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用于含油工业废水的先进嵌段共聚物膜
工业过程（包括石油化工、纺织、皮革和钢铁加工）每天都会产生大量含油废水。这种废水对环境构成了巨大挑战，工业界采用多种方法将水与油分离，包括吸油材料、重力分离、絮凝和凝结。然而，这些方法在分离油滴小于 20 µm 的油水乳剂时无效，并且在加入化学品或使用电场时效果不佳。膜过滤是处理此类乳剂（尤其是表面活性剂稳定的乳剂）的最佳策略之一，因为它们通过简单的过滤过程产生高纯度的水渗透物，并且可以在大型工业规模上多次清洗和重复使用。本次演讲将概述卡塔尔大学与南密西西比大学合作开发和测试的新型聚苯乙烯基共聚物膜。新开发的膜在紧密乳化液中将油与水分离方面表现出显著的增强效果，同时在五次运行中表现出极高的抗污性，而商用膜仅在两次乳化液运行中就会被污染。演讲将概述膜在清洗和重复使用周期后的油去除效率、化学、形态和机械稳定性。最后，使用合成油水和现场样品以及卡塔尔石油和天然气公司的测试方案对膜进行了测试。
聚（乙二醇） - 丙烯（丙二醇）三嵌段共聚物对水泥糊的自源收缩和特性的影响单词识别中整体处理的发展出现
Aghababian，V。和Nazir，T。A.（2000）。发展正常的阅读技能：单词识别的视觉过程的各个方面。J Exp Child Psychol，76（2），123–150。https://doi.org/10.1006/jecp.1999.2540Ahlén，E.学习颠倒阅读：对知觉专业知识及其获取的研究。Exp Brain Res，232（3），1025–1036。https://doi.org/10.1007/ S00221-013-3813-9 Albonico，A.，Furubacke，A.（2018）。知觉有效性和面部，单词和房屋的反转效应。Vision Res，153，91–97。https://doi.org/10.1016/j.visres.2018.10.008 Arun，S。P.（2022）。使用组分性了解整个对象中的零件。开拓者Neurosci系列，https：//doi.org/10.1111/ejn.15746 Baker，C.I.，Liu，J.，Wald，L.W.，Kown，K.K。，＆Kanwisher，N。（2007）。人类外皮层中功能选择性的视觉文字处理和经验起源。Proc Natl Acad Sci USA，104（21），9087–9092。Bartlett，J。C.和Searcy，J。H.（1993）。面部的反转和配置。Cogn Psychol，25，281–316。https://doi.org/10.1006/cogp.1993.1007 Behrmann，M.，Avidan，G.，Marotta，J.J。，＆Kimchi，R。（2005）。先天性疾病中与面部相关处理的详细探索：1。行为发现。J Cogn Neurosci，17（7），1130–1149。https://doi.org/ 10.1162/0898929054475154 Behrmann，M。，＆Plaut，D.C。（2014）。双边半球处理单词和面部的处理：纯纯Alexia中的Prosopagnosia单词障碍和面部障碍的证据。Cereb Cortex，24（4），1102–1118。https：//doi.org/10.1093/cercor/bhs390 Behrmann，M。，＆Plaut，D.C。（2020）。半球视觉对象识别组织：理论上说明和经验证据。感知，49（4），373–404。https://doi.org/10.1177/0301006619899049 Ben-Yehudah，G.，Hirshorn，E.A.，Simcox，T.，T.，Perfetti，C.A。，＆Fiez，J.A。（2019）。中文英语双语者将L1词汇阅读程序和整体拼写编码转移到L2英语。J Neurolainist，50，136–148。https://doi.org/10.1016/j.jneuroling.2018.01.002
