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World File Search System异质结构
使用微观屏障/gan异质结构的低热预算无欧姆接触使用微图案俄亥俄州的凹槽
摘要：一种前微型图案的渗透过程，用于制造Ti/al/ti/ti/tin ohmic接触到超薄式级别（UTB）Algan/gan异质结构，其欧姆接触电阻率明显降低了0.56ω·Mm的欧欧米触点电阻率为0.56ω·Mm，在同步型柔和的550°MM处于550°C c。板电阻随着电源定律的温度而增加，指数为+2.58，而特定的接触电阻率随温度而降低。接触机制可以通过热场射击（TFE）很好地描述。提取的Schottky屏障高度和电子浓度为0.31 eV和5.52×10 18 cm -3，这表明欧姆金属与UTB-ALGAN以及GAN缓冲液之间的亲密接触。尽管需要深入研究，但揭示了欧姆的透射长度与微图案大小之间的良好相关性。使用拟议的无AU欧姆式融合技术制造了初步的CMOS-PROCOSS-PROCESS-COMPAT-IS-INBLE-METAL-MUNS-DEMENDORATOR-极性高动力晶体管（MIS-HEMT）。
多层PDTE/GAN异质结构，用于可见的深紫外线光电检测
摘要 - Deep-ultraviolet（DUV）光电检测对其在许多军事和民用领域的重要应用中获得了广泛的研究兴趣。在这项工作中，我们介绍了大区域二维（2D）PDTE 2多层的合成，可以将其直接转移到GAN基板上，以构建垂直异质质质，以进行可见的盲型DUV PhotoDeTection。在265 nm的光照射下，异质结构显示出独特的pho-tovoltaic行为，使其能够充当自动驱动光电探测器。重要的光响应参数，例如I光/I暗比，响应性，特定的DUV/可见度（265 nm/450 nm）的拒绝率分别高达10 6，168.5 mA/w，5.3×10 12 JONES和10 JONES和10 4。通过应用-1.0 V的小反向偏置，可以进一步增强254.6 mA/W。此外，光电探测器可以用作DUV光图像传感器，以可靠地记录具有不错的分辨率的“ H”模式。本研究铺平了一种将高性能成本效益的DUV光电探测器设计到实用的光电应用的方法。
snte/pbte单层异质结构中的面向涡流的铁电域
valleytronic，光学，热，磁性和铁电性能在新型异质结构和设备中。它们的弱层间耦合可以通过机械堆叠2D材料来相对简单地制造垂直侵蚀。另一方面，侧面异质结构（LHSS）的层次是现代金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化导向器磁场晶体效应的基于微电极的基本结构，由于需要更多的复杂生长和兴奋剂技术，因此受到了探索的较少。受到可能从2D LHSS出现的潜在杰出性能和多功能调整自由的鼓励，在该领域进行了多项实验和理论研究。[1] The earliest experimentally realized 2D LHSs were those between graphene and hexagonal boron nitride (hBN) [2–6] grown by chemical vapor depo- sition (CVD), from which prototype field effect transistors (FETs) were demonstrated [2–5] Shortly later, a series of transition metal dichalcogenide (TMDC) mono layer (ML)通过一步或两步的CVD方法制备LHSS，包括MOS 2，MOSE 2，WS 2和WSE 2的组合。[7-12]所有这些TMDC LHSS都显示二极管样电流的整流效应。[26]同时，制造了具有高性能的原型设备，包括光电二极管和互补的金属 - 氧化物 - 半导体晶体管逆变器，[7,10–12]通过控制良好的气体流量切换技术或光刻辅助辅助阴离子的替代品，TMDC LHS的脱位量很清晰。 LHSS仅由一种材料组成，但具有不同的厚度，[16,17]或介电环境[18]在其界面上，产生了电子带隙，整流和光伏效应的修饰。将材料与不同空间对称性组合的2D LHS的其他形式，例如石墨烯-TMDC LHSS [19-22] HBN-TMDC LHSS，[19]石墨烯纳米替伯型LHSS与不同的兴奋剂[23]或宽度[23]或宽度[24] [24]单钙化剂 - 二甲基二苯二苯lhss [26]是通过各种增强的CVD方法创建的，例如机械 - 脱落的辅助CVD，[19]种子促进的CVD，[20]由等离子体蚀刻定义的模板生长，由等离子体蚀刻[21] [21] [21]和热层转化化学构图。
准二维异质结构（km1-xte）（late3）...
