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* 限···时··优惠
▪传感器部分和读数电子设备已集成在常见的底物上▪在手柄晶圆中检测到颗粒▪耗尽区域在偏置电压-150 V时大约37 µm，发现与块状CMOS相比，发现位Flip横截面很低。▪手柄晶圆厚度为300 µm。我们在单晶片上进行了50 µm的稀疏，未经测试的
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