微相分离有助于降低 MWCNT/嵌段聚合物复合材料的渗透阈值
抗静电材料2、电磁屏蔽3、压阻传感器4和形状记忆聚合物（SMP）材料。5,6聚合物和CNT的纳米复合材料的电导率随着纳米填料含量的增加而急剧增加，超过渗透阈值，该阈值被描述为在3D空间中形成互连接触导电网络的临界值。此外，通过加入CNT，聚合物的绝缘体-导体转变可以在低渗透阈值下实现，这取决于CNT的排列程度和单个CNT的均匀空间分布。尽管如此，由于纳米管之间的范德华相互作用引起的高电子离域性，MWCNT倾向于在液体或固体介质中形成团聚体和束。
嵌段共聚物的组装
摘要：我们报告了一种嵌段共聚物 (BCP) 定向自组装 (DSA) 的方法，其中第一层 BCP 膜部署均聚物刷或“墨水”，这些刷或“墨水”在现有聚合物刷上方的聚合物膜热退火期间通过聚合物分子的相互渗透依次接枝到基材表面。通过选择具有所需化学性质和适当相对分子量的聚合物“墨水”，可以使用刷相互渗透作为一种强大的技术，以与 BCP 域相同频率生成自配准的化学对比模式。结果是一种对引导模式中的尺寸和化学缺陷具有更高容忍度的工艺，我们通过使用均聚物刷作为引导特征而不是更坚固的可交联垫来实现 DSA 来展示这一点。我们发现使用“油墨”不会影响线宽粗糙度，并且通过实施稳健的“干剥离”图案转移，验证了 DSA 作为光刻掩模的质量。关键词：定向自组装、嵌段共聚物、薄膜、先进光刻、缺陷率■ 简介
顺序刷接枝用于嵌段共聚物化学和尺寸耐受性的定向自组装
摘要：我们报告了一种嵌段共聚物 (BCP) 定向自组装 (DSA) 的方法，其中第一层 BCP 膜部署均聚物刷或“墨水”，这些刷或“墨水”在现有聚合物刷上方的聚合物膜热退火期间通过聚合物分子的相互渗透依次接枝到基材表面。通过选择具有所需化学性质和适当相对分子量的聚合物“墨水”，可以使用刷相互渗透作为一种强大的技术，以与 BCP 域相同频率生成自配准的化学对比模式。结果是一种对引导模式中的尺寸和化学缺陷具有更高容忍度的工艺，我们通过使用均聚物刷作为引导特征而不是更坚固的可交联垫来实现 DSA 来展示这一点。我们发现使用“油墨”不会影响线宽粗糙度，并且通过实施稳健的“干剥离”图案转移，验证了 DSA 作为光刻掩模的质量。关键词：定向自组装、嵌段共聚物、薄膜、先进光刻、缺陷率■ 简介
全局收敛修正牛顿法用于直接最小化 Ohta-Kawasaki 能量及应用于二嵌段共聚物的定向自组装
嵌段共聚物 (BCP) 是由通过共价键连接的化学性质不同的单体的子链或嵌段组成的聚合物，每个嵌段都是一系列相同单体的线性序列。大量一种类型的嵌段共聚物的集合称为熔体。在高温下，不可压缩熔体中的嵌段会均匀混合。随着温度降低，不同的嵌段会分离，并导致称为微相分离的过程。BCP 熔体的微相分离导致中观尺度多相有序结构的自组装，如片层、球体、圆柱体和螺旋体 [1, 5, 26]。微相分离可进一步由在下面表面形成的化学和/或拓扑图案化模板引导，从而实现复杂纳米结构的设计。该过程称为 BCP 的定向自组装 (DSA)。设计 BCP 的 DSA 以复制具有所需特征的纳米结构在纳米制造应用中非常有吸引力 [4, 31, 40, 45]。