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World File Search System掺杂
双层镍的两轨模型的磁相图，具有变化的掺杂
是由最近发现的高t c双层镍超导体LA 3 ni 2 O 7的动机，我们通过使用Lanczos方法对不同的电子密度n进行了全面研究BiLayer 2×2×2群集。我们还采用随机相近似来量化第一个磁不稳定性，而哈伯德耦合强度的提高也有所不同。基于自旋结构因子s（q），我们在固定的hund耦合下定义的平面中获得了丰富的磁相图，其中u是Hubbard的强度和W带宽。我们观察到许多状态，例如A-AFM，条纹，G-AFM和C-AFM。在半填充，n = 2（每个Ni位点，对应于n = 16个电子）时，规范的近方交互作用导致具有抗firomagnetic Couplings的稳健的G-AFM状态（π，π，π，π），均带有内在的层和层之间。通过增加或降低电子密度，从“半空”和“半满”机制中出现铁磁趋势，从而导致许多其他有趣的磁趋势。另外，与半完成相比，在孔或电子掺杂区域中，自旋旋转相关性在较弱。n = 1。5（或n = 12），密度对应于La 3 Ni 2 O 7，我们获得了“条纹2”基态（抗铁磁耦合在一个平面方向上，另一个面积为非磁磁耦合，另一个耦合的铁磁耦合，沿Z AxiS沿2×2×2×2 Cluster沿Z AxiS沿Z Axiis沿Z AxiS）。另外，我们获得了沿Z轴的AFM耦合要比XY平面中的磁耦合要强得多。此外，具有q /π=（0。< /div>的状态6，0。随机相近似的计算具有不同的n的结果，即使这两种技术都是基于完全不同的程序，但n的结果与兰斯佐斯的结果非常相似。6，1）在我们的RPA计算中发现了靠近电子期波形，通过将填充略微降低到n = 1，可以找到。25，可能负责在实验中观察到的电子期SDW。我们的预测可以通过化学掺杂LA 3 Ni 2 O 7来测试。
perovs-opant：掺杂散装结构的机器学习潜力
探索新的掺杂材料对于提高半导体的性能，效率和多功能性至关重要。perovskites具有多种结构和可调性，已成为下一代半导体的有前途的候选人。机器学习潜力（MLP）在有效预测散装材料的材料特性方面表现出了巨大的希望。然而，缺乏用于钙壶的全面掺杂数据集阻碍了数据驱动技术在该域中进行高通量筛选和材料发现的应用。在这项工作中，我们提出了一个掺杂数据集“ perovs-opant”，其中包含来自438个不同掺杂的钙钛矿材料宽松轨迹的20,000多个密度功能理论（DFT）数据点。使用perovs-opants，我们评估了在散装材料轨迹上预先介绍的基础模型MACE-MP，以标记最先进的MLP的性能。我们的结果表明，尽管MACE-MP在散装晶体上表现出色，但Perovs-opants代表了分布的挑战，并具有重大的预测错误。我们通过对MACE-MP进行填充以实现佩洛斯型和原始散装晶体的比较建模来赎回这些效果。
可扩展的自下而上的合成co-ni掺杂石墨烯
将杂原子引入石墨烯是调节其催化，电子和磁性特性的强大策略。与氮（N）和硼（B）掺杂的石墨烯的变化时，目前缺乏碳（C）网格中的一种可扩展的企业过渡金属原子的方法，从而限制了模型系统研究的应用兴趣。这项工作提出了生长的合成，从而使钴（CO）与Ni（111）底物上石墨烯中的镍（Ni）原子一起掺入。单个原子在Graphene双空缺中共价稳定，相对于C原子，CO负载范围为0.07至0.22％，可通过合成参数控制。结构表征涉及可变温度的扫描隧道显微镜和AB IN-TIO计算。将共同编码的层转移到透射电子显微镜网格上，通过扫描透射电子显微镜和电子能量损耗光谱法进行了稳定性。此方法对旋转，气体传感，电化学和催化的应用有望，以及对类似金属的石墨烯掺入的潜在扩展。
Mg和Cu共掺杂的ZnO纳米结构的光电特性A. Ullah A，N。Ali B，*，A。A. A. A. Bahajjaj C，A。A. Shahid A，Q. S. S. Ahmad A，M。Ja
