XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System多层膜
髓磷脂在神经变性中的作用：对药物靶标和神经保护策略的影响
摘要：中枢神经系统中轴突具有许多优势，包括信号传输的能量消耗减少和信号速度增强。轴突周围的髓鞘由由ol- igodendrocytes形成的多层膜组成，而特定的糖蛋白和脂质在此编队过程中起着各种作用。像髓磷脂一样有益，其失调和变性可能会有害。炎症，氧化应激以及细胞代谢的变化和细胞外骨可能会导致这些轴突脱髓鞘。这些因素是某些脱髓鞘疾病的标志性特征，包括多发性硬化症。脱素的影响还与诸如青光眼和阿尔茨海默氏病以及继发性变性的疾病中的主要变性有关。这揭示了髓磷脂与神经退行性的次要过程之间的关系，包括创伤性损伤和透射性脱发后导致的变性。髓磷脂在原发性和继发性退化中的作用也引起了探索抗透明式的策略和靶标，包括使用抗炎性分子或纳米颗粒提供药物。尽管在
薄膜系统的厚度相关拉曼散射
摘要：由于薄膜内激发光和拉曼散射光的干扰，薄膜多层膜的拉曼信号强度随薄膜层厚度非单调变化。这一现象不仅可用于增强拉曼信号，还可用于研究薄膜厚度和光学特性。本文，我们对几种薄膜材料系统的拉曼信号厚度依赖性进行了实验研究，包括蓝宝石上硅 (SOS) 和 SOS 上的氮化硅薄膜，以及在硅基板上制备的多层 MoS 2。将适当缩放的测得强度与从传输矩阵法开发的分析模型进行比较。当激光光斑尺寸足够大于薄膜厚度时，SOS 薄膜具有很好的拟合效果。对于多层 MoS 2，发现来自底层 Si 基板的拉曼信号强度具有极好的拟合效果，而 MoS 2 特征拉曼位移的强度受激光参数和样品方向的影响。这些结果对薄膜计量和光学特性表征具有重要意义。
欧洲简历格式
ID N . 11300 – 个人研究工程师（意大利语：T ECNOLOGO）– 三级 2012 年 12 月/至今 国家研究委员会 (CNR) - 微电子与微系统研究所 (IMM)，Agrate Brianza Unit，Via Olivetti 2, 20864, Agrate Brianza (MB)，意大利 公共机构常设研究工程师（意大利语：Tecnologo）。技术领域：支持研究。主题：科学仪器和流程管理。 （Bando n. 364/114，Prot. AMMCNT CNR n.79896 28/12/2012；Prot. AMMCNT CNR n.8704 13/02/2013；Prot. IMM CNR n.769 31/01/2013）主要研究课题：I – 2D 材料（过渡金属二硫属化物，TMD）的各向异性工程：通过化学方法生长并主要通过 X 射线光电子能谱和拉曼光谱进行表征；目标应用在纳米电子学、光子学、光电子学、催化领域。 II – 通过 X 射线散射、X 射线光发射光谱和离子束技术（XRR、XRD、XPS、ToF-SIMS）对薄膜和多层膜的结构和化学物理特性进行表征，以便将其集成为双极 CMOS-DMOS（BCD）技术平台中的大电容器。III – （1）具有垂直磁各向异性的铁磁材料（PMA）和（2）非磁性材料，用于作为磁性结和自旋注入/过滤器中的隧道屏障；（3）稀磁氧化物（DMO）。研究结构和化学性质与磁性和磁输运性质之间的相关性。通过 X 射线散射（包括同步光）、X 射线光发射和离子束技术（XRR、XRD、XPS、ToF-SIMS、XRMS）对薄膜和多层膜的结构和化学物理进行表征，例如：（1）铁磁材料（Co、Fe、CoFe、CoFeB、Co/Ni）； (2) 非磁性材料（即 MgO、AlO x ）；(3) 稀磁氧化物（Fe、Ni 掺杂的 ZrO 2 ）。IV – 通过 X 射线散射、X 射线光发射和离子束技术（XRR、XRD、XPS、ToF-SIMS）研究高介电常数电介质或相变合金的 CMOS 兼容性在工艺集成中的热稳定性，以用于新兴的非挥发性存储器（TANOS、RRAM、PCM、MRAM）。V – 通过 X 射线散射（主要是 XRD）对先进 MEMS 设备中集成的压电材料进行表征。
