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富满微电子集团股份有限公司
供电电源 VDD ........................................................................................................................................... .. -0.3V~+10V VM 、 COUT 端允许输入电压 .................................................................................................. ....VDD-25V~VDD+0.3V DOUT 端允许输入电压 ......................................................................................................................- 0.3V~VDD+0.3V 工作温度 TA ..................................................................................................................................................- 40 ℃ ~+85 ℃ 结温 ........................................................................................................................................................................... 150 ℃ 贮存温度 .......................................................................................................................................................- 65 ℃ ~150 ℃ 功耗 PD （ TA=25 ℃） SOT23-6 封装（热阻 θJA = 200 ℃ /W ） .................................................................. ..625mW 焊接温度（锡焊， 10 秒） ..................................................................................................................................... 260 ℃
富满微电子集团股份有限公司
FM8502 是一款工作在电感电流临界模式的高精度降压型 LED 恒流驱动芯片，芯片内部集成 500V 功率开关且 具有 OVP 电压调节功能，可通过调节外置 OVP 电阻阻值来设置 Vovp 电压值，另外，芯片 ROVP 引脚带 Enable 功能，可兼容开关调色应用。 FM8502 内置了高精度的采样、补偿电路和高压 JFET 供电技术，无需启动电阻和 VCC 电容，使得系统外围十分简单，在实现高精度恒流控制的前提下，最大限度的节约了系统成本和体积，可 广泛应用于 LED 球泡灯、 LED 蜡烛灯、 LED 日光灯管及其它非隔离降压型 LED 照明驱动领域。
深圳市斯达微电子有限公司
¾ 采用 CMOS 工艺制造，低功耗 ¾ 很宽的工作电压范围（ V DD =2.4V ～ 15V ） ¾ 最大到 12 位三态地址管脚或 6 位数据输出管脚 ¾ SD827 2B 解码可选择锁存型（后缀－ L ）和瞬态型（后缀－ M ）数据输出 ¾ 封装形式为 DIP18 、 SOP18 、 SOP20 或 CHIP （裸芯片）
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FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. 9926A./P ( 文件编号： S&CIC2077) 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管
合肥联睿微电子科技有限公司
工艺： TSMC 40nm ULP 速率： 1Mbps/2Mbps MCU ： ARM Cortex-M0+ 休眠电流： 2.5uA Adv 1.28s 20uA SDK 支持 SIG Mesh 支持锂电池供电 符合 BQB/SRRC/FCC/CE
1.1 微电子器件向纳米尺度的进展
2024 年 7 月 6 日 — Gargini，“维持摩尔定律——微电子学、纳米电子学及其他”。ISO focus，第 28-30 页，2007 年。[10] F. F. Sizov，“红外探测器：展望与...
上海埃诚攸微电子有限公司
1. 充电过程 IU5365E 采用完整的涓流充电、恒流充电、过充电、浮充 电四个过程进行充电。当电池电压小于涓流点时，系统以 I *20% 充电电流充电；当电池的电压大于涓流点时，系 C C 统以 I 充电电流充电；当电池电压达到所设定的过充电电 CC 压值 ， 充电电流逐渐减小，当电流减小到所设定的过充电 结束电流值时，过充电结束，系统进入到浮充电过程 ， 浮 充电电压为过充电电压V 的 90% 。 OC 浮充电模式的存在可以弥补由于电池自放电或者负载耗电 所导致的电池能量损失。在浮充电状态，如果输入电源和 电池仍然连接在充电器上，电池电压仍然逐渐下降到所设 置的过充电电压V 的 85% 时，系统会重新恢复充电状态。 OC
