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World File Search System扭矩
在扭矩下生产三组分部件
Barnes Group Barnes Molding Solutions 是 Barnes Group 的一个战略业务部门，该集团旗下拥有 Männer、Synventive、Thermoplay、Priamus、Gammaflux 和 Foboha 等公司，其中包括注塑成型领域（模具制造、热流道、温度控制和过程控制）的知名品牌。该集团在欧洲、中国和美国拥有自己的制造基地。母公司 Barnes Group (USA) 是高度工程化的产品和工业解决方案的供应商。www.BGInc.com
5d 过渡金属铝合金中来自外部散射的巨自旋霍尔效应和自旋轨道扭矩
磁性赛道存储器。[7,8] 自旋流可通过自旋霍尔效应 (SHE) 由电荷电流产生。人们对某些类别的高质量晶体化合物产生了浓厚的兴趣，这些化合物可产生源自此类材料本征电子能带结构的较大自旋霍尔效应：[9,10] 此类材料包括拓扑绝缘体 [11–13] 以及狄拉克和外尔半金属 [14–16]。然而，在这里，我们展示了非常大的自旋霍尔效应，它是由室温下由 5 d 元素和铝形成的高阻合金中的外部散射产生的，在实际应用中非常有用。自旋轨道相互作用 (SOI) 在自旋霍尔效应中起着核心作用，通常原子序数 Z 越大，自旋霍尔效应越大。此外，化合物或合金中组成元素的 Z 值差异越大，外部散射就越大，因此 SHE 也越大。[17,18] 在这方面，将铝等轻金属与 5 d 过渡金属合金化预计会产生较大的外部 SHE。[19] 在本文中，我们表明 M x Al 100 − x（M = Ta、W、Re、Os、Ir 和 Pt）合金不仅电阻率 ρ 发生剧烈变化，而且自旋霍尔角 (SHA) θ SH 和自旋霍尔 (SHC) σ SH 也随其成分 x 而变化。我们发现，在许多情况下，在临界成分下，会从高度无序的近非晶相转变为高度结晶相。此外，我们发现电阻率和 SHA 在外部散射最大化的非晶-结晶边界附近表现出最大值。为了支持这一猜想，我们发现最大电阻率的大小和相应的 SHA 随 Z 系统地变化。这表明 5 d 壳层的填充起着至关重要的作用，因为电阻率和 SHA 与 M 的 5 d 壳层中未配对电子的数量有关，因此当 M = Re 或 Os 时，ρ 表现出最大值（根据洪特规则，未配对 d 电子的数量分别为 5、6）。我们发现电阻率与 SHA 大致成线性比例，因此与 θ SH 成反比的功耗（ / SH 2 ρ θ ≈ ）在最大 SHA 时最小。[20] 因此，我们发现 M x Al 100 − x 是功率较小的优良自旋轨道扭矩 (SOT) 源
接触力和扭矩估计用于协作...
请注明本论文从合作作品中摘录的章节/部分/页码，并提供摘录中的出版或提交详细信息：Ch：4,5 Cao, F., Docherty, P.D. & Chen, X. Contact force perception for serial manipulator based on weighted moving average with variable span and standard Kalman filter with automatic tuning. Int J Adv Manuf Technol (2021). [Online]. Available: https://link.springer.com/article/10.1007/s00170-021-08036-9（在工程制造领域排名第 21 /50，在机械工程领域排名第 92 /596）Ch：4,6 Cao F, Docherty P D, Ni S, et al. Contact force and torque perception for serial manipulator based on an adapted Kalman filter with variable time period.机器人与计算机集成制造，2021，72：102210。[在线]。可用：https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0736584521000934（机器人学排名第 3 / 29 位，数学排名第 3 / 378 位）
超流二极管效应、自旋扭矩和稳健零点
我们考虑三层 F 1 F 2 F 3 约瑟夫森结，它们在二维上是有限的，并且每个铁磁体 F i (i=1,2,3) 具有任意磁化强度。三层夹在两个 s 波超导体之间，它们具有宏观相位差∆ φ。我们的结果表明，当磁化具有三个正交分量时，超电流可以在∆ φ = 0 处流动。利用我们的广义理论和数值技术，我们研究了电荷超电流、自旋超电流、自旋扭矩和态密度的平面空间分布和∆ φ 依赖性。值得注意的是，当将中心铁磁层的磁化强度增加到半金属极限时，自偏置电流和感应二次谐波分量显著增强，而临界超电流达到其最大值。此外，对于很宽范围的交换场强度和方向，系统的基态可以调整为任意相位差 ϕ 0 。对于中间层 F 2 中的中等交换场强度，可以出现 ϕ 0 状态，从而产生超导二极管效应，从而可以调整 ∆ ϕ 以产生单向无耗散电流。自旋电流和有效磁矩揭示了半金属相中的长距离自旋扭矩。此外，态密度揭示了相互正交磁化配置的零能量峰的出现。我们的结果表明，这种简单的三层约瑟夫森结可以成为产生实验上可获得的长距离自偏置超电流和超流二极管效应特征的绝佳候选者。
