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印刷电路板上形成的热量在...期间的消散
1.1 焊料种类 ................................................................................................................................................................ 2 1.1.1 软焊料 ................................................................................................................................................................ 2 1.1.2 硬焊料 ................................................................................................................................................................ 4 1.2 助焊剂 ................................................................................................................................................................ 4 1.3 焊接技术 ............................................................................................................................................................. 5 1.3.1 手工焊接 ............................................................................................................................................................. 5 1.3.2 机器焊接 ............................................................................................................................................................. 5 1.4 潜热 ............................................................................................................................................................. 13
任何其他测试，在原始电路板上使用较低负载以及使用 Itacoil 组件的任何负载，均在 270V 下进行。（3）最大输入电压
测试结果 目标是仅通过更换谐振回路来提高效率、成本和 Trise，而无需使用分立谐振电感器。尺寸、成本、效率和 Trise 都得到了显著改善。还要注意，中等负载下的效率提高达到 5%。由于 PFC 级保持不变，21% 的总功率损耗减少意味着 LLC 级的功率损耗减少约 30%。最后，使用集成变压器可提高 pri/sec 绝缘的水平和可靠性。测试变压器的结构允许超过 6KV 的介电强度和 10mm 的爬电距离，而无需额外成本。
铜基板上锡薄膜中锡晶须生长的动力学
Illés Balázs 1),2) ，Olivér Krammer 1),2) ，Tamás Hurtony 1) ，Karel Dusek 2) ，David Busek 2) ，Agata
采用材料挤出工艺对 PLA 在 ABS 板上沉积特性进行数值研究
摘要：在增材制造应用中，通常使用材料挤出 (ME) 工艺制造三维原型和最终产品。然而，由于技术挑战，这些原型和产品仅限于使用 ME 工艺的单一材料。由于不同塑料的熔化温度不同，在 ME 工艺期间，将塑料沉积在另一种不同的