b非洲可持续农业研究所（ASARI）Mohammad VI理工大学（UM6P），Laayoune，摩洛哥C C C型化学系，沙特国王大学，里亚德大学11451年，沙特阿拉伯，阿拉伯人11451 Sheffield，S1 3JD，英国，在这项工作中，纯和MG-CU共掺杂的氧化锌薄膜都是由Sol-Gel Spin涂层技术制备的。微观玻璃基板用于合成薄膜。通过X射线光谱（XRD），光致发光光谱（PL），扫描电子显微镜（SEM），紫外线可见光谱（UV-VIS）和能量分散X射线分析（EDX）检查薄膜。XRD揭示了膜的六边形Wurtzite阶段。对于纯和MG-CU共掺杂的ZnO，观察到的晶粒尺寸分别为23.34 nm至15.94 nm。SEM图像显示了晶粒尺寸的增加，并通过MG-CU共掺杂表面平滑。通过EDX分析证实了ZnO纳米膜中Mg和Cu的存在。紫外线分析显示，掺杂的透射百分比增加。TAUC关系用于估计样品的带隙，并观察到带隙的显着转移。光致发光图显示出更大的发射和掺杂的表面缺陷。可见的光谱完全被低水平的发射覆盖。（2024年7月1日收到； 2024年10月8日接受）关键字：掺杂；传播；纳米颗粒；光致发光1。[3，4]。引言Nano材料有可能通过提高能源转换，存储和传输的效率来彻底改变能源领域。纳米材料可以设计为具有独特且通常是出乎意料的特性，这些特性在散装材料中没有看到，这使得它们对能源应用特别有希望。在当今时代，纳米赛车在舒适人类的能源生产和分配方面做出了巨大的改进。现代技术进步，最终要求更有效的物理和化学技术来开发和生产高级系统，以及不同形式的能源的转换。尽管有一个事实，即尚未耗尽全球化石资产，但是我们目前使用的不同形式的能源的不适当模式的破坏性健康，社会和生态效应是显而易见的[1，2]。能源生产的最大规模替代品以维持和改善由于人口增长和全球化的生命标准，并改善了我们的生活标准素。似乎很可能会增加温室气体的排放，并在未来50年中导致未来的全球变暖。能源与气候变化之间的联系强调了迫切需要过渡到更可持续和弹性的能源系统，该系统可以支持经济发展并改善人民和地球的福祉。这需要政府，企业和个人的共同努力，以优先考虑和投资清洁能源技术和实践，并减少经济各个部门的温室气体排放。
氧化锌纳米颗粒的绿色合成掺杂的leucas aspera叶提取物
及其光催化应用V. C. C. Senthilkumar a，*，N。Bhadusha A，R。Uthrakumar B，K。Kaviyarasu C A Chaviyarasu C A Chemistry o a Govt。艺术学院（自治），塞勒姆-636007，印度泰米尔纳德邦B物理学系，政府。Arts College (Autonomous), Salem - 636007, Tamil Nadu, India c UNESCO-UNISA Africa Chair in Nanosciences/Nanotechnology Laboratories, College of Graduate Studies, University of South Africa (UNISA), Muckleneuk Ridge, PO Box 392, Pretoria, South Africa Zinc oxide (ZnO) nanoparticles have been produced from the leaf extract of Leucas Aspera通过在绿色综合策略中利用直接的共同产生技术。通过光催化分析，FTIR，XRD，UV-可见和SEM检查产生的纳米颗粒。ZnO相关的独特峰。XRD研究验证了产生的纳米颗粒具有六边形晶体结构。掺杂的ZnO利用叶提取物具有表面形态，实际上是球形的，并且凝聚最小。ZnO-LA复合物的光催化染料降解有效性针对可见光照射约为83％。（2024年7月16日收到； 2024年10月22日接受）关键词：ZnO纳米颗粒，有机染料，UV-可见性，光催化性能，传输电子显微镜，高级氧化过程1。引言许多技术和工业领域，包括环境科学，食品技术，生物技术，健康，信息科学，能源，运输等，这在很大程度上都在现代化，这要归功于纳米技术。因为纳米技术可以以极小的尺寸修改材料的性质，所以它对材料科学研究的发展产生了巨大影响。大多数纳米颗粒是使用自下而上的技术创建的，例如水热，喷雾热解，化学蒸气沉积和溶胶 - 凝胶手术，以及自上而下的技术，例如溅射，光刻和球铣削。可以通过调整化学浓度和反应条件，特别是在化学程序中来操纵纳米颗粒的大小和结构。但是，这些技术是昂贵，危险和有毒的，并且经常产生意外的副产品。
