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World File Search System晶片
一种用于中子检测的高级材料-NSF -PAR
本文介绍了合成，晶体生长，检测器制造，辐射硬化研究，MCNP建模以及二依依氏锂或Inse 2的表征。这个新开发的室温热中子检测器具有半导体和闪烁的特性，适用于中子检测应用。liinse 2是从元素li开始合成的，由于Li的高反应性，分为两个步骤。使用垂直Bridgman方法生长了一个含Iinse 2的单晶。使用光吸收测量值发现室温带隙为2.8 eV。散装电阻率。光电导率测量2晶片的光电识别在445 nm左右的光电流中。核辐射探测器是用单晶晶片制成的，并测量了各种偏见的α颗粒的响应。估计了千篇一律的产物。γ辐照研究的吸收剂量范围为0.2126至21,262 Gy。在每次辐照后都进行了两个晶圆的表征。γ辐射产生的光产率降低，这转化为alpha检测光谱质心的较低通道数。它也显示出第一次辐照后的衰减时间大大减少。这些是对这种材料进行伽马辐射硬化的第一批研究。
53 GBPS光学链接，带有共同设计的DSP和集成的EAM驱动程序，异质融合
DSP芯片是在高级填充过程中制造的，具有电吸附调制器驱动程序单一集成并与TX PHY输出共同设计。发射灯SIPHO 4通道粗波长度多路复用（CWDM）光子积分电路（PIC）是在塔中的半导体PH18DA过程中制造的[4]。图中显示了制造流的概念图。1（b）：SOI晶圆是用光子设备模式的，然后将III-V模具粘合到晶片的顶部表面，并去除IIII-V模具底物。III-V设备区域进行了进一步处理和图案。最后，形成了线金属互连的后端。通过此过程，单个硅光子晶片可以支持多种类型的III-V设备功能。在此示例中，III-V增益区域用于形成可调激光器，并使用单独的IIII III III III-V电吸附状态形成异质硅/III-V电吸附调制器。将TX PIC翻转到金属有机底物上。低损坏的边缘耦合辫子工艺被用来将图片从图片中的光线搭配到SMF纤维，如图2a。
半导体行业发展
根本性设计变革半导体通常是通过深度扩散工艺制成的，该工艺将掺杂剂（元素杂质）引入硅晶片的晶格中。掺杂剂将晶片转变为能够有效导电的器件。掺杂剂类型决定了每个半导体区域的导电特性：N 型掺杂剂（如磷）产生负电荷载流子区域，而 P 型掺杂剂（如硼）产生正电荷载流子区域。DSRD 还包含轻掺杂的本征区域。这个高温区域夹在 N 型半导体和 P 型半导体之间，半导体中的电传导主要由价带和导带之间的激发电子决定。控制掺杂剂的分布和每个半导体层的厚度对于确保最终器件的最佳性能至关重要。然而，多年来用于生产第一代 DSRD 的扩散工艺繁琐、耗时且成本高昂，使得很难根据需求调整制造时间表。 “掺杂剂扩散是一种标准的半导体制造工艺，但就 DSRD 而言，该工艺既无法得到很好的控制，也无法大规模生产，”MED 工程师、外延 DSRD 团队成员 Sara Harrison 说道。掺杂剂深入硅中所需的扩散过程可能长达一周以上，整个过程
功率MOSFET WAFERS的降压 - 电气
Wafer Warpage是半导体制造商面临的基线问题，实际上，在与制造功率金属氧化物半导体磁场效应晶体管（MOSFET）的制造的人中尤为明显。这是因为垂直MOSFET与传统的外侧对应物相比会经历更大的经线效应。wafers超过其临界价值的瓦金（Wafers）在自动处理过程中无法通过吸尘器吸附来削减其临界价值；晶圆上制造的设备也面临可靠性问题。本文介绍了用于减少电源MOSFET晶体经纪的各种机制的分析。通过改变背面金属化（BSM）厚度，膜沉积的溅射功率和晶片温度（即将低温条件引入过程中）来检查扭曲行为。结果表明，当前端制造过程完成后，BSM厚度和晶圆的温度都与晶圆经膜的相关性明显相关。晶圆弓水平与溅射功率的大小直接成比例。当溅射功率降低时，诱发残留应力较小以变形晶片结构。因此，可以调整溅射功率，以确保扭曲效应保持在其临界值以下。关键字：经形，功率MOSFET，残余压力，背面金属化，溅射功率，低温温度
Somayyeh Rakhshani 物理学和纳米技术......
我的实验论文是关于晶体硅异质结太阳能电池中选择性接触的新材料。我参与了通过透射率和反射率、电导率和活化能测量对薄膜进行材料表征，以及通过 IV 特性和量子效率测量对硅基异质结太阳能电池进行光电表征。我在硅晶片的清洗、洁净室中的湿化学处理和钝化过程中工作，然后沉积不同的薄膜。我证明了使用 NiLiO 作为空穴选择层的 a-SHJ 的可行性。
Somayyeh Rakhshani 物理学和纳米技术......
我的实验论文是关于晶体硅异质结太阳能电池中选择性接触的新材料。我参与了通过透射率和反射率、电导率和活化能测量对薄膜进行材料表征，以及通过 IV 特性和量子效率测量对硅基异质结太阳能电池进行光电表征。我在硅晶片的清洗、洁净室中的湿化学处理和钝化过程中工作，然后沉积不同的薄膜。我证明了使用 NiLiO 作为空穴选择层的 a-SHJ 的可行性。