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World File Search System掺杂
利用半导体薄膜中的反向掺杂不对称
† 富Zn条件下的μ Zn等于Zn金属每个原子的总能量，富O条件下的μ O对应于O 2 分子每个原子的总能量；平衡条件μ O + μ Zn = μ ZnO用于获得相同条件下的另一化学势，其中μ ZnO是ZnO块体的每个化学式的平均能量。
石墨烯和掺杂石墨烯：DFT 比较研究
已经考虑了两种不同的模型，即卵烯 (C 32 H 14 ) 和环环烯 (C 54 H 18 ) 及其各自的掺杂模型 (C 31 XH 14 、C 53 XH 18，其中 X = B、Al、N、P、Fe、Ni 和 Pt)，用于 GGA-PBE/DNP 级别的 DFT 计算。根据各种计算出的结构参数和电子特性对这两个模型进行了比较。还绘制了电子态密度 (DOS) 光谱，以查看尺寸增加时电子特性的变化。从较小的模型移动到较高的模型时，结构和电子特性没有发生重大变化。发现掺杂保持了表面的平面性，但会引起掺杂原子周围键长发生相对较大的变化，从而削弱键。版权所有 © VBRI Press。关键词：DFT、石墨烯、掺杂、DOS。简介
氧气掺杂三碘二碘乙二醇
尽管取得了显着的进展，但关于MHP的光扣材料和设备属性的典型问题尚未得到充分解决。[13]一个重要的问题是这项工作的中心，它是费米水平（E F）位置在MHP的能量差距中的强烈变化，名义上未含量的MHP据报道表现出从N型到P型的行为。[14–20]，例如，Schulz等。表明，仅通过将基板从TIO 2变为NiO X，可以将三碘铅中的E F（MAPBI 3）移动多达0.7 eV。[17]在Concontast，Zohar等。发现，基于单乙烯的钙钛矿（例如Mapbbr 3和Cspbbr 3）表现出与底物无关的常数E F位置。[18]此外，OLTHOF报告了MHP E F位置与底物工作功能之间的关系，以表现出相当大的散射，超过1 eV。[21]这种相互矛盾的观察结果已暂时归因于薄膜化学计量，样品制备条件和方法以及样品处理的历史（例如，空气暴露）的差异。[22]例如，已经表明，样本工作功能可以受到化学计量组合的强烈影响。[20,21]此外，根据表面状态的存在，表面带弯曲可以进一步使MHP能级的相互作用与底物的关系复杂化。[23]最后，源自样本制备和/或处理的不同环境条件已显示出不一致的行为。[24–32]因此，急需对钙钛矿/底物界面的能级比对机理进行彻底的和系统研究。
Na2Mn3O7层状结构中Cu掺杂效应的研究...
近年来，钠离子电池 (SIBs) 因其丰富的地球资源、环境友好、成本低以及高能效而受到广泛关注。与锂离子电池相比，不断发展的先进正极在提高 SIB 性能方面发挥着关键作用。层状过渡金属氧化物 NaxMO2（M = Co、Mn、Fe、Ni 等）由于组成多变、活性中心丰富以及电化学性能良好而成为 SIB 有前途的正极之一。在这些层状过渡金属氧化物中，层状氧化锰基材料因锰无毒、前体价格便宜以及高容量而受到关注。为了提高 SIB 的性能，金属原子掺杂在层状正极中得到了广泛的研究。通过掺杂可以提高结构稳定性和容量保持率。
高导电性钨掺杂氧化锡（IV）透明
图 2：a) 还显示了 0-3 at.% W 掺杂 SnO 2 薄膜的 XRD 图案以及锡石相中 SnO 2 的计算图案。b) (211) 峰的放大图，显示在 SnO 2 中 W 替换后没有明显的偏移。c) 导电性最强的薄膜 (1.5 at.% 掺杂 W: SnO 2 ) 的 La Bail 拟合。d) SnO 2 薄膜中不同 W 浓度下纹理系数的变化，其中纹理系数值高于 1 表示该平面优先生长。
可扩展的自下而上的合成co-ni掺杂石墨烯