已证明，BCP 的 DSA 的计算研究在确定材料特性、薄膜厚度、聚合物-基底相互作用和几何限制对自组装过程的影响方面非常有价值 [23, 34, 48, 49]。BCP 熔体的微相分离连续模型 [37]，如自洽场论 (SCFT) 模型、Ohta-Kawasaki (OK) 模型和 Swift-Hohenberg 模型，使得以相对较低的计算成本探索由 DSA 过程形成的纳米结构空间成为可能。它们通常用于与 BCP 的 DSA 相关的设计和逆问题 [ 21 , 27 – 29 , 32 , 36 , 43 ]。为了进一步降低计算成本，必须开发快速而强大的算法来获得模型解，特别是因为在解决设计和逆问题的过程中必须反复求解模型。在本文中，我们重点研究了二嵌段共聚物（具有两个
具有 5 纳米图案化能力的高抗蚀刻性含二茂铁嵌段共聚物
1.引言在摩尔定律的驱动下，半个多世纪以来半导体产业一直致力于缩小特征尺寸。最近，13.5 纳米极紫外光刻 (EUVL) 技术已经应用于 5 纳米节点 HVM。由于目前 0.33 NA 的限制，EUVL 无法分辨小于 13 纳米线/线距的特征。与 EUVL 相比，定向自组装 (DSA) 表现出高达 5 纳米 L/S 的极精细分辨率，被视为亚 10 纳米甚至亚 5 纳米特征尺寸的潜在图案化技术[1-9]。最近，含金属 EUV 光刻胶已被开发用于提高超薄 EUV 光刻胶膜的抗蚀刻性[10，11]。最近，我们的研究小组报道了一系列具有氟化嵌段的 BCP，经过中等温度下 1 分钟的热退火后迅速形成亚 5 纳米域[12，13]。我们假设氟化侧链对超精细分辨率和图案化速度起着关键作用。然而，由于薄膜超薄，抗蚀刻性是 5 纳米以下 DSA 材料的主要问题。
通过快速热退火，辅以嵌段共聚物薄膜中的液晶排序，在多功能基底上形成垂直排列的纳米域
除极少数例外情况外，这都是必要的。32,33 由于 c 值低，该系统的特征尺寸很难达到 22 纳米以下。26,34 因此，人们对这种 BCP 以及包含相关片段的相关 BCP 进行了广泛关注，以提高其在下一代光刻技术中的性能。35,36 然而，到目前为止，通过在低温下快速热退火（例如几分钟）在多功能基底上的小特征尺寸的 BCP 薄膜内获得正常排列的圆柱形或层状畴仍然是一项艰巨的挑战。此前，一些研究小组报道，聚甲基丙烯酸酯疏水嵌段（表示为 PMA(Az)）侧链中含偶氮苯的液晶 (LC) 链段有助于通过热退火或溶剂退火形成正常排列的圆柱形微区 37 – 39，包括聚环氧乙烷 (PEO) 40 – 42 和聚 (4-乙烯基吡啶) (P4VP) 43。对于这些 BCP，圆柱体的相窗口相当宽。此外，P4VP- b -PMA(Az) 薄膜需要长期溶剂退火，43 这不适合用于下一代光刻技术。而且，这些 BCP 的蚀刻选择性不足。44,45
嵌段共聚物定向自组装基础
对于需要高分辨率图案化的实验室成员，嵌段共聚物定向自组装可以作为更传统的光刻技术的低成本、高通量补充。嵌段共聚物由两种或多种化学性质不同的聚合物端对端结合而成。当将嵌段共聚物溶液旋涂到基材上时，可以加热薄膜以诱导自组装。在此过程中，组成聚合物根据其 Flory-Huggins 相互作用参数 (χ) 相互排斥，以达到其最小自由能位置。随着嵌段分离，同类聚合物会被同类聚合物吸引，从而形成周期性域。自组装域的形状取决于嵌段共聚物中的嵌段数以及这些嵌段的相对比例。[1] 本报告将重点介绍具有两种组成聚合物的二嵌段共聚物。在可实现的各种域形状中，对于光刻最实用的是分别使用 50:50 和 70:30 嵌段共聚物形成的薄片和圆柱体。