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World File Search System晶圆键合
签订半导体多晶硅事业合资协议（设立合资公司）...
我们正在投入管理资源来扩大我们的业务并促进国际扩张。此次合资项目正是这样的一项举措。预计今后随着半导体市场的扩大，多晶硅的需求也将增加，我们与OCI成立合资公司，构建利用清洁能源的半导体用多晶硅的生产和供应体制，在抑制二氧化碳排放量增加的同时，加速扩大电子领域的事业。
基于机器学习的晶圆排序产量预测基于晶圆接受测试数据
Delta Rsquare Delta Rsquare All features (614) 1.75% 0.341 2.63% 0.139 Top 500 features 1.73% 0.354 2.56% 0.129 Top 400 features 1.73% 0.372 2.02% 0.148 Top 300 features 1.71% 0.343 2.22% 0.197 Top 200 features 1.73% 0.393 2.34% 0.22前100个功能1.61％0.405 1.95％0.21 Top 50个功能1.59％0.423 2.00％0.334 TOP 25特征1.62％0.42 2.29％0.372
C2W 混合键合联盟
情况说明书 A*STAR 微电子研究所与八家半导体公司合作成立芯片到晶圆混合键合联盟 2021 年 2 月 11 日 A*STAR 微电子研究所 (IME) 与领先的半导体公司合作开发芯片到晶圆 (C2W) 混合键合，用于高密度 2.5D 和 3D 集成电路 (IC) 集成。新成立的竞争前 C2W 混合键合联盟由国际和本地行业供应链公司组成，将利用 IME 在 2.5D 和 3D IC 集成和键合技术方面的专业知识来开发 C2W 混合键合工艺并演示 4 个芯片堆叠且间距 ≤10um 互连。请参阅附件 A 以获取联盟成员的完整列表。 IME 牵头的 C2W 混合键合联盟由全球领先的工业企业和新加坡的一家中小企业组成，包括设备制造商、设备和材料供应商。设备制造商为设计、工艺和可靠性要求做出贡献，而设备供应商则通过带来新的先进工具和能力以及开发和修改专用于混合键合和模块工艺开发的硬件来做出贡献。材料供应商将带来用于混合键合的新型介电材料以及用于薄晶圆处理的临时粘合剂。本地中小企业 Capcon Singapore 为该联盟带来了其在制造倒装芯片键合机方面的强大专业知识；主要是高精度高生产率芯片键合机和倒装芯片键合机、晶圆上芯片键合机和封装上封装键合机的能力。作为该联盟的成员，Capcon 能够加速其在芯片到晶圆混合键合领域的研发并缩短其开发周期。IME 将与联盟成员一起领导开发和流程集成，以实现高产量多堆栈 C2W 混合键合。由于数据中心和高性能计算 (HPC) 应用需要大量数据存储和数据处理，对更高速度和更大内存容量的需求不断增长。此外，片上系统 (SoC) 正朝着具有高密度 2.5D/3D 集成的“小芯片”发展。混合搭配功能小芯片能够通过重复使用现有 IP 和芯片来降低设计成本和时间，而传统的 2D 缩放不再能降低芯片成本。基于对高密度 3D 堆叠内存和 2.5D/3D 异构集成的强烈需求，细间距芯片间连接引起了半导体行业的极大兴趣。使用混合键合的 C2W 堆叠是满足这些需求以及细间距互连和小尺寸的关键。
第25 届电子封装技术国际会议
车博士曾 4 次获得最佳国际会议论文奖 (EPTC2003 、 EPTC2013 、 Itherm2006 、 ICEPT2006) 。 他合着了一本书，并在先进微电子封装领域的同行期刊和会议论文集上发表了 170 多篇技术论文。他拥有 11 项 已获授权或正在申请的美国专利。 他的研究兴趣包括先进封装的可靠性设计、铜线键合、硅通孔 (TSV) 技术、扇出型晶圆级 / 皮肤级封装、有限元 建模与仿真、微电子封装材料特性、物理驱动和数据驱动的机器学习方法，用于先进封装技术的快速技术风险评 估。 车博士担任 35 多个国际科学期刊的同行评审员，例如 J. of Materials Science 、 J. of Electronic Materials 、 J.Materials and Design 、 Materials characterization 、 Microelectronics Reliability 、 IEEE Trans.on CPMT 、 IEEE Trans.on DMR 、 International J. of Fatigue 、 J. of Alloys and Compounds 、 J. of Micromechanics and Microengineering 等。 车博士连续四年（ 2020 年至 2023 年）被斯坦福大学评为全球前 2% 科学家。 他是 IEEE 高级会员。
先进直接键合的 HVM CMP 工艺开发
简介 直接键合是一种在室温下自发的电介质-电介质键合，通过低温批量退火工艺（200°C – 300°C）实现金属-金属连接（此处为 Cu-Cu 键合）。因此，直接键合工艺对于异质集成具有吸引力，并且与使用焊料的微凸块键合相比具有多种优势 [1, 2]。此外，对于这种无金属帽键合工艺，互连密度和互连缩放限制较少。该技术可以消除电气短路的风险，因为键合过程中不会有焊料从微凸块中挤出，这对于细间距应用至关重要。通过混合键合成功开发晶圆-晶圆键合，导致该技术迅速引入大批量制造 [3]。混合键合互连在 Cu/Cu 界面处表现出出色的可靠性和稳定的微观结构，这已在最近的研究中发表。[4, 5, 6]
流程开发以实现高收益晶片至...
fl，美国victor.vilar@skywatertechnology.com摘要高级晶圆级包装已经不断发展，由于当前的焊料碰撞技术的限制，需要缩小到Sub-10um螺距。混合键合技术促进了在3D垂直堆栈配置中紧密间隔的金属垫的互连。这种包装技术的优点启用了子10UM音高设计，增加了I/O密度，扩展设备带宽，减少功率需求，提高设备速度等。本文的重点是讨论确保基于CU的晶片（W2W）混合键合的方法学，其中包括但不限于对所使用的测试工具的描述，化学机械平面化，元学，等离子激活，粘合技术，粘合技术，退火，CSAM反馈和交叉剖面，以验证金属对金属金属垫的扩散。关键词：混合键合，化学机械平面化[CMP]，血浆激活，计量学，退火，CSAM，W2W，3D垂直堆栈，先进包装，原子力显微镜[AFM]，避孕，凹槽，凹槽，凹槽，圆形，圆形，扁平度。引言晶圆键是晚期半导体制造技术，可以在晶圆水平上整合不同的材料和结构。这些技术在各种电子和光子设备的开发中起着至关重要的作用，例如微电动系统（MEMS），传感器，光子学和先进的集成电路。这允许集成不同的材料，这对于在高级设备中实现所需的功能至关重要。在高级别的过程中，过程通常涉及以下步骤：晶圆键可以根据氧化物和混合键合的粘结机制和材料分类为各种类型，是本文介绍的两种突出方法。a）氧化物晶片键：氧化物晶圆粘结，也称为直接键合或融合键，涉及通过在界面上利用强硅氧（SI-O）键的形成将两个硅晶片连接在一起。
幻灯片——用于先进晶圆级封装的苯并环丁烯基介电材料的图案化永久键合
Michael Gallagher、Rosemary Bell、Anupam Choubey、Hua Dong、Joe Lachowski、Jong-Uk Kim、Masaki Kondo、Corey O'Connor、Greg Prokopowicz、Bob Barr、陶氏电子材料