髓鞘在神经退行性疾病中的作用：对药物靶点和神经保护策略的影响
摘要：中枢神经系统轴突的髓鞘化具有许多优点，包括减少信号传输的能量消耗和提高信号速度。轴突周围的髓鞘由少突胶质细胞形成的多层膜组成，而特定的糖蛋白和脂质在这一形成过程中发挥着各种作用。髓鞘虽然有益，但其失调和退化可能会造成损害。炎症、氧化应激以及细胞代谢和细胞外基质的变化可导致这些轴突脱髓鞘。这些因素是某些脱髓鞘疾病（包括多发性硬化症）的标志性特征。脱髓鞘的影响也与青光眼和阿尔茨海默病等疾病的原发性退化以及继发性退化过程有关。这揭示了髓鞘与神经退行性变的次级过程之间的关系，包括创伤性损伤和跨突触变性后的退化。髓鞘在原发性和继发性退化中的作用也是探索髓鞘再生策略和目标的兴趣所在，包括使用抗炎分子或纳米颗粒来输送药物。尽管在髓鞘再生动物模型中使用这些方法
承载两组磁性 Skyrmion 的范德华界面
磁耦合材料的应用为磁性的探索以及二维极限下的自旋电子学应用提供了新的机遇。[7–9] 在所有基于范德华层状体系的界面工程异质结构中，磁邻近效应对于操控自旋电子学、[10–12] 超导[13–15] 和拓扑现象至关重要。[16–18] 磁性 skyrmion 因其非平凡拓扑结构而得到深入研究，这导致了许多有趣的基本和动力学特性。[19–21] 这些主要见于非中心对称单晶[22–24] 超薄外延系统[25,26] 和磁性多层膜。 [27–31] 最近，在与氧化层 [32] 或过渡金属二硫化物 [33] 界面的范德华铁磁体中观察到了 Néel 型 skyrmion，通过调整铁磁体厚度可以控制 skyrmion 相。此外，使用各种范德华磁体，可以在其新界面中创建具有独特性质的 skrymion 相。承载多个 skyrmion 相的材料增加了该领域的丰富性，并且在设计方面具有额外的自由度
C-V测量和双盒陷阱富含SOI底物的建模
高抗性（HR）硅在胰上石（SOI）底物，具有富含陷阱的（TR）层（图。1（a））广泛用于RF芯片。富含陷阱的层是一种捕获自由载体并因此消除盒子基底界面处的寄生通道的多层膜，使底物能够保留其高标称电阻率，从而导致较低的损失并改善线性性[1，2]。然而，捕集层中的部分结晶和杂质污染会影响局部电阻率，因此，RF性能[3]。为了解决这些问题，Uclouvain和Soitec提出了一种名为Double-Buried-Oxide（D-Box）TR底物的新结构，如图1（b）[4]。该结构在TR层下方结合了第二个薄氧化物（Box2），以防止TR层和硅基板之间的直接接触。在本文中，我们通过电容 - 电压（C-V）测量来表征D框结构。Box2的存在消除了整体耗竭层对C-V性能的影响，从而简化了分析。D-box结构还可以在晶圆级别表征TR层。
纳米孔：从DNA测序到工业过滤的协同作用
薄膜中的纳米孔在科学和工业中起重要作用。单纳米孔在便携式DNA测序和了解纳米级传输中提供了逐步变化。在工业上，多层膜促进了食物加工和水和医学的净化。尽管统一使用了纳米孔，但在材料，制造，分析和应用方面，单个纳米孔和多膜的磁场在不同程度上有所不同。这样的部分断开连接阻碍了科学进步，并且最好共同解决重要的挑战。该观点表明，这两个领域之间的协同串扰如何在基本理解和高级膜的发展中提供相当大的相互利益。我们首先描述了主要差异，包括与多膜膜中较不定义的导管相比，包括单个孔的原子定义。然后，我们概述了改善两个字段之间的通信的步骤，例如协调测量以及运输和选择性的建模。所产生的见解有望改善多孔膜的合理设计。观点以其他发展的前景结束，可以通过在两个领域进行协作来最大程度地实现，以提高对纳米孔的运输的理解，并创建用于量身定制的用于感应，过滤和其他应用的下一代多孔膜。
