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World File Search System存储器
高密度安全存储器 DDR2 SDRAM
128MB 64M x 16 W3H64M16E-XB2X 400-667 1.8 79 PBGA 11 毫米 x 14 毫米 C、I、M 256MB 2 x 64M x 16 W3H264M16E-XB2X 400-667 1.8 79 PBGA 11 毫米 x 14 毫米 C、I、M 256MB 32M x 64 W3H32M64E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 256MB 32M x 72 W3H32M72E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 512MB 64M x 64 W3H64M64E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 512MB 64M x 72 W3H64M72E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 512MB 64M x 72 W3H64M72E-XBXF 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 1GB 128M x 72 W3H128M72E-XSBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 22 毫米 C、I、M 1GB 128M x 72 W3H128M72E-XNBX* 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 22 毫米 C、I、M
专为太空应用而设计的 MRAM 切换存储器的鉴定和可靠性
• 自旋是一个基本量子数 • 铁磁材料包含不成对的电子 • 自旋的排列产生磁性 • 记忆存储在电子自旋中 • 自旋不会像电荷那样“泄漏” • 自旋不受重离子辐照的影响 • 自旋不受累积剂量 (TID) 的影响 • 自旋排列由磁场实现 • 避免基于电荷的设备的磨损机制
一种低电压下具有大存储窗口的电荷捕获存储器件的Gd掺杂HfO2单膜
近来，电荷捕获存储器（CTM）器件，例如硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅（SONOS）结构闪存，因其在 15 nm 节点以下进一步缩小的潜力而吸引了众多关注。1 与传统浮栅（FG）器件相比，CTM 器件具有可靠性更高、工作电压更低和制造工艺更简单等优点。1,2 然而，由于隧道氧化物和电荷捕获氧化物厚度的缩小，数据保留仍然存在许多挑战。3 为了克服这些固有的缺点，高 k 材料，例如 HfO2、Al2O3、TiOx、ZnO 和 ZrO2，已被引入到 CTM 器件中，以实现更好的电荷捕获效率和保留能力。4–10 此外，大存储窗口和低工作电压的理想共存仍然是一个巨大的挑战。目前大多数 CTM 器件在低于 6 V 的电压下工作时，存储窗口都可忽略不计。对于高 k 材料，掺杂已被证明是一种实现低功耗充电捕获存储器的潜在方法，例如 Zr 掺杂的 BaTiO 3 和氟化 ZrO 2 。11,12 Gd 掺杂的 HfO 2 (GHO) 是一种很有前途的高 k 材料，已被提出具有相对较高的陷阱密度、大的电导率
利用量子机器学习优化高效量子存储器，用于近期的量子设备
量子存储器是任何全球规模量子互联网、高性能量子网络和近期量子计算机的基础。量子存储器的主要问题是从量子存储器的量子寄存器中检索量子系统的效率低。在这里，我们为近期量子设备定义了一种称为高检索效率 (HRE) 量子存储器的新型量子存储器。HRE 量子存储器单元在其硬件级别集成了局部幺正操作以优化读出过程，并利用了量子机器学习的先进技术。我们定义了 HRE 量子存储器的集成幺正操作，证明了学习过程，并评估了可实现的输出信噪比值。我们证明 HRE 量子存储器的局部幺正以无监督的方式实现了读出过程的优化，而无需使用任何标记数据或训练序列。我们表明，HRE 量子存储器的读出过程是以完全盲目的方式实现的，无需任何有关输入量子系统或量子寄存器的未知量子操作的信息。我们评估了 HRE 量子存储器的检索效率和输出 SNR（信噪比）。结果对于门模型量子计算机和量子互联网的近期量子设备特别有用。
用于冷原子中两个正交极化的腔增强和长寿命光学存储器
摘要：光量子存储器的存储和检索效率 (SRE) 和寿命是扩大量子信息处理规模的两个关键性能指标。在这里，我们通过实验演示了用于冷原子集合中的两种极化的腔增强长寿命光学存储器。利用电磁感应透明 (EIT) 动力学，我们分别演示了左圆和右圆偏振信号光脉冲在原子中的存储。通过使信号和控制光束共线穿过原子并将信号光的两种偏振存储为两个磁场不敏感的自旋波，我们实现了长寿命 (3.5 毫秒) 的存储器。通过在冷原子周围放置一个低精度光学环腔，信号光和原子之间的耦合得到增强，从而导致 SRE 增加。所提出的腔增强存储表明 SRE 约为 30%，对应于固有 SRE 约为 45%。
光量子存储器及其在量子通信系统中的应用
光量子存储器及其在量子通信系统中的应用 马利军、Oliver Slattery 和唐晓 美国国家标准与技术研究所，马里兰州盖瑟斯堡 20899，美国 lijun.ma@nist.gov oliver.slattery@nist.gov xiao.tang@nist.gov 光量子存储器是一种可以存储光子的量子态并以高保真度按需检索的装置。它正在成为一种必不可少的设备，以提高通信、计算、计量等领域使用的许多量子系统的安全性、速度、可扩展性和性能。在本文中，我们将特别考虑光量子存储器对量子通信系统的影响。在概述光量子存储器的理论和实验研究进展之后，我们将概述其在量子通信中的作用，包括作为光子源、光子干涉、量子密钥分发（QKD）、量子隐形传态、量子中继器和量子网络。 关键词：量子通信；量子密钥分发；量子存储器；量子网络；量子中继器。接受日期：2019年12月9日 发表日期：2020年1月16日 https://doi.org/10.6028/jres.125.002 1. 引言 量子通信是一种利用信息载体（如单光子）的量子特性，实现双方量子信息交换的技术。该技术有许多独特的应用，是经典通信系统中不可能实现的。目前，量子通信有两种主要应用：量子密钥分发（QKD）和量子纠缠分发。
高密度安全存储器 DDR3 SDRAM