（[[rq] 1+δ）m（m''q 2）n（r = pb，sn，bi，bi，稀土元素; m“ = ti，v，cr，nb，ta; q = s，se），9-10
Ing. Marián Varga 博士。题目：TMD/金刚石异质结构
该项目旨在对以过渡金属二硫属化物 (TMD) 和金刚石材料为代表的二维和三维异质结构进行全面的实验研究。其主要重点是两种不同配置的 TMD/金刚石异质结构的制造和表征，即金刚石上的 TMD 和 TMD 上的金刚石。将通过各种传统和先进的分析技术来表征形态、化学和光电特性以及物理过程。结果将用于从根本上理解所制备的 TMD/金刚石异质结构的生长机制、相互作用和特性。同时，将制造选定的 TMD/TMD 异质结构，以将其生长机制和特性与 TMD/金刚石异质结构进行比较。此外，还将研究通过内部（掺杂、诱导应力、局部缺陷）和外部（电场和磁场、压力和光激发）调制定制的 TMD/金刚石异质结构特性。预计在 TMD/金刚石界面和本体处，可以控制诸如金属与半导体的转变现象、带隙排列、费米能级偏移或发光等效应。
散布（Bi1àxfex）电子的vo4异质结构
对这两个问题的实质性解决方案。3随着纳米技术的发展，高级氧化过程（AOP）有些克服了这些问题。4,5 AOP是最环保的技术，用于去除由于其化学稳定性而无法通过传统方法处理的顽固有机污染物。6,7水和废水处理的概念主要在1980年发现。8在AOP过程中，产生活性氧（ROS），包括单线氧（O），臭氧（O 3），过氧化氢（H 2 O 2），羟基自由基（OH C）等物种。与其他氧化剂（如O，O 3和H 2 O 2）相比，其中OH C是一种高度氧化剂，具有2.8 eV的高度氧化剂，具有2.8 eV且不稳定，其氧化潜力分别为1.67、2.07和1.77 eV。10个光催化剂是产生强氧化剂的材料，即，o，o 3和oh c。11在AOPS中，Pho-Tocatalysts或半导体材料可以将太阳能直接转换为化学能，这是可再生能源生产和环境补救措施的一种非常便捷的方法。12,13光催化降解近年来引起了很大的关注，因为它具有稳定，清洁和无毒的方向以减少环境污染。14,15普通
硕士论文：MXene/2D TMO 异质结构用于高倍率电化学
2D 纳米材料被定义为厚度为一个或几个原子的材料（图 1），其横向尺寸在纳米到微米尺度 1 。由于其出色的性能和多种新化学性质，它们为储能领域开辟了新前景 1 。在储能方面特别受关注的材料家族包括石墨烯 2、3、过渡金属氧化物 (TMO) 1、2D 过渡金属二硫属化物 (TMD) 4、5 和 MXenes（2011 年发现的一类 2D 过渡金属碳化物和氮化物）6。2D 纳米材料在超级电容器和高倍率电池中显示出巨大的应用潜力。2D 纳米材料具有固有的高表面积，可以进行化学功能化，具有离子嵌入能力，并且与最先进的传统电池材料不同，可以以惊人的倍率运行。此外，二维纳米材料机械强度高 6 ，堆积密度高 7, 8 ，是可穿戴电子产品中柔性、微型、超薄储能装置的理想选择。这是本项目追求的终极应用。
异质结构的相位变化材料和内存
相变内存（PCM）是一种非易失性存储技术，被认为是存储类内存和神经启发设备的最有前途的候选人。通常是根据Gete制造的 - SB 2 TE 3伪二元合金。但是，它具有技术局限性，例如电阻的噪声和漂移以及用于现实世界设备应用的高电流。最近，在记忆细胞中使用功能性（屏障）材料异质化材料的异质结构化PCM（HET-PCM），通过降低此类固有限制，在设备性能中表现出巨大的增强器件性能的增强。从这个角度来看，我们与常规合金型PCM相比，介绍了HET-PCM的最新发展和相关的操作机制。我们还突出了相应的设备增强功能，尤其是它们的热稳定性，耐力，复位电流密度，设定速度和电阻漂移。最后，我们为HET-PCM的有希望的研究方向提供了前景，包括基于PCM的神经形态计算。
促进二维横向外延异质结构中的光电荷分离以实现可见光驱动的 CO2 光还原
太阳能转换过程不仅存在于太阳能电池中，也存在于光催化中，涉及太阳光收集和光激发电荷载流子分离/传输。[8,9] 异质结构是将具有不同性质的材料集成在一起，通常可以收集来自多种组分的广泛太阳光，并且受益于异质界面形成的内部电场而具有显著的光激发电荷分离/传输特性。[10] 因此，探索合适的组分来构建异质结构是提高太阳能转换效率的一种有效且简便的策略。如今，二维材料由于其高比表面积、[11] 大量的表面暴露原子、[12] 以及优异的机械、光学和电子性能，在光电器件、催化和太阳能转换领域引起了极大的研究兴趣。[13,14] 得益于层状结构特性，二维材料易于构建成异质结构。通常，二维异质结构包括垂直异质结构（其中各种二维材料层垂直堆叠）[15] 和横向异质结构（其中多个二维材料横向无缝缝合）。[16] 目前报道的二维异质结构大多
基于硅的异质结构设备和电路
课程说明微电动设备和电路设计师长期以来一直在寻求结合带隙工程提供的卓越运输特性和设计灵活性（如在GAAS和INP等复合半导体中常规实践），以及高产量和较低的常规硅（SI）制造成本。随着介绍外延硅果（Sige）合金，这一梦想终于成为现实。SIGE异质结双极晶体管（SIGE HBT）是在SI材料系统中实现的第一个实用带段的实用设备。The first functional SiGe HBT was demonstrated in 1987, and the technology has matured rapidly, at present achieving a unity-gain cutoff frequency above 700 GHz, circuit delays below 2 picoseconds, and integration levels sufficient to realize a host of record-setting digital, analog, RF, mm-wave, and sub-mm-wave circuits.自然兼容，将SIGE HBT与最佳的SI CMO组成以形成SIGE HBT BICMOS技术，这显然适合于解决新兴的性能受限，高度集成的系统，目前正在商业和国防部门在全球范围内追求。