将杂原子引入石墨烯是调节其催化，电子和磁性特性的强大策略。与氮（N）和硼（B）掺杂的石墨烯的变化时，目前缺乏碳（C）网格中的一种可扩展的企业过渡金属原子的方法，从而限制了模型系统研究的应用兴趣。这项工作提出了生长的合成，从而使钴（CO）与Ni（111）底物上石墨烯中的镍（Ni）原子一起掺入。单个原子在Graphene双空缺中共价稳定，相对于C原子，CO负载范围为0.07至0.22％，可通过合成参数控制。结构表征涉及可变温度的扫描隧道显微镜和AB IN-TIO计算。将共同编码的层转移到透射电子显微镜网格上，通过扫描透射电子显微镜和电子能量损耗光谱法进行了稳定性。此方法对旋转，气体传感，电化学和催化的应用有望，以及对类似金属的石墨烯掺入的潜在扩展。
硅的拉曼光谱，用铂掺杂并被质子辐照
摘要。在这项工作中，通过拉曼光谱法研究了质子照射和铂杂质对硅样品晶体结构的影响。已经确定，具有铂的Si的单晶掺杂会导致小变化和拉曼光谱中新振动的出现。在521 cm – 1处主硅峰的强度降低了1.6倍，而其FWHM实际上没有变化，约为4.0 cm – 1。这种峰强度的降低可能是由于PT扩散而导致硅晶格结构中键的键和破坏。表明，在Si 光谱中60–280 cm1范围内的新振动的出现与元素PT的存在和PTSI的形成有关。已经发现，具有600 keV质子的Si 样品的照射会导致拉曼光谱发生变化，而PT和/或PTSI的峰消失了。
基于 La 掺杂 BiFeO3 结的随机存取多级非易失性存储器
电阻开关器件由于其出色的性能、简单性和可扩展性而成为下一代非易失性存储器的有希望的候选者。其中，开发多级电阻开关因其在显著提高信息存储密度且不消耗额外能量的潜力而引起了广泛关注。尽管在许多金属氧化物和有机材料中已经观察到连续多级电阻开关 (CMRS)，但实际应用仍然迫切需要实现高速和可靠的随机存取多级非易失性存储器 (RAMNM)。在这里，我们成功地制造了一种基于高性能脉冲宽度调制忆阻铁电隧道结 (FTJ) 的 RAMNM，其 Pt/La 0.1 Bi 0.9 FeO 3 /Nb:SrTiO 3 在室温下具有超过 4 × 10 5 的巨大开关比。
宽温度范围统一未掺杂块状硅...
摘要 — 几十年来，对于从 4K 到室温以上的硅载流子，一直没有开发出统一的模型。本文提出了一个统一的未掺杂硅低场和高场迁移率模型，分别针对 8K 到 300K 和 430K 时<100>和<111>方向的电子以及 6K 到 430K 时<100>方向的空穴。研究发现，Canali 高场饱和模型足以拟合<111>实验数据，但不能拟合<100>数据，这是由于各向异性引起的平台期和负差速度。因此，使用了改进的 Farahmand 模型。为了允许在各向异性模拟中进行参数插值，还针对<111>方向校准了改进的 Farahmand 模型。然后使用该模型预测 4K 下未掺杂 Si 中电子和空穴的迁移率，当有可靠的实验数据可用于 TCAD 模型开发时，该迁移率可作为初始校准参数。
通过抑制掺杂诱导无序来增强共轭聚合物的热电性能
掺杂是提升各种有机电子器件性能的重要策略。然而，在许多情况下，共轭聚合物中掺杂剂的随机分布会导致聚合物微结构的破坏，严重限制了电子器件的可实现性能。本文表明，通过离子交换掺杂聚噻吩基 P[(3HT) 1-x -stat-(T) x ]（x = 0（P1）、0.12（P2）、0.24（P3）和 0.36（P4）），无规共聚物 P3 实现了 > 400 S cm − 1 的极高电导率和 > 16 μ W m − 1 K − 2 的功率因数，使其成为有史以来报道的基于未排列的 P3HT 薄膜中最高的电导率之一，明显高于 P1（< 40 S cm − 1 、< 4 μ W m − 1 K − 2）。尽管两种聚合物在原始状态下都表现出相当的场效应晶体管空穴迁移率≈0.1 cm 2 V − 1 s − 1，但掺杂后，霍尔效应测量表明 P3 表现出高达 1.2 cm 2 V − 1 s − 1 的霍尔迁移率，明显优于 P1（0.06 cm 2 V − 1 s − 1）。GIWAXS 测量确定掺杂 P3 的平面内𝝅 – 𝝅堆叠距离为 3.44 Å，明显短于掺杂 P1（3.68 Å）。这些发现有助于解决 P3HT 中长期存在的掺杂剂诱导无序问题，并作为在高掺杂聚合物中实现快速电荷传输以实现高效电子器件的典范。