具有高稳定性、CMOS 兼容掺杂剂的低接触电阻 WSe2 p 型晶体管
摘要：高接触电阻一直是开发高性能过渡金属二硫属化物 (TMD) 基 p 型晶体管的瓶颈。我们报道了简并掺杂的少层 WSe 2 晶体管，其接触电阻低至 0.23 ± 0.07 k Ω·μ m/接触，其使用氯化铂 (IV) (PtCl 4 ) 作为 p 型掺杂剂，该掺杂剂由与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 制造工艺兼容的离子组成。栅极长度为 200 nm 的顶栅器件表现出良好的开关行为，这意味着掺杂剂扩散到栅极堆栈中并不显著。这些器件在空气中放置 86 天后未进行任何封装，同时在 78 K 温度下保持简并掺杂状态，且压力低于 10 − 5 Torr，突显了掺杂剂的稳定性。所提出的方法阐明了对具有减薄肖特基势垒宽度的晶体管进行图案掺杂以获得低接触电阻器件的高稳定性方法的可用性。关键词：二硒化钨、电荷转移掺杂、场效应晶体管、二维材料、高稳定性
通过dosprosium（DY3+）掺杂
Tuning structural, electrical, dielectric, and magnetic properties of Mg-Cu-Co ferrites via dysprosium (Dy 3+ ) doping Maria Akhtar a , M. S. Hasan b , Nasir Amin a , N. A. Morley c , Muhammad Imran Arshad a * a Department of Physics, Government College University, Faisalabad, 38000, Pakistan.B物理系，拉合尔大学，拉合尔1公里，拉合尔路1公里，巴基斯坦54000。 c材料科学与工程系，英国谢菲尔德大学，S1 3JD。 *通讯作者：miarshadgcuf@gmail.comB物理系，拉合尔大学，拉合尔1公里，拉合尔路1公里，巴基斯坦54000。c材料科学与工程系，英国谢菲尔德大学，S1 3JD。 *通讯作者：miarshadgcuf@gmail.comc材料科学与工程系，英国谢菲尔德大学，S1 3JD。*通讯作者：miarshadgcuf@gmail.com
对锌钛纳米颗粒的锌掺杂的影响
A.P.，印度。 摘要：本研究的重点是Zn X La 1 -X TiO 3（x = 0.1-0.7）（Zlto）纳米颗粒的合成和表征。 X射线衍射模式证实了四方结构和相纯度，随着锌含量的增加，晶胞尺寸扩大。 形态分析揭示了球形颗粒，杆和纳米级颗粒的形成。 紫外可见光谱表明，根据“ x”的值，范围为3.01 eV至3.64 eV的带隙（E G）。 还检查了介电参数的频率和组成依赖性。 使用复杂的介电模量和阻抗光谱法有效地分析了空间电荷极化。 cole-cole地块证实了Zlto材料的半导体性质，这是由完整的半圆形弧证明的，并揭示了存在非狂热型弛豫的存在。 关键字：纳米颗粒；水热；结构;形态学;乐队差距；电介质。A.P.，印度。摘要：本研究的重点是Zn X La 1 -X TiO 3（x = 0.1-0.7）（Zlto）纳米颗粒的合成和表征。X射线衍射模式证实了四方结构和相纯度，随着锌含量的增加，晶胞尺寸扩大。形态分析揭示了球形颗粒，杆和纳米级颗粒的形成。紫外可见光谱表明，根据“ x”的值，范围为3.01 eV至3.64 eV的带隙（E G）。还检查了介电参数的频率和组成依赖性。使用复杂的介电模量和阻抗光谱法有效地分析了空间电荷极化。cole-cole地块证实了Zlto材料的半导体性质，这是由完整的半圆形弧证明的，并揭示了存在非狂热型弛豫的存在。关键字：纳米颗粒；水热；结构;形态学;乐队差距；电介质。
Sn掺杂TiO2薄膜的合成和表征...
