启用新的神经探针界面设计和功能，以扩大人工智能和机器交叉点。
双层升降机抵抗过程优化绝缘体...
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