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微电子工程
将通过区域选择性气相渗透 (VPI) 将三甲基铝渗透到聚（2-乙烯基吡啶）中制备的 5 纳米氧化铝薄膜的生长化学和电性能与传统的等离子体增强原子层沉积 (PEALD) 工艺进行了比较。通过能量色散 X 射线光谱和硬 X 射线光电子能谱测量评估了化学性质，同时进行了电流 - 电压电介质击穿和电容 - 电压分析，首次提供了这些薄膜的电信息。评估了通过聚合物 VPI 形成电介质的成功和挑战、吡啶在这种角色中的兼容性以及独特快速的接枝聚合物刷方法在形成相干金属氧化物方面的能力。结果发现，在 200 到 250 ◦ C 之间的温度下制备的 VPI 氧化铝具有一致的击穿电场，性能最佳的器件的 к 值为 5.9。结果表明，VPI 方法可以生成具有与传统 PEALD 生长薄膜相当的介电性能的氧化铝薄膜。
桑德斯微电子
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微电子杂志
通过（TSV）技术利用同轴性通过Silicon，提出了紧凑的低通滤波器（LPF）。首先，通过分析计算，有限元方法（FEM）模拟和测量，研究了基于同轴TSV的几个电容器。其次，提出并通过FEM模拟和测量结果对基于同轴TSV的螺旋感应的电感式的公式进行了验证。最后，提出了基于基于TSV的电容器和电感器的研究，提出了基于2×4、2×5、2×6和2×7同轴TSV阵列的提议𝐿𝐶LPFS的分析模型，并且在AD和HFF中建立了等效电路模型以及在ADS和HFSS中的有限元模型（FEM）模型。LPF通过测量进行制造和验证。在建议的LPF中，同时使用同轴TSV作为电容器和电感器，这会导致更紧凑的大小。电感器的寄生能力可以帮助诱导拟议的LPF在停止带中诱导一个缺口，并提高滚动速率。
RF微电子
RF简介：RF范围，皮肤效应，行为和等效电路，如R，L，C，高RF。传输线理论，反射系数，史密斯图计算，阻抗匹配，S-参数。（L-7＆T-2）RF设计中的基本概念：RF DC设计。六边形无线通信标准，非线性，谐波，增益压缩，脱敏，交叉调制，间调制失真（IMD），输入截距（IIP3＆iip3＆iip2），符号间干扰。噪声，主动设备的噪声分析。（L-8＆T-2）RF系统中的基本块及其VLSI实施：RF的MOSFET行为，晶体管和香料模型的建模，HEMT和MESFET等高速设备，BICMOS技术，BICMOS技术，在高频及其单声道实现的寄生元素及其单层实现者的集成寄生元素，低噪声效果和低噪声器设计。（L-10和T-4）振荡器：基本VCO拓扑，相位噪声，噪音功率权衡。谐振器较少的VCO设计，GHz频率混合器设计和问题，射频综合：PLL，各种RF合成器体系结构和频率分隔线。（L-9＆T-3）反式接收器体系结构：TRF接收器，杂化接收器，同伴接收器，不同的接收器拓扑，RF接收器体系结构及其设计问题，集成的RF过滤器，IC应用程序，IC应用程序和案例研究，用于DECT，GSM和蓝牙。（L-8＆T-3）
