fl，美国victor.vilar@skywatertechnology.com摘要高级晶圆级包装已经不断发展，由于当前的焊料碰撞技术的限制，需要缩小到Sub-10um螺距。混合键合技术促进了在3D垂直堆栈配置中紧密间隔的金属垫的互连。这种包装技术的优点启用了子10UM音高设计，增加了I/O密度，扩展设备带宽，减少功率需求，提高设备速度等。本文的重点是讨论确保基于CU的晶片（W2W）混合键合的方法学，其中包括但不限于对所使用的测试工具的描述，化学机械平面化，元学，等离子激活，粘合技术，粘合技术，退火，CSAM反馈和交叉剖面，以验证金属对金属金属垫的扩散。关键词：混合键合，化学机械平面化[CMP]，血浆激活，计量学，退火，CSAM，W2W，3D垂直堆栈，先进包装，原子力显微镜[AFM]，避孕，凹槽，凹槽，凹槽，圆形，圆形，扁平度。引言晶圆键是晚期半导体制造技术，可以在晶圆水平上整合不同的材料和结构。这些技术在各种电子和光子设备的开发中起着至关重要的作用，例如微电动系统（MEMS），传感器，光子学和先进的集成电路。这允许集成不同的材料，这对于在高级设备中实现所需的功能至关重要。在高级别的过程中，过程通常涉及以下步骤：晶圆键可以根据氧化物和混合键合的粘结机制和材料分类为各种类型，是本文介绍的两种突出方法。a）氧化物晶片键：氧化物晶圆粘结，也称为直接键合或融合键，涉及通过在界面上利用强硅氧（SI-O）键的形成将两个硅晶片连接在一起。