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半导体和微电子标准
这份由标准政策跨部门委员会 (ICSP) 半导体和微电子工作组编写的报告概述了联邦政府半导体和微电子标准活动，并推荐了 ICSP 考虑的标准重点领域和优先事项。报告的“向 ICSP 提出的战略标准重点领域的建议”部分列出了联邦政府目前参与的与半导体和微电子相关的标准制定组织，确定了五个重点领域和优先事项，并确定了未来可能产生影响的差距和机会。概况回顾部分概述了每个参与机构的相关半导体和微电子标准活动，包括其使命、半导体和微电子目标、参与标准制定组织、半导体和微电子重点领域和优先事项以及半导体和微电子差距和机会。国家关键新兴技术标准战略表明了半导体和微电子工作组如何与国家关键新兴技术标准战略保持一致。
上海复旦微电子集团股份有限公司
主席蒋国兴中国，上海， 2024 年10 月14 日于本公告日期，本公司之执行董事为蒋国兴先生、施雷先生、俞军先生及沈磊先生； 非执行董事为庄启飞先生、张睿女士、宋加勒先生及阎娜女士；独立非执行董事为曹钟勇先生、蔡敏勇先生、王频先生及邹甫文女士。 *仅供识别
上海复旦微电子集团股份有限公司
主席蒋国兴中国，上海， 2024 年10 月30 日于本公告日期，本公司之执行董事为蒋国兴先生、施雷先生、俞军先生及沈磊先生； 非执行董事为庄启飞先生、张睿女士、宋加勒先生及阎娜女士；独立非执行董事为曹钟勇先生、蔡敏勇先生、王频先生及邹甫文女士。 *仅供识别
微电子与能量传输修订版
课程简介：学生将通过实践和模拟活动探索电路中的能量传递。绩效期望：HS-PS3-1：创建一个计算模型，当已知系统中其他组件的能量变化和流入和流出系统的能量时，计算系统中一个组件的能量变化。MS-PS3-2：开发一个模型来描述当远距离相互作用的物体的排列发生变化时，系统中会存储不同数量的潜在能量。具体学习成果：学生将能够 - 通过探索微电子在日常设备中的作用来吸引兴趣。 - 通过实践活动研究微电子元件如何管理和存储能量。 - 解释微电子系统中的能量关系并利用计算模型。 - 将他们对微电子能量管理的理解应用于实际问题。 - 评估他们对微电子中的能量传递、潜在能和计算建模的理解。叙述/背景信息 对于微电子 5E 课程计划，学生需要掌握基本电路概念的基础知识，包括了解电阻器、电容器和电源等组件。他们应该熟悉能量传递的原理，包括势能和动能的作用，以及欧姆定律与电压、电流和电阻的关系。了解能量如何存储（在电容器中）和耗散（在电阻器中）很重要，以及微电子如何在智能手机或计算机等日常设备中发挥作用。熟悉电子表格或电路仿真软件等基本计算工具也将有助于学生在课堂上模拟电路中的能量关系。 科学与工程实践：开发和使用模型 开发一个模型来描述不可观察的机制。（MS-PS3-2） 使用数学和计算思维 创建现象、设计设备、过程或系统的计算模型或模拟。（HS-PS3-1）
恒诺微电子（嘉兴）有限公司
发光二极管及 LED 组件制造、集成电路组装、电源模块组装、板上芯片 (COB)、表面贴装技术 (SMT)、印刷电路板组装 (PCBA)、微型线圈绕制 (线圈) 和卡片层压
上海复旦微电子集团股份有限公司
主席蒋国兴中国，上海， 2022 年1 月18 日于本公告日期，本公司之执行董事为蒋国兴先生、施雷先生、俞军先生及程君侠女士； 非执行董事为章倩苓女士、吴平先生、孙峥先生及刘华艳女士；独立非执行董事为郭立先生、曹钟勇先生、 蔡敏勇先生及王频先生。 *仅供识别
CHIMERA（CHARM高能离子微电子可靠性保证）现状与展望
Cern Beam物理学：Matthew Fraser，Eliott Johnson，Nikolaos Charitonidis，Rebecca Taylor Beam操作：Marc Delrieux，Linac3和Leir Teams Beam仪器：Federico Roncarolo，Inaki Ortega Ruiz，Jocelyn Tan，Jocelyn tan，Jocelly brreth，Aboub eboub eboun damhmun NOLI CHAM和IRRAD：Salvatore Danzeca，Federico Ravotti辐射保护：Robert Froeschl，Angelo Infantino Fluka：Francesco Cerutti，Luigi Esposito知识转移：Enrico Chesta R2E：Ruben Garcia Alia，Matteo Brucoli，Rudy ferrea and gire and giuse and n n and Alia Emriskova，Mario Sacristan，Daniel Prelipcean集团和部门管理：Brennan Goddard，Simone Gilardoni，Markus Brugger
