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使用植物化学物质和使用合成聚合物（PVA）封装的银纳米颗粒
AG-NP合成的化学方法包括各种有机和无机还原剂（如柠檬酸钠和硼氢化钠）的化学还原方法。尽管这种AG-NP合成方法非常普遍，但绿色合成提供了一种更安全，成本效益和环保替代化学降低的替代品[3,4]。绿色合成的AG-NP在医学，食物保存和水过滤等各个领域都有应用。此外，根据最近的研究，绿色合成的AG-NP具有强大的抗微生物，抗癌和抗氧化活性。对全球医疗保健的最严重威胁之一是存在多药耐药病原体，尤其是引起威胁生命疾病的病原体。为了最好的这些病原体，需要对这些感染的新技术。绿色合成的Ag-NP已被发现有效
使用 S 参数提取封装的 GaN 功率晶体管寄生参数
摘要 — 为了更好地预测功率转换器中晶体管的高频开关操作，必须准确评估这些器件的接入元件，如电阻和电感。本文报告了使用 S 参数对氮化镓 (GaN) 封装功率晶体管进行特性分析，以提取源自欧姆接触和封装的寄生效应。在封装晶体管时，使用在 FR4 印刷电路板 (PCB) 上设计的特定测试夹具设置校准技术，以便从测量的参数中获取晶体管平面中的 S 参数。所提出的方法基于改进的“冷 FET”技术和关断状态测量。它应用于市售的增强型 GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）。将提取的寄生元件与器件制造商提供的参考值进行比较。还评估了结温对漏极和源极电阻的影响。最后，提出了这些寄生效应的电热模型。
用于 6G 微电子封装的玻璃基材料和叠层太赫兹特性分析
摘要 包括聚合物/玻璃叠层在内的玻璃基材料是用于封装 5G 和 6G 微电子模块和元件的极具吸引力的结构块。我们利用商用太赫兹时域光谱 (THz-TDS) 系统首次对 AGC Inc. EN-A1 无碱硼铝硅酸盐玻璃和层压在钠钙浮法玻璃基板上的味之素增压膜 (ABF) 进行了 200 GHz 至 2.5 THz 的宽带特性分析。EN-A1 玻璃和层压 ABF 的折射率 n (ν)、衰减系数 α (ν)、介电常数 ε ′ (ν) 和损耗角正切 tan δ (ν) 分别为 n EN − A1 = 2 . 376，α EN − A1 = 31。 1 cm − 1 ，ε ′ EN − A1 = 5 . 64，tan δ EN − A1 = 0 . 062，n ABF = 1 . 9，α ABF = 30 cm − 1 ，ε ABF = 3 . 8，tan δ ABF = 0 . 072，均为 1 THz。我们的研究结果验证了 EN-A1 玻璃和 ABF 聚合物材料作为微波和 THz 封装解决方案的良好前景。
封装的 Ga2O3 肖特基整流器，具有超过 60 A 的浪涌电流能力
摘要 — 超宽带隙氧化镓 (Ga 2 O 3 ) 器件最近已成为电力电子领域的有希望的候选者；然而，Ga 2 O 3 的低热导率 (k T ) 引起了人们对其电热稳定性的严重担忧。这项工作首次实验演示了采用底部冷却和双面冷却配置封装的大面积 Ga 2 O 3 肖特基势垒二极管 (SBD)，并首次表征了这些封装 Ga 2 O 3 SBD 的浪涌电流能力。与普遍看法相反，采用适当封装的 Ga 2 O 3 SBD 表现出很高的浪涌电流能力。具有 3×3 mm 2 肖特基接触面积的双面冷却 Ga 2 O 3 SBD 可以承受超过 60 A 的峰值浪涌电流，峰值浪涌电流与额定电流之比优于同等额定值的商用 SiC SBD。这种高浪涌电流的关键促成机制是导通电阻的温度依赖性小，这大大降低了热失控，以及双面冷却封装，其中热量直接从肖特基结提取，不需要通过低 k T 块状 Ga 2 O 3 芯片。这些结果消除了有关 Ga 2 O 3 功率器件电热耐用性的一些关键担忧，并体现了其芯片级热管理的重要性。1
采用航天级塑料封装的 OPA4H199-SP 40V、QML P 类、抗辐射 (RHA)、轨到轨输入和输出、低失调电压、低噪声运算放大器数据表
• QML P 类抗辐射性能保证 (QMLP-RHA) 等级 • 采用小型 SOT-23 封装 • 辐射性能： – 单粒子闩锁 (SEL) 免疫 65MeV-cm 2 /mg – 总电离剂量 (TID) 抗辐射性能保证 (RHA) 高达 100krad (Si) • 支持国防、航空航天和医疗应用 – 单一受控基线 – 一个制造、装配和测试站点 – 金线 – NiPdAu 引线表面涂层 – 可在军用 (-55°C 至 125°C) 温度范围内使用 – 延长产品生命周期 – 产品可追溯性 – 增强型塑封材料，降低排气量 • 低失调电压：±125µV • 低噪声：1kHz 时为 10.8nV/√Hz • 高共模抑制：130dB • 低偏置电流：±10pA • 轨到轨输入和输出 • 宽带宽：4.5MHz GBW • 高压摆率：21V/µs • 高电容负载驱动：1nF • 多路复用器友好型/比较器输入 • 低静态电流：每个放大器 560µA • 宽电源电压：±1.35V 至 ±20V，2.7V 至 40V • 强大的 EMIRR 性能：输入和电源引脚上的 EMI/RFI 滤波器
