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2021 年 InP 晶圆、外延片和器件市场
3) 市场趋势 89 市场细分 InP 行业：发展时间表 InP 应用市场概览 技术概览、每种应用的经济要求 4) 市场份额和供应链 188 光子学和射频应用的 InP 供应链和商业模式 主要参与者和格局 不同地理区域主要晶圆和外延片参与者的映射 InP 裸片市场份额 打开 InP 外延片市场份额 InP 晶圆市场份额 公司简介：II-V、Lumentum、LandMark、Sumitomo、AXT、InPact、Denselight、Smart Photonics 5) InP 技术趋势 215 器件 • 基于 InP 的器件概览：光子学、集成 SiPh 和 PIC 和 RF 器件 外延 • 外延生长方法 • 关注 DFB 外延生长 • 讨论外延要求 晶圆 • InP 晶体生长方法 • 晶圆精加工 • 基板尺寸和类型 6) 展望 286 总结 7) 附录 291 8) Yole 集团公司介绍
采用 Smart Cut 技术的更环保的 SiC 晶圆
在使用我们的 Smart Cut 技术生产 SiC 基板时，我们发现优化键合步骤对于实现高水平的电导率和热导率至关重要。我们的研究表明，键合界面对总基板电阻的贡献相当于标准 SiC 材料的几十微米。在 Smart Cut 将薄片 SiC 从供体基板分割并转移到载体基板后，我们采用了精加工工艺，以确保通过抛光和退火，我们新形成的基板已准备好进行外延处理并与 SiC 器件加工兼容。请注意，我们的 Smart Cut SiC 技术生产的晶圆顶层没有基面位错（见图 2 和 3）。
溅射多孔 Pt 用于晶圆级制造低温...
1. 莱斯大学电气与计算机工程系，美国德克萨斯州休斯顿 77005 2. 莱斯大学应用物理项目，美国德克萨斯州休斯顿 77005 3. 莱斯大学生物工程系，美国德克萨斯州休斯顿 77005 4. 贝勒医学院神经科学系，美国德克萨斯州休斯顿 77030 摘要
半导体晶圆键合：科学、技术与应用 17
T. Wernicke、B. Rebhan、V. Vuorinen、M. Paulasto-Krockel、V. Dubey、K. Diex、D. Wünsch、M. Baum、M. Wiemer、S. Tanaka、J. Froemel、KE Aasmundtveit、HV Nguyen、V. Dragoi
具有改进的新型晶圆级粘合剂键合...
我们报告了一种通用方法，用于提高软烤 BCB 键合堆栈中键合后晶圆对准精度和 BCB 厚度均匀性。该方法基于新型 BCB 微柱，在键合过程中充当锚点。锚点结构成为键合界面的自然组成部分，因此对键合堆栈的光学、电气和机械性能的干扰最小。我们研究了固定锚点密度和各种锚点高度与粘合剂 BCB 厚度的关系，这些性能也不同。我们证明了对准精度可以提高大约一个数量级，并且该工具可以接近基本的键合前对准精度。我们还证明了该技术对 2 – 16 μ m 的大范围 BCB 厚度都有效。此外，我们观察到，对于 8 – 16 μ m 范围内的 BCB 厚度，厚度不均匀性降低了 2 – 3 倍。
用于晶圆上测量应用的毫米波直通负载元件
摘要 — 本文介绍了一种创新的直通负载元件，旨在用于毫米波频率下的特性分析应用。根据直流控制电压，所提出的结构可以用作直通连接或 50 Ω 负载。除其他潜在应用外，该系统还可用于实现转换开关或衰减器。演示器采用 STM 55 纳米 BiCMOS 技术制造和测量。在 55 GHz 至 170 GHz 的宽带宽上，实验测量表明，当用作直通连接时，插入损耗最大为 1.6 dB，当用作 50 Ω 负载时，插入损耗最小为 14 dB。在这两种情况下，回波损耗都优于 10 dB。90 GHz 的插入损耗对于直通连接为 0.6 dB，对于 50 Ω 负载连接为 20 dB。
WLCSP xWave 适用于高频晶圆探测应用第 2 部分
– 将引线框架的接触点移动到无限平面 – 将引线框架与细间距 pogo 技术相结合 – 减少引线框架特征以匹配凸块间距 – 减少引线框架力以限制晶圆凸块上的接触标记 – 限制擦洗以确保无球剪切
用于 MEMS 的晶圆级制造永久微磁体的研究
摘要：将永久微磁体单片集成到 MEMS 结构中可为磁性 MEMS 应用提供诸多优势。一种名为 PowderMEMS 的新技术已用于在 8 英寸晶圆上制造永久微磁体，该技术基于通过原子层沉积 (ALD) 聚集微米级粉末。在本文中，我们报告了由两种不同 NdFeB 粉末粒径制备的 PowderMEMS 微磁体的制造和磁性特性。在 75 ◦ C 的低 ALD 工艺温度下实现了 423 mT 的剩磁和 924 mT 的固有矫顽力，使该工艺与 MEMS 技术兼容。借助 Wohlfarth 方程讨论了微磁体中的磁可逆机制。为了确保这种集成微磁体在不同应用环境中的可操作性，我们进行了一系列实验，系统地研究了热稳定性和腐蚀稳定性。粉末颗粒尺寸较大（d50 = 25 µ m）的 NdFeB 微磁体在空气中表现出较高的热稳定性。此外，通过等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 沉积的额外氧化硅钝化层显著提高了微磁体的腐蚀稳定性。所给出的结果证明了 PowderMEMS 微磁体的耐用性，使其能够应用于微流体、传感器、执行器和微电子等各个领域。
150 毫米 SmartStack® 非接触式水平晶圆运输机
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先进微晶圆代工厂 (AMF) 硅光子学制造
关于 CMC CMC Microsystems 拥有超过 35 年的提供多项目晶圆服务的经验，涉及一系列技术，包括先进微电子、光子学和 MEMS。CMC 总部位于加拿大，通过提供设计工具、原型设计、增值封装和组装服务以及内部专业知识来降低技术采用的障碍，从而打造出一次成功原型。