4GB 512M x 64 W3J512M64X-XPB2X 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 23 毫米 x 32 毫米 C、I、M 4GB 512M x 72 W3J512M72X-XPB2X 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 23 毫米 x 32 毫米 C、I、M 4GB 512M x 64 W3J512M64X-XLB2X 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 23 毫米 x 32 毫米 C、I、M 4GB 512M x 72 W3J512M72X-XLB2X 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 23 毫米 x 32 毫米 C、I、M 4GB 高清 512M x 64 W3J512M64X(T)-XHDX 800-1600 K=1.35，G=1.5 399 PBGA 14 毫米 x 21.5 毫米 C、I、M 4GB 高清 512M x 72 W3J512M72X(T)-XHDX 800-1600 K=1.35，G=1.5 399 PBGA 14 毫米 x 21.5 毫米 C、I、M 8GB 8GB x 64 W3J1G64X-XPBX 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 24 毫米 x 32 毫米 C、I、M 8GB 8GB x 72 W3J1G72X-XPBX 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 24 毫米 x 32 毫米 C、I、M
经 Charles F. Saffle 批准 微电路，存储器，数字，CMOS，2M X 32 位 (64Mb)，抗辐射，SRAM，多芯片模块
1/ 超过绝对最大额定值的应力可能会对器件造成永久性损坏。在最大水平下长时间运行可能会降低性能并影响可靠性。2/ 所有电压均以 V SS 为参考。3/ 最大施加电压不得超过 4.4 V。4/ 如果 SRAM 断电，则必须在“断电时间”内保持电源关闭状态，然后才能重新打开。5/ 此处指定的辐射特性和测试限值基于 16Mb 单芯片 SRAM 测试结果 (5962-08202/08203)。有关这些 RHA 参数和测试结果的详细信息，请联系器件制造商。6/ 基于 CREME96 结果预测的性能，该结果适用于太阳活动极小期无耀斑条件下的地球同步轨道，位于 100mil 铝屏蔽后面，使用从实际测试数据得出的威布尔参数（参见 4.4.4.4）。供应商可提供威布尔参数，用于计算其他轨道/环境（如 Adams 90% 最坏情况）的翻转率，并使用不同的翻转率计算程序（如 Space Radiation 5.0）。7/ 保证但未针对 1MeV 当量中子进行测试。
524288 8 位可编程只读存储器 (Rev. F)
电源电压范围，V CC （参见注 1）−0.6 V 至 7 V。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。电源电压范围，V PP （参见注 1）-0.6 V 至 14 V。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。输入电压范围（见注 1），除 A9 外的所有输入 -0.6 V 至 V CC + 1 V。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。A9 -0.6V 至 13V。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。输出电压范围，相对于 V SS （见注 1） -0.6 V 至 V CC + 1 V 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。自然通风工作温度范围（'27C040-_ _JL 和 '27PC040-_ _FML）0 °C 至 70 °C。。。。。。。。。。。。。。自然通风工作温度范围（’27C040-_ _JE 和’27PC040 _ _ FME）− 40 °C 至 85 °C。。..........存储温度范围，T stg −65 ° C 至 125 ° C ............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。............‡ 超出“绝对最大额定值”所列的应力可能会对设备造成永久性损坏。这些只是应力额定值，并不暗示设备在这些或“建议工作条件”所列以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间暴露于绝对最大额定条件可能会影响设备的可靠性。注 1：所有电压值均相对于 GND。
第四节 程序存储器
4.1 程序存储器地址映射 ......................................................................................................4-2 4.2 程序计数器 ................................................................................................................4-4 4.3 从程序存储器访问数据 ..............................................................................................4-4 4.4 从数据空间可视程序空间 ............................................................................................4-8 4.5 程序存储器写入 ......................................................................................................4-10 4.6 相关应用笔记 .............................................................................................................4-11 4.7 版本历史 .............................................................................................................4-12