全范德华异质结构中的自旋轨道扭矩切换
已成功用于有效操控磁化，从而产生了最近的基于 STT 的商业化磁存储器解决方案。 [1] 自旋轨道扭矩 (SOT) 利用高自旋霍尔效应 (SHE) 材料中的平面电荷电流产生的平面外自旋电流，可以实现更节能的磁化操控，并且正在达到商业成熟度。 [2–4] 到目前为止，已经研究了各种高自旋轨道耦合 (SOC) 材料，包括重金属、拓扑绝缘体 (TI) [5–7] 以及最近的拓扑半金属 (TSM) [8–11]，以最大化它们的自旋霍尔角 θ SH = | J s | / | J c |，这是它们将电荷电流密度 J c 转换为自旋电流密度 J s 的效率的量度。此外，已经研究了高 SHE 和 FM 材料层之间的界面工程，以最大化跨界面的自旋透明度 T int。 [12–19] 高效 SOT 自旋电子器件的关键挑战是最大化 SOT 效率，ξ= θ SH · T int。[20]
基于微磁模拟和增强学习的旋转轨道扭矩切换方案的优化
摘要：旋转轨道扭矩内存是下一代非挥发性随机访问存储器的合适候选者。它将高速操作与出色的耐力结合在一起，在缓存中使用尤其有希望。在这项工作中，将两电流的脉冲磁场旋转轨道扭矩切换方案与增强学习结合在一起，以确定导致该方案的最快磁化切换的电流脉冲参数。基于微磁模拟，这表明开关概率在很大程度上取决于当前脉冲的构造，用于用次纳秒时定时进行细胞操作。我们证明，实现的强化学习设置能够确定最佳的脉冲配置，以达到150 PS的开关时间，比使用非优化脉冲参数获得的时间短50％。强化学习是一种有前途的工具，可以自动化并进一步优化两脉冲方案的开关特性。对材料参数变化的影响的分析表明，如果正确调整了施加的脉冲的当前密度，则可以确保对变异空间内的所有单元的确定性切换。
通过火花放电的锯齿状电极从扭矩电纳米生成器发出的超高功率输出
目的。[1-3]此外，等离子体在包括太空推进和生物医学技术在内的许多领域都起着重要作用。[4-6]阴极管和等离子体的一代需要外部电源设备，但是不幸的是，由于其重量较重，而且体积较大，因此该设备无法便携。因此，高压应用在没有电力供应的太空，战场和偏远地区等严酷的环境中存在严重限制。基于Triboelectrification和静电诱导的工作机制的Triboelectric纳米发育仪（TENGS）[7-11]可以在我们的圆形或人类运动中的机械运动中产生电力，而无需外部电源。[12–16]到目前为止，Teng产生的功率已被用作可植入的医疗设备，发光二极管，液晶显示器，传感器和低功耗电子设备的能源。[11,17–20]考虑到自动高压和便携性，Teng可以被视为高压应用的理想驾驶源。在这项工作中，我们提出了一个基于锯齿的电极的Teng（SE-TENG），该Teng（SE-Teng）基于火花放电来产生超高功率输出，以直接驱动高压操作设备。接触两种不同的摩擦材料，然后
自旋 - 轨道扭矩驱动的多级开关Inhe+ ...
我们已经研究了带有垂直磁各向异性的w/cofeb/mgo大厅杆中的自旋 - 轨道扭矩驱动的磁化切换。通过掩模的离子辐照已用于在大厅交叉处局部减少局部有效的垂直方向异性。异常的大厅效应测量与KERR显微镜相结合表明，开关过程由辐照区域中的域壁（DW）成核支配，然后在当前密度低至0.8 mA/cm 2的快速域传播，辅助平面磁性磁力纤维。多亏了DW在辐照区和非辐照区域之间的过渡时实施的强钉，引起了中间大厅的电阻状态，这通过有限元模拟进一步验证。使用He h He him hion辐照控制电气电阻的这种方法在实现神经形态和Memristor设备方面具有巨大的潜力。
LAO-NCS：激光辅助自旋扭矩纳米振荡器-...
处理大数据，尤其是视频和图像，是现有冯诺依曼机面临的最大挑战，而人脑凭借其大规模并行结构，能够在几分之一秒内处理图像和视频。最有前途的解决方案是受大脑启发的计算机，即所谓的神经形态计算系统 (NCS)，最近得到了广泛的研究。NCS 克服了传统计算机一次一个字思考的限制，得益于类似于大脑的数据处理大规模并行性。最近，基于自旋电子的 NCS 已显示出实现低功耗高密度 NCS 的潜力，其中神经元使用磁隧道结 (MTJ) 或自旋扭矩纳米振荡器 (STNO) 实现，并使用忆阻器来模拟突触功能。尽管与 MTJ 相比，使用 STNO 作为神经元所需的能量较低，但由于启动具有可检测输出功率的振荡需要高偏置电流，因此基于自旋电子的 NCS 的功耗与大脑之间仍然存在巨大差距。在本文中，我们提出了一种基于自旋电子的 NCS（196 × 10）概念验证，其中通过微瓦纳秒激光脉冲辅助 STNO 振荡来降低 NCS 的功耗。实验结果表明，通过将 STNO 加热到 100 ◦ C，设计的 NCS 中 STNO 的功耗降低了 55.3%。此外，与室温相比，100 ◦ C 时自旋电子层（STNO 和忆阻器阵列）的平均功耗降低了 54.9%。与室温下典型的基于 STNO 的 NCS 相比，所提出的基于激光辅助 STNO 的 NCS (LAO-NCS) 在 100 ◦ C 下的总功耗提高了 40%。最后，与室温下典型的基于 STNO 的 NCS 相比，LAO-NCA 在 100 ◦ C 下的能耗预计可降低 86%。