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二维半导体 - 螺旋体异质结构构成了许多纳米级物理系统的基础。但是，测量此类异质结构的性质并表征半导体原位是具有挑战性的。[1]最近的一项实验研究能够使用超流体密度的微波测量值探测杂质内的半导体。这项工作表明，由平面磁场引起的半导体中超流体密度的迅速耗竭，在存在自旋轨道耦合的情况下，这会产生所谓的Bogoliubov Fermi Sur- sus。实验工作使用了一个简化的理论模型，该模型忽略了半导体中非磁性疾病的存在，因此仅在定性上描述数据。是由实验激励的，我们引入了一个理论模型，该模型描述了一个具有强旋转轨道耦合的无序半导体，该模型由超级导体邻近。我们的模型为状态密度和超流体密度提供了特定的预测。存在疾病的存在导致无间隙超导阶段的出现，这可能被视为Bogoliubov Fermi表面的表现。应用于真实的实验数据时，我们的模型显示出了出色的定量一致性，并在考虑到磁场的轨道贡献后，提取了材料参数（如平均自由路径和迁移率），以及e ef the g-tensor。我们的模型可用于探测其他超导体 - 症状导体异质结构的原位参数，并可以进一步扩展以访问运输特性。
近距性诱导的无间隙超导性。
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