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World File Search System无间隙
近距性诱导的无间隙超导性。
二维半导体 - 螺旋体异质结构构成了许多纳米级物理系统的基础。但是，测量此类异质结构的性质并表征半导体原位是具有挑战性的。[1]最近的一项实验研究能够使用超流体密度的微波测量值探测杂质内的半导体。这项工作表明，由平面磁场引起的半导体中超流体密度的迅速耗竭，在存在自旋轨道耦合的情况下，这会产生所谓的Bogoliubov Fermi Sur- sus。实验工作使用了一个简化的理论模型，该模型忽略了半导体中非磁性疾病的存在，因此仅在定性上描述数据。是由实验激励的，我们引入了一个理论模型，该模型描述了一个具有强旋转轨道耦合的无序半导体，该模型由超级导体邻近。我们的模型为状态密度和超流体密度提供了特定的预测。存在疾病的存在导致无间隙超导阶段的出现，这可能被视为Bogoliubov Fermi表面的表现。应用于真实的实验数据时，我们的模型显示出了出色的定量一致性，并在考虑到磁场的轨道贡献后，提取了材料参数（如平均自由路径和迁移率），以及e ef the g-tensor。我们的模型可用于探测其他超导体 - 症状导体异质结构的原位参数，并可以进一步扩展以访问运输特性。
几乎无间隙，高度连续的参考基因组，用于populus ussuriensis的双倍线，使高级基因组研究
抽象的人群物种，尤其是trichocarpa，长期以来一直是基因组研究的模型树，这是由于完全测序的基因组。然而，高杂合性和重复区域的存在，包括丝粒和核糖体RNA基因簇，剩下了59个未解决的间隙，占三分法P. trichocarpa基因组的3.32％。在这项研究中，改进了愈伤组织诱导方法，以从P. ussuriensis花药中得出双倍的单倍体（DH）愈伤组织。利用长阅读测序，我们成功地组装了一个几乎没有间隙的，端粒到telomere（T2T）P。ussuriensis基因组，跨越了412.13 MB。该基因组组件仅包含7个间隙，其重叠n50长度为19.50 MB。注释显示该基因组中有34,953个蛋白质编码基因，比trichocarpa多465个。值得注意的是，中心区域的特征是高阶重复序列，我们在所有DH基因组染色体中鉴定了和注释的中心粒区域，这是杨树的第一个。衍生的DH基因组表现出与毛thocarpa的高共线性，并显着填补了后者基因组中存在的空白。此T2T P. ussuriensis参考基因组不仅会增强我们对基因组结构的理解，并在杨树属内的功能增强了我们的功能，而且还为杨树基因组和进化研究提供了宝贵的资源。
无间隙植物基因组时代：测序和映射技术的创新革命性基因组学和繁殖尼古拉斯·格拉德曼（Nicholas Gladman）1，2，sara goo
全基因组测序和组装彻底改变了植物遗传学和分子生物学。然而，第一代和第二代技术的显着缺点导致了不完善的参考基因组：高质量或不确定的序列的大量和较大的差距高度重复性DNA的领域以及有限的染色体相限制，研究人员限制了研究人员表征最近期犯罪事件的调节性非编码元素和谱系区域的能力。最近，长阅读测序的进步导致了植物基因组的第一个无间隙，端粒到端粒（T2T）组件。这种飞跃有可能提高基因组学和分子实验的速度和信心，同时降低研究界的成本。
![arxiv：2405.01914v1 [cond-mat.supr-con] 2024年5月3日](/simg/e\e549a5e091d65106c64da7837ef3058a4c893fbf.webp)
arxiv：2405.01914v1 [cond-mat.supr-con] 2024年5月3日
，我们提出了一个理论框架，用于在存在二维（2D）磁性阵列的磁性阵列的情况下，在不受规定的超导电器的顶部产生二维（2D）磁性磁盘阵列，以产生无间隙拓扑超导性（GTSC）托管Majoraana Flat Edge模式（MFEM）。Our observations reveal two distinct topological phase transitions within the emergent Shiba band depending on the exchange coupling strength ( J ) between magnetic adatom spins and superconducting electrons: the first one designates transition from gapless non-topological to gapless topological phase at lower J , while the second one denotes transition from gapless topological to a trivial gapped superconducting phase at higher J .无间隙拓扑超导阶段在J的中间值（托管MFEM）的中间值中存活。此外，我们研究了批量有效配对的性质，这些配对表明GTSC出现是由于伪“ s -Wave”和伪“ P x + p y”类型的配对的相互作用。因此，我们的研究为基于D波超导体作为高温平台的2D Shiba晶格实现GTSC的实验开辟了一个有希望的途径。
