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相变内存（PCM）是一种非易失性存储技术，被认为是存储类内存和神经启发设备的最有前途的候选人。通常是根据Gete制造的 - SB 2 TE 3伪二元合金。但是，它具有技术局限性，例如电阻的噪声和漂移以及用于现实世界设备应用的高电流。最近，在记忆细胞中使用功能性（屏障）材料异质化材料的异质结构化PCM（HET-PCM），通过降低此类固有限制，在设备性能中表现出巨大的增强器件性能的增强。从这个角度来看，我们与常规合金型PCM相比，介绍了HET-PCM的最新发展和相关的操作机制。我们还突出了相应的设备增强功能，尤其是它们的热稳定性，耐力，复位电流密度，设定速度和电阻漂移。最后，我们为HET-PCM的有希望的研究方向提供了前景，包括基于PCM的神经形态计算。
异质结构的相位变化材料和内存
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