注释:1.电流传输比(百分比)定义为输出集电极电流 I O 与正向 LED 输入电流 I F 之比乘以 100。2.建议使用 0.1 F 旁路电容连接引脚 5 和 8。3.1.9 k 负载代表 1.6 mA 的 1 TTL 单位负载和 5.6 k 上拉电阻。4.对于任何给定设备,脉冲宽度失真 (PWD) 定义为 |t PHL – t PLH |。5.相同测试条件下任意两个部件之间的 t PLH 和 t PHL 之间的差异。6.逻辑高电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲 V CM 上升沿上的最大可容忍(正)dV CM /dt,以确保输出将保持在逻辑高状态(即,V O > 2.0 V)。逻辑低电平下的共模瞬态抗扰度是共模脉冲信号 V CM 下降沿上的最大可容忍(负)dV CM /dt,以确保输出将保持在逻辑低状态(即,V O < 0.8 V)。7.设备被视为双端设备:引脚 1、2、3 和 4 短接在一起,引脚 5、6、7 和 8 短接在一起。8.根据 UL 1577,每个光耦合器都通过施加绝缘测试电压 > 6000 V RMS 持续 1 秒进行验证测试。
Michael Gallagher、Rosemary Bell、Anupam Choubey、Hua Dong、Joe Lachowski、Jong-Uk Kim、Masaki Kondo、Corey O'Connor、Greg Prokopowicz、Bob Barr、陶氏电子材料
用于 MEMS 封装的高柔性芯片粘接粘合剂 Dr. Tobias Königer DELO 工业粘合剂 DELO-Allee 1 86949 Windach,德国 电话 +49 8193 9900-365 传真 +49 8193 9900-5365 电子邮件 tobias.koeniger@delo.de 摘要 大多数 MEMS 封装的芯片粘接材料必须具有高柔性,因为在装配过程和应用过程中的温度变化可能导致热机械应力,这是由于基板、芯片和粘合剂的热膨胀系数不同造成的。热机械应力会导致对应力极为敏感的 MEMS 设备的信号特性失真。在本文中,我们开发了高柔性热固化粘合剂,其杨氏模量在室温下低至 5 MPa (0.725 ksi)。 DMTA 测量表明,在 +120 °C (+248 °F) 温度下储存不会导致粘合剂脆化,而脆化会对 MEMS 封装的可靠性产生负面影响。在 +120 °C (+248 °F) 下储存长达 1000 小时后,杨氏模量没有增加。粘合剂在低至 +100 °C (+212 °F) 的极低温度下固化,从而减少了组装过程中的应力产生。此外,粘合剂具有非常友好的工艺特性。处理时间可以达到一周以上。双重固化选项可在几秒钟内对芯片进行初步光固定。关键词粘合剂、MEMS 封装、应力、芯片粘接、粘合
高 I/O 密度和绿色材料是倒装芯片和 3D IC 封装用封装基板的两大主要驱动力。未来的有机层压基板将需要 5-25 µ m 的线宽和间距以及 50-100 µ m 的封装通孔 (TPV) 间距。这种超细间距要求将因电化学迁移和导电阳极丝 (CAF) 而导致严重的基板故障。因此,有必要开发新型无卤材料并研究其在超细间距应用中的可靠性。这项工作主要集中在四个领域:1) 先进的无卤材料,2) 细线宽和间距中的表面绝缘电阻 (SIR),3) 细间距 TPV 中的导电阳极丝 (CAF),以及 4) 倒装芯片互连可靠性。本研究选择的基板材料包括在聚合物主链上加入无卤阻燃剂的树脂配方。在具有 50 µm 间距铜线的基板上研究了 SIR,并在具有 150 µm 和 400 µm 间距 TPV 的基板上研究了 CAF。在这两项测试中,都观察到无卤基板与溴化 FR-4 相比表现出更好的电化学迁移阻力。通过对测试基板进行热循环测试 (TCT)、无偏高加速应力测试 (U-HAST) 和高温存储 (HTS) 测试来研究倒装芯片可靠性。在每次可靠性测试后都进行扫描声学显微镜 (C-SAM) 分析和电阻测量。测试基板分别通过了 200 小时的 HTS、96 小时的 HAST 和 2000 次 TCT 循环。倒装芯片可靠性结果表明,这些材料有可能取代传统的卤化基板用于高密度封装应用。关键词:无卤素基板、表面绝缘电阻、导电阳极丝、倒装芯片可靠性 简介 电子产品向无卤素材料的转变始于 1994 年德国通过的《二恶英法》。从那时起,欧盟 (EU) 制定的生态标签成为印刷线路板采用无卤素材料的驱动力。卤素通常添加到 PWB 中使用的聚合物玻璃复合材料中以达到阻燃效果。然而,卤素材料在特定的燃烧条件下会形成多溴二苯并二恶英 (PBDD) 和多溴二苯并呋喃 (PBDF),这会对环境和健康造成严重风险。在这方面,无卤材料比卤素材料优越得多,并且在回收过程中也很有用 [1]。印刷电路板研究所
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