纳米封装的 CRISPR 基因组
基于 CRISPR 的基因组编辑技术的出现彻底改变了分子生物学，为操纵遗传物质提供了无与伦比的精度。这项变革性技术为医学、农业和生物技术的突破铺平了道路。然而，CRISPR 的全部潜力仍然受到一个关键瓶颈的限制：将其成分有效地递送到靶细胞。脱靶效应、免疫原性和有限的组织特异性等挑战继续阻碍其从实验室到临床的转化。1 为了克服这些障碍，研究人员现在正在探索纳米封装作为优化 CRISPR 递送的下一代策略。2 CRISPR 递送传统上依赖于病毒载体、化学转染（脂质转染）和物理方法，如电穿孔/核转染和微注射。3 虽然病毒载体效率很高，但它们的使用受到免疫原性、尺寸限制和插入诱变风险的限制。脂质转染使用
全球小芯片和先进封装的最新行业报告
➢ 半导体封装用玻璃基板所要求的特性及玻璃中介层的发展趋势！ ➢ 三大半导体厂商的背面电源技术优缺点、其经营策略、量产计划如何？ ➢ 晶圆代工厂、EMS、无晶圆厂、OSAT、半导体制造设备相关公司的经营战略！ ➢ 采用小芯片的二维和三维异质集成的特点和应用！ ➢ 2.5D、3D封装所需的材料特性！重新分布层、封装材料、底部填充材料等等！ ➢ FOWLP/PLP制造工艺类型、相关公司以及贴装封装元件的要求！ ➢ 全球 HBM 市场份额争夺战愈演愈烈，日本企业面临巨大商机！ ➢ 探讨了底部填充所需的性能和技术趋势、市场预测以及各企业的市场份额！ ➢ 设计和质量要求满足芯片在镀铜布线制造中的需求！ ➢ 探讨了混合键合的方法、优势和挑战以及各公司产品的特点和技术策略！
M.、Roy、A.、Nguyen、HV 和 Nguyen、TP (2023 年 5 月 30 日至 6 月 2 日)。用于微测辐射热计真空封装的晶圆级封盖技术。2023 IEEE
可见光摄像机能够使用波长范围从 0.4 到 0.7 µm 的电磁波记录适当照明的物体的图像。在波长超过 0.7 µm 的物体上成像非常有用，因为它可以揭示有关物体的更多信息并实现新的应用。然而，在更长的波长上成像需要配备特殊红外图像传感器和不同光学器件的摄像机 [1, 2, 3]。在众多类型的红外图像传感器和探测器技术中，有微测辐射热计，它实现了非制冷且价格实惠的热红外摄像机。这种热红外摄像机允许人们通过物体的辐射热（即通过普朗克辐射定律描述的红外辐射发射）获取物体的图像。微测辐射热计主要对长波红外 (LWIR) (8-14) µm 敏感，这与地球大气中的透明波段相吻合。与可见光摄像机一样，热红外摄像机在国防、交通、监控、消防、热成像和户外休闲方面具有许多应用和巨大的市场。许多新的应用领域都得益于微测辐射热计
适用于可湿性侧面 QFN 和 SON 封装的新型电镀技术 (Rev. A)
高质量扁平无引线 (QFN) 和小外形无引线 (SON) 封装具有紧凑性、成本效益和良好的电气和热性能，广泛应用于移动和汽车行业。然而，在高可靠性行业中使用 QFN 封装的一个挑战是由于引线侧面缺乏一致的焊料圆角形成。因此，在汽车行业中启用 QFN 和 SON 的关键工艺之一是可润湿侧面功能，它能够在 SMT 后组装到印刷电路板 (PCB) 时有效地形成焊料圆角。为了确保组装的印刷电路板符合质量标准，在组装过程中目视检查它们是否有缺陷和异常是必不可少的。本文介绍了一种在引线侧面镀有新型浸锡的可润湿侧面功能。它创造了可焊接的引线侧面，并通过可检测的润湿圆角高度增强了光学表面贴装封装检查。陶瓷板上的保质期研究和可焊性测试证明了满足可靠性标准的能力。板级可靠性 (BLR) 测试表明其性能与非可润湿侧面封装相当。
课程名称：先进半导体封装的协同设计和建模
由多物理建模（电气、热和机械）支持的芯片封装系统协同设计是先进半导体封装的关键基础技术，可满足超越摩尔定律（例如超越摩尔定律）的需求。全球半导体行业正依靠这些软件工具为消费电子、运输、航空航天、数据中心、物联网、人工智能、工业和可再生能源等市场的微电子和电力电子封装开发先进的半导体封装产品。美国、欧洲、印度和世界各地最近颁布的芯片法案证明了这一点，这些行业需要员工具备由多物理建模和仿真支持的协同设计数字技能。这是一门讲座和实践课程，包含设计、建模和仿真技术的理论和使用。课程目标/学习成果