机构名称：
¥ 2.0
图 2：a) 还显示了 0-3 at.% W 掺杂 SnO 2 薄膜的 XRD 图案以及锡石相中 SnO 2 的计算图案。b) (211) 峰的放大图，显示在 SnO 2 中 W 替换后没有明显的偏移。c) 导电性最强的薄膜 (1.5 at.% 掺杂 W: SnO 2 ) 的 La Bail 拟合。d) SnO 2 薄膜中不同 W 浓度下纹理系数的变化，其中纹理系数值高于 1 表示该平面优先生长。
高导电性钨掺杂氧化锡（IV）透明
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