在碳纳米管上生长钙钛矿量子点用于神经形态光电计算
神经形态计算，又称受脑启发的计算，由于其构建模块能够同时记忆和处理数据，因此能耗较低。[2] 目前，人工神经网络在图像识别、[3] 音频识别、[4] 蛋白质结构揭示和材料发现等复杂的计算机器学习任务中展现出优势。[5] 这些机器学习任务依赖于大量数据和高速数据分析。因此，与传统的冯·诺依曼架构相比，模仿生物大脑基本要素——神经元和突触的受脑启发的计算架构正在成为复杂机器学习任务的计算解决方案。在实现神经形态计算的元器件中，可以作为光电神经形态计算机构建模块的光电子器件需要新型材料来制作电路级和纳米级的器件。碳纳米管 (CNT) 因其优异的机械和电学性能而常用于电子设备。[6] 与以单层或多层膜形式用于设备的二维石墨烯材料不同，一维 CNT 在电路级和纳米级设备应用中具有更好的潜力。作为一种具有高载流子迁移率的电气材料，CNT 用于构建场效应晶体管和计算机。[7] 尽管 CNT（包括多壁 CNT (MWCNT)）具有优异的电学性能，但它们对光的响应较弱，不适合
nrp xx“ titel”
在本项目中，我们研究了在半活性自适应结构中使用可变刚度/可变强度结构元素的使用，采用双重方法来实现概率。在由NFP 62资助的项目中，我们研究了介电材料，以实施多层结构的静电层压，在一个并行项目中，由ETH的结构技术中心资助，我们已经确定了上述结构概念，这些结构概念可以利用上述元素来实现新的和有用的功能，以实现新的和有用的结构，并将其与特定的机翼结构相关联。这两个平行项目的努力是从相当早的阶段进行了协调的，旨在在高性能，轻质结构的结构演示者中实施电键粘合层压板（EBL的目的）。本项目的第一个成就是对与当前应用相关的聚合物膜的性质的详细研究：介电常数，介电强度和体积电阻率。这第一步是决定性地研究介电材料的框架，以便为其用于EBL应用的资格，这是决定性的。也很快就清楚了，也从对介电材料进行的研究也很快，即使在该项目的范围中包括材料合成，也不太可能实现介电强度和介电常数的同时增加。这些发现的相关性远远超出了用于EBL应用的电介质的优化。我们的注意力很快就针对对分层介质的调查，基于溶液的调查，通过其他小组的观察来证实，由其他群体进行的观察结果证实，由多层组成的电介质会提供介电强度的介电功能，而不是在材料和应有的材料中造成的材料不可避免地会导致一个不可避免的介绍性，并且是否会增加材料的范围，并且应有的可能性 - 应有的可能性，而应有的可能性，那么它是应有的，如果是应有的含量，那么它是不可避免的。用于制备多层介电。关于材料有效介电特性的问题很快就会出现，并且在项目的第一阶段获得的高近DC领域的介电和绝缘材料的知识清楚地表明，该材料的教科书近似是无限量电阻的完美介电性，这将无法适当地表示问题。因此，开发并通过实验验证了多层膜的介电响应的模型，该模型也考虑了组件的有限体积抵抗力。开发的分析模型代表了优化高能介电膜以不同频率应用的高能介电膜的基础。高压直流电网的未来开发将需要开发可靠的固体绝缘材料。多层电介质可以很好地代表一类有趣的介电和绝缘元素。此类投资从未在此细节上进行。结果也相对于此外，显然需要有效地撞击多层绝缘层层上静电场层的理解，这显然是必要的，以了解导致高场上此类材料系统失败的机制。在项目的最后一部分中，详细研究了EBL元素的机械性能，该元素与与项目结构分支的合作框架中所设想的结构应用有关的负载案例进行了详细研究。