反铁磁驱动的二维拓扑节点超导
磁体/超导体混合物 (MSH) 有望成为新兴拓扑超导相 [1, 2, 3, 4, 5]。接近 s 波超导体的一维 (1D) [6, 7, 8] 和二维 (2D) [9, 10, 11, 12] 磁系统均已显示出具有零能量端态和手性边缘模式的带隙拓扑超导的证据。最近，有人 [13] 提出，块体过渡金属二硫属化物 4Hb-TaS 2 是一种无间隙拓扑节点超导体 (TNPSC) [14]。然而，目前尚未在 MSH 系统中实验实现 TNPSC。本文我们介绍了在 s 波超导体顶部的反铁磁 (AFM) 单层中发现 TNPSC。我们的计算表明，拓扑相由 AFM 序驱动，从而导致无间隙时间反转不变拓扑超导态的出现 [15]。利用低温扫描隧道显微镜，我们在反铁磁岛的边界观察到低能边缘模式，它将拓扑相与平凡相分开。正如计算所预测的那样，我们发现边缘模式的相对光谱权重取决于边缘的原子结构。我们的研究结果确立了反铁磁性和超导性的结合是设计二维拓扑量子相的新途径。
GCI：完整基因组组件的连续性检查员
抽象动机：长阅读测序技术的最新进展显着促进了高质量基因组组装的产生。端粒到核（T2T）无间隙组装已成为基因组组装工作的新金标准。最近的一些努力声称产生T2T水平参考基因组。但是，仍然缺少通用标准，以使基因组组件以T2T标准为标准。传统的基因组组装评估指标（N50及其衍生物）在全球和本地的连续性中都无法区分几乎T2T组装和真正的T2T组装。此外，这些指标与原始读取无关，使它们通过人工操作轻松膨胀。因此，在完整基因组的时代，迫切需要单个核苷酸分辨率的无间隙评估工具，以反映真正的完整性。结果：在这里，我们提出了一种称为基因组连续性检查器（GCI）的工具，旨在评估单基碱分辨率下的基因组组装连续性，并评估组件与T2T水平的距离程度。GCI利用多个对齐器映射从各个测序平台回到组件的长读数。通过纳入高信心读取对齐的策划映射覆盖范围，GCI确定了潜在的组装问题。同时，它提供了量化整个基因组或染色体尺度上整体组装连续性的GCI评分。可用性：在MIT许可下，可以在GitHub（https://github.com/yeeus/gci）上免费获得开源GCI代码。联系人：gujiezhang@zju.edu.cn（G.Z）或wudongya@zju.edu.cn（d.w.）补充信息：可在BreiOnformatics Online获得补充数据。
量子场论中的Berry相
𝑚 ത 𝜓𝑒 𝑖𝛾 01 𝛼 𝜓= 𝑀 ത 𝜓 + 𝜓 − + hc 该理论具有 𝑈1 𝑉 对称性 𝜓→𝑈𝜓 。 • 𝑀≠0 ：具有唯一基态的间隙。 • 𝑀= 0 ：余维数为 2 的无间隙魔鬼点。 • 𝑀= 0 ：对于 𝑈1 𝐴 −𝑈1 𝑉 出现混合异常，但对于 𝑀≠0 则不存在 𝑈1 𝐴 问：我们可以添加相互作用来使系统间隙化，同时仅保留 𝑈1 𝑉 对称性吗？ （否。 Diabolic point 受 Thouless 泵不变量保护。）问：是否存在连续依赖于参数的平凡间隙界面族？（否，Berry 相的体边界对应示例）
具有体拓扑的 Nielsen-Ninomiya 定理：...中的对偶性
Nielsen-Ninomiya 定理是高能和凝聚态物理中关于手性费米子在静态晶格系统中实现的基本定理。本文我们扩展了动态系统中的定理，其中包括静态极限中的原始 Nielsen-Ninomiya 定理。原始定理对于块体手性费米子来说是行不通的，而新定理由于动态系统固有的块拓扑而允许它们实现。该定理基于对偶性，可以统一处理周期性驱动系统和非厄米系统。我们还给出了受对称性保护的非手性无间隙费米子的扩展定理。最后，作为我们的定理和对偶性的应用，我们预测了一种新型的手性磁效应——非厄米手性磁肤效应。
合成，疾病和伊斯兰各向异性在新的自旋液体候选prmgal11O19
随着温度的降低，旋转sublattice冻结的倾向，尤其是在固定中心的缺陷和/或无序周围。例如，在YBMGGAO 4的三角形拉力中，非磁离子Mg和GA之间存在位点障碍会诱导自旋玻璃行为[2]。然而，混乱并不总是对QSL状态有害。对pyrochlore氧化物[3，4]和1 T -TAS 2 [5]的研究表明，淬灭的疾病没有竞争，而是与挫败感诱发强量子逆转的合作，并可能引起新兴的旋转疾病，导致无间隙激发负责。从实验的角度来看，QSL状态不会打破任何对称性，从而使使用单个技术识别识别[6]。非弹性中子散射的作用