M. Vanmathi A，，A。PriyaA，M。S. Tahir A，Sahir A，M。S. Razakh a，M。M. Senthil Kumar B，*，R。Indrajit C，R。Indrajit C，V。Elango D，G。Senguttuvan E，R v. Mangalaraja f。泰米尔纳德邦，印度-600 048 B机械工程学院，Vellore技术研究所，钦奈，泰米尔纳德邦，泰米尔纳德邦，印度-600 127 c物理系印度纳杜（NADU），600 089 E物理学系，安娜大学蒂鲁奇拉帕利大学工程学院毒性。进一步的金属掺杂可改变电导率，电气和光学特性。在这项研究中，使用喷雾热解技术进行了SN掺杂TIO 2的沉积。通过使用Hall效应技术获得了电性能，并通过X射线衍射和EDAX扫描电子显微镜分析膜的结构特性。X射线衍射的结果表明，通过喷雾热解沉积的薄膜是多晶的多晶，在（002）场的方向上优先取向。SEM分析表现出通过喷雾热解沉积的薄膜的膜结构。使用HALL效应技术获得了电导率的结果。（2024年6月7日收到； 2024年9月26日接受）关键词：二氧化钛（TIO 2），X射线衍射，扫描电子显微镜（SEM），Hall效果1。今天的引言，众所周知，大多数半导体使用二氧化钛纳米颗粒[1]。TiO 2在传感器[2]，抗菌剂[3]，氢[4]，照片催化剂[5]和水蒸发[6]中找到了其应用。tio 2以其良好的光学特性，廉价，无毒和化学稳定而闻名。
在压力下，通过电子掺杂在三层镍中通过电子掺杂增强了S±波超导性的预测
是由最近报道的Trilayer LA 4 Ni 3 O 10在压力下的超导性的签名的动机，我们使用从头算和随机相近似技术全面研究了该系统。没有电子相互作用，NI D 3 z 2-r 2轨道显示通过op z轨道构成键合 - 抗抗反向和非键的分裂行为，这些轨道在La 4 Ni 3 O 10中诱导“ Trimer”晶格，类似于La 3 Ni 2 O 7的二聚体。费米表面由三个具有混合e轨道的电子纸组成，一个由D 3 z 2-r 2轨道组成的孔和电子袋组成，这表明Ni两轨最小模型。另外，我们发现由于M¼ðπ之间的部分嵌套，在S波通道中诱导了超导配对。以γ¼d为中心的费米表面的中心口袋和部分； 0Þ点。随着电子密度n的变化，S不稳定性保持领先，其配对强度显示出最大n¼4左右的Domelike行为。2（〜6。7％电子掺杂）。超导不稳定的消失在与新的1313堆叠La 3 ni 2 O 7中相同的电子密度消失，这与三层sublattice产生的孔口袋消失有关，这表明La 3 Ni 2 O 7的高t c超导性不源自trililayer and Monolayer and Monolayerererererereraner和monlayerererererereraner和mon。此外，我们在LA 4 ni 3 O 10中确认了拟议的自旋状态，其平面内（π，π）顺序（π，π）和底部Ni层之间的抗铁磁耦合，中间层中的旋转零。