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可依赖于双层机械超材料对撞击器质量和速度的动力吸收能力
使用替代机制来耗散或散射，双态结构和机械超材料已经显示出有望通过将能量锁定到紧张的材料中来减轻影响的有害影响。在本文中，我们扩展了通过双层超材料吸收吸收的先前工作，以探索动能传递对撞击器速度和质量的依赖性，而应变速率超过10 2 s -1。我们观察到对两个影响器参数的依赖性很大，范围从比比较线性材料的显着性能到更差的性能。然后，我们将性能的可变性与系统中的孤立波的形成相关联，并在动态载荷下对理想化的能量吸收能力进行分析估计。此外，我们发现对阻尼的依赖性显着，并在系统内部的单个波传播中存在定性差异。这项研究中揭示的复杂动力学是为将双材料超材料应用于包括人类和工程系统冲击和影响保护设备在内的应用的潜在未来指南。
果胶基双层包衣片的配方...
炎症性肠病 (IBD) 是一种结肠慢性炎症疾病，包括溃疡性结肠炎和克罗恩病。地塞米松是一种类固醇抗炎药，可用于 IBD 治疗。本研究旨在获得用于 IBD 治疗的地塞米松药物输送系统的最佳配方，并根据体外溶解试验研究其释放曲线。地塞米松与益生菌嗜酸乳杆菌和长双歧杆菌混合物 (1:1) 结合配制成双包衣片。使用湿法制粒法生产核心片剂，然后在内层涂层上涂上 4% b/v 果胶，在外层涂层上涂上 Eudragit L100 和 S100 (1:4) 的混合物。通过改变益生菌浓度（分别为 0%、16% 和 40%）（分别为 F1、F2 和 F3），制备了三种不同的核心片剂配方。 F1、F2 和 F3 在 0.1 N HCl pH 1.2 中 2 小时的累积药物释放分别为 42.92 ± 1.55%、39.41 ± 4.10% 和 39.39 ± 1.63%，而在 pH 6.8 磷酸盐缓冲液中 12 小时后分别为 102.83 ± 1.56%、105.08 ± 1.70% 和 98.81 ± 3.37%。从结果来看，我们得出结论，所有配方都可以成为开发结肠靶向药物递送的有希望的候选方案。
采用 MAS Blackboard 系统的 LiFePO4 电池储能系统的双层 SOC 和 SOH 均衡方案
1 齐齐哈尔大学机电工程学院，齐齐哈尔 161000；luzhongda@163.com；wangqilong3411@163.com；xufengxia_hit@163.com
适用于太阳能、风能和地热可再生能源微电网的双层多能源管理系统
高渗透可再生能源固有的间歇性对微电网能源管理提出了经济性和可靠性问题。本研究提出了一种用于高可再生多能源微电网 (MEM) 的两层预测能源管理系统 (PEMS)。在该 MEM 中，地热、太阳能和风能被转换和调节为电力、热能和天然气供应，其中基于电解热电化学效应充分利用了多能源互补性。由于可再生能源 (RES) 的能量耦合越来越紧密，且存在不确定性，因此提出的微电网多能源管理是一个复杂而繁琐的问题。因此，这个棘手的问题可以通过具有不同时间尺度的两层 PEMS 来处理，其中上层最小化系统运行成本，下层应对可再生能源波动。对高可再生 MEM 进行了模拟研究，以表明其有效性和优于单一时间尺度方案。模拟结果表明，采用高可再生能源适应性可降低 22.2% 的运营成本。
零能耗建筑电–氢–热双层能量优化调控方法
零能源建设电力 - 热热双层能量优化控制方法Kong Lingguo 1，Wang Shibo 1，Cai Guowei 1，Liu Chuang 1，Guo Xiaoqiang 2
液态铜上扭曲双层石墨烯的组装生长
自从石墨烯 (tBLG) 被发现以来，各种新奇的物理现象被揭示出来，例如独特的电子特性。 [3] 特别是，根据扭曲角度 (θ)，具有低θ（1.1至5°）的tBLG表现出不同的物理特性，例如莫特绝缘，超导和异常导电行为，这些特性引起了更多的关注。 [4] 此外，tBLG还被发现在电化学，手性和慢等离子体中发挥着重要作用。 [5] tBLG已成为探索物理性质和寻找新应用的有力模型。 因此，可控制备θ范围为0至30°的高质量tBLG是一项艰巨的挑战。 目前，tBLG的制备主要依赖于人工堆叠的方法，例如堆叠单层石墨烯和折叠单层石墨烯。 [6] 但多次转移过程形成的污染和褶皱不可避免地影响tBLG的耦合质量,降低其固有的物理性能。此外,在超高真空条件下,通过热Si升华在氢刻蚀的6H-SiC(000-1)衬底上制备了tBLG。[7] 但这种方法成本不高,并且需要复杂的石墨烯转移程序。化学气相沉积(CVD)被认为是一种制备高质量石墨烯的简便、可扩展的方法[8],其中Cu和Ni被广泛用作直接生长石墨烯的基底。然而,由于Cu中碳含量低,除非采用复杂的工艺,否则很难以Cu为催化剂制备多层石墨烯。[9] 此外,虽然已经利用Cu-Ni合金作为基底来控制石墨烯层的生长,但是很难打破AB堆叠石墨烯的对称性来形成扭曲石墨烯。[10] 最近,Sun等人[11] 在石墨烯层转移过程中,引入了碳和碳键,从而实现了石墨烯的转移。报道了一种在低压 CVD 系统下引入气流扰动的异位成核策略，用于在 Cu 箔上生长石墨烯畴。[11] 因此，迫切需要找到一种简单的方法来制备具有大扭曲角度范围窗口的高质量石墨烯畴，这对于探索石墨烯畴的独特性能非常关键和必要。在本文中，我们开发了一种在环境压力下在液态 Cu 基底上制备石墨烯畴的简便方法。在高于固态 Cu 熔点（1083 ° C）的生长温度下，在液态 Cu 表面生长的石墨烯畴保持对齐取向。通过调节生长温度，对齐状态被打破，在液态 Cu 上生长的石墨烯畴在表面下移动和旋转
基于超薄 HfO2/Al2O3 双层的可靠 1T1R RRAM 电子突触，具有低功耗，可用于神经形态计算
1 西安交通大学电子材料研究实验室，教育部重点实验室，国际电介质研究中心，电子科学与工程学院，微纳制造与测试技术国际联合实验室，西安 710049，中国 2 中国科学院微电子研究所，微电子器件与集成技术重点实验室，北京 100029，中国 3 中国科学院大学，北京 100049，中国 4 西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室 & 微纳制造与测试技术国际联合实验室，西安 710049，中国 5 IHP-Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik，Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt，德国 6 上海交通大学信息功能材料国家重点实验室中国科学院微系统与信息技术研究所，上海市长宁路 865 号，邮编 200050，中华人民共和国 7 这些作者对这项工作做出了同等贡献。∗ 任何通讯作者均应致函。