文本引导的图像编辑可以在支持创意应用程序方面具有变革性的影响。关键挑战是生成忠于输入文本提示的编辑,同时与输入图像一致。我们提出了Imagen Edor,这是一种构建的级联扩散模型,通过对文本引导的图像插入的微调[36]构建。Imagen ed- Itor的编辑忠实于文本提示,这是通过使用对象探测器在培训期间提出涂料面罩来提出的。此外,成像编辑器在输入图像中通过对原始高分辨率图像进行调节管道来详细信息。为了证明定性和定量评估,我们介绍了EditBench,这是用于文本指导图像插入的系统基准。EditBench评估在Natu-ral和生成的图像上探索对象,属性和场景的图像。Through extensive human evaluation on EditBench, we find that object-masking during training leads to across- the-board improvements in text-image alignment – such that Imagen Editor is preferred over DALL-E 2 [ 31 ] and Stable Diffusion [ 33 ] – and, as a cohort, these models are better at object-rendering than text-rendering, and handle mate- rial/color/size attributes better than count/shape attributes.
摘要 本文讨论了可用的人工智能 (AI) 模型的组合,即神经语言模型 (NLM) 与经过训练的 GAN 和人类解释,以促进架构构思。工作流程使用语义提示识别推测设计的概念场景。结果成为视觉参考,以补充修订的语义描述,以指导 VQGAN+CLIP 模型,利用对结果的控制,然后使用降维对结果进行排序,并进一步策划以训练其他模型 (GAN)。NLM 对文本输入的解释增加了跨越更大语义距离的可能性,以实现创造性的视觉结果,而 AI-人类步骤的嵌套工作流程可以自动查询更大的解决方案空间。此外,它还考虑了基于语言 (NLM) 的处理模型 (LeCun, 2021) 导致的视觉数据 (Hadamard, 1945) 的低带宽、还原编码问题,这可能会限制设计机构。
根据 511 印第安纳州行政法规 (IAC) 6.2-3.1,所有招收幼儿园至三年级学生的公立学校和州认可的非公立学校都必须向印第安纳州教育部 (IDOE) 提交年度阅读计划。特许学校无需向 IDOE 提交阅读计划,但必须向其特许赞助商提交阅读计划。2024-2025 学年的提交时间为 4 月 5 日星期五至 6 月 30 日星期日。
革命性的民族主义第1阶段和第2阶段甘地阶段和国会:圣雄甘地大会的出现,国会1-1个性的政治组织和国会大会的成立2-非合作向CDM国会运动3-向自由迈向自由1939-1947国会4-各种会议4-各种会议,总统和英国印度报纸的重要成果发展范围<英国报纸的教育范围<
● 使用范围:学区将允许教师和管理人员在一系列任务中使用生成式人工智能,包括但不限于个性化学习计划、课程开发、生成教育内容以及提高排班、资源分配和学校改进策略数据分析等领域的管理效率。 ● 透明度和归因:教师应透明地使用生成式人工智能。这包括在常规环境之外使用人工智能生成的内容时明确告知学生,并将其与人类生成的内容区分开来。这种透明度延伸到学术诚信,人工智能可用于自动执行常规评分任务,但不应将其用于完全执行需要教师特定专业知识和经验的任务(例如评分学生论文)。
摘要 研究:AI 社会认知评估与建模。评估 LLM 中的心智理论及其在心理学中的应用 NLP:LLM IFT、表征学习(对比和三重态损失)、语义聚类、总结 DL:Transformers、MoE、EncDec、RNNs、DPO、LoRA 工具:Python、Pytorch、Deepspeed、AWS Sagemaker、hydra、SQL 管理:建立 ML 团队、职能、策略和 OKR、招聘和指导科学家和实习生以及建立数据和注释合作伙伴关系。
在使用或安装NorskLithium®电池,充电器或配件之前,请阅读并了解本手册。有关其他信息,请参阅“安全信息”部分。保存这些说明以供将来参考。警告:电力的使用以及电池和/或电气设备或电气系统的安装带来了几种危害,包括电动,火灾,伤害和死亡。NORSK锂对使用或安装NORSK锂电池,充电器或附件或遵循本文档中建议的操作而导致的财产损失,人身伤害或死亡不承担任何责任。有关其他信息,请参阅“安全信息”部分。如果您不感到安全,舒适,或者没有资格执行本手册中概述的电池安装或其他操作,请咨询合格的专业电工。感谢您的购买!
周期性三维模式的抽象光刻缩放对于推进可扩展的纳米制造至关重要。当前最新的四型构图或极端紫外线图的线螺距下降到30 nm左右,可以通过复杂的后制造过程将其进一步改进到20 nm。在此,我们报告了使用三维(3D)DNA纳米结构的使用将线螺距缩小至16.2 nm,比当前最新结果小约50%。我们使用DNA模块化外延方法来制造具有规定的结构参数(俯仰,形状和临界维度)沿设计器组装途径的规定的3D DNA掩模。单次反应离子蚀刻,然后以7 nm的横向分辨率和2 nm的垂直分辨率将DNA模式转移到Si底物。DNA模块化表现的光刻相比,在现场效应晶体管中,高级技术节点的预期值的音调更小,并为现有的光刻工具提供了用于高级3D纳米制造的现有光刻工具的潜在补充。