定量测量微电子设备中的电场，位于原位的STEM Victor Boureeau 1，Lucas Bruas 2，Matthew Bryan 2
定量测量微电子设备中电场的定量测量由位于原位的STEM Victor Boureeau 1，Lucas Bruas 2，Matthew Bryan 2，Matthew Bryan 2，Jean-LucRouvière3和David David Cooper 2** 1* 1。电子显微镜跨学科中心，EPFL，洛桑，瑞士。2。大学。Grenoble Alpes，CEA，Leti，Grenoble，法国。3。大学。Grenoble Alpes，CEA，Irig-Mem，Grenoble，法国。*通讯作者：David.cooper@cea.fr纳米尺度上字段的定量映射对于了解设备的行为并提高其性能至关重要。从历史上看，这是通过过轴电子全息图执行的，因为该技术已经成熟并提供了可靠的定量测量[1]。近年来，硬件的改进使扫描传输电子显微镜（STEM）实验期间的衍射模式的记录成为可能，从而生成所谓的4D-STEM数据集。越来越多的数据处理方法与特定的采集设置相结合，导致了广泛的像素化词干技术[2]。在这里，我们探讨了以像素化的茎构型进行的差异相位对比度（DPC）技术[3] [4]。它允许根据衍射平面中发射光束的强度位移对电场进行定量测量。我们将展示如何受显微镜和数据处理的配置影响类似DPC的像素化的茎测量值。结果将与电子全息图和仿真进行比较。样品在图1和图2中显示。1（c）。开始，我们将在掺杂的硅P -N结上进行工作，并以对称1 E 19 cm -3的浓度掺杂，在-1.3 V的反向偏置下进行检查。使用此样品，平均内部电位（组合电位）没有变化，偏置电压会增加内置电场。通过聚焦的离子束制备了连接的横截面，并在FEI Titan显微镜中使用Protochips Aduro 500样品支架附着在芯片上进行原位偏置实验，该实验在200 kV下运行。1（a，b），晶体厚度为390 nm，如收敛束电子衍射测量。使用二级离子质谱掺杂剂测量作为输入，用Silvaco软件对结中的电场进行建模。整个连接处的轮廓如图通过离轴电子全息图测量了偏置连接的电场，请参见图。1（c，d），并在除去非活动厚度后与建模很好地一致[1]。反向偏见的P-N连接的电场的大小约为0.65 mV.cm -1，耗尽宽度约为60 nm。已经研究了不同的像素化的茎构和处理方法，以测量连接处的电场。当探针大小大于特征场变化长度时，导致射击梁内部强度重新分布时，使用了一种算法（COM）算法。当传输梁小于场变化并经历刚性变速时，使用模板匹配（TM）算法[5]。2（a）。电场图如图首先，使用低磁化（LM）茎构型，使用的一半收敛角为270 µRAD，相机长度为18 m。连接处的衍射图显示了传输梁边缘处强度的重新分布，因此使用COM加工，请参见图。2（e）和图中绘制了一个轮廓。2（i）。连接点的耗尽宽度似乎约为100 nm，这表明由于LM茎配置的探针大小较大，
微电子和分布式能源的硅电沉积：简要回顾
摘要：由于硅在自然界的普遍性和其特殊的性质，它是各行各业中最受欢迎的材料之一。目前，冶金硅是通过石英的碳热还原获得的，然后对其进行氢氯化和多重氯化以获得太阳能硅。这篇小型综述简要分析了通过电解熔盐获得硅的替代方法。综述涵盖了决定熔盐成分选择的因素、通过电解熔盐获得的典型硅沉淀物、对将电解硅用于微电子的可能性的评估、在锂离子电流源成分中使用电解硅的代表性测试结果以及将电解硅用于太阳能转换的代表性测试结果。本文最后指出了实际实施电解生产硅的方法、开发用于能源分配和微电子应用的新设备和材料需要解决的任务。
