切割时使用金刚石锯片并保持水流稳定)或集尘锯,以及用于塑造砌体单元的电动角磨机。在切割过程中,应至少佩戴 NIOSH N95 防尘面罩、听力和眼睛保护装置。粘土砖和其他砌体单元含有结晶二氧化硅,强烈建议使用 NIOSH N95 呼吸器,但是,您应该参考联邦、州和地方指南以及公司的呼吸保护计划和安全数据表以获取更多信息。
在生长过程中,腔体压力和晶圆温度分别保持在 5.0 托和 800 o C。我们采用脉冲注入策略来调节二次成核并实现逐层生长模式。每个反应循环包括 2 分钟所有前体共注入,然后中断前体并清洗 1 分钟,循环时间为 3 分钟。通过五个生长循环获得了晶圆级多晶 MoS 2 薄膜;因此,总生长时间为 15 分钟。
晶圆加工技术的趋势要求晶圆载体技术不断进步,以支持当今先进的半导体加工设施。我们的 198/192 系列 200 毫米晶圆运输载体可满足当今 200 毫米晶圆厂的自动化、污染控制和生产力要求。这些开放式侧壁晶圆载体专为先进的晶圆运输而设计,与传统的中低端晶圆载体相比,具有显著的性能优势,包括精确的晶圆存取、可靠的设备操作和安全的晶圆保护。
本文考虑了4轮Keccak -224/256/384/512在量子环境下的抗原像性。为了有效地找到原像的旋转对应项对应的旋转数,我们首先建立一个基于Grover搜索的概率算法,利用某些坐标上比特对的固定关系来猜测可能的旋转数。这致力于实现每次搜索旋转对应项的迭代只包含一次用于验证的4轮Keccak变体运行,这可以降低量子环境下的攻击复杂度。在可接受的随机性下寻找旋转数的基础上,我们构建了两种攻击模型,专注于原像的恢复。在第一个模型中,Grover算法用于寻找原像的旋转对应项。通过64次尝试,可以获得所需的原像。在第二个模型中,我们将寻找旋转对应体抽象为在超立方体上寻找顶点,然后使用SKW量子算法来处理寻找作为旋转对应体的顶点的问题。对轮数减少的Keccak进行量子原像攻击的结果表明,第一个攻击模型对于4轮Keccak -224/256/384/512优于一般的量子原像攻击,而第二个模型对于4轮Keccak -512/384的攻击效果略低但更实用,即该模型比我们的第一个攻击模型和一般的量子原像攻击更容易在量子电路中实现。
由于其优异的介电性能,玻璃可以作为表面离子阱制造中石英或蓝宝石的低成本替代材料。与高电阻率(5000 Ω·cm)硅衬底(20 MHz 时的典型损耗角正切为 1.5)相比[24],本文采用的玻璃衬底(Corning SGW 8.5)在 5 GHz 时的损耗角正切为 0.025,体积电阻率为 10 10 Ω·cm(数据可从产品信息表获得)。这省去了硅阱所需的射频屏蔽层和绝缘层,并使制造程序变得更加简单。此外,透明玻璃(波长为 300 至 2400 nm 的透射率为 90%)可以使光的传输和收集更加灵活,例如,通过在下面放置光纤和/或光电探测器。 [25]与其他介电材料(如蓝宝石和石英)相比,玻璃不仅成本低,而且可制造性更先进,可以实现高可靠性的玻璃通孔、[26,27]阳极键合、[28]
Entegris ® 、Entegris Rings Design ® 和其他产品名称是 Entegris, Inc. 的商标,如 entegris.com/trademarks 所列。所有第三方产品名称、徽标和公司名称均为其各自所有者的商标或注册商标。使用它们并不表示商标所有者与它们有任何关联、赞助或认可。
10 2020 IEEE 第 70 届电子元件和技术会议 │ 2020 年 6 月 3 日 – 6 月 30 日
在减小移动设备外形尺寸和增加功能集成度方面,晶圆级封装 (WLP) 是一种极具吸引力的封装解决方案,与标准球栅阵列 (BGA) 封装相比具有许多优势。随着各种扇出型 WLP (FOWLP) 的进步,与扇入型 WLP 相比,它是一种更优化、更有前景的解决方案,因为它可以在设计更多输入/输出 (I/O) 数量、多芯片、异构集成和三维 (3D) 系统级封装 (SiP) 方面提供更大的灵活性。嵌入式晶圆级球栅阵列 (eWLB) 是一种扇出型 WLP,可实现需要更小外形尺寸、出色散热和薄型封装轮廓的应用,因为它有可能以经过验证的制造能力和生产良率发展为各种配置。eWLB 是一种关键的先进封装,因为它具有更高的 I/O 密度、工艺灵活性和集成能力。它有助于在一个封装中垂直和水平地集成多个芯片,而无需使用基板。结构设计和材料选择对工艺良率和长期可靠性的影响越来越重要,因此有必要全面研究影响可靠性的关键设计因素。
Peng, L. (2012)。用于集成电路 3-D 堆叠的晶圆级细间距 Cu-Cu 键合。博士论文,南洋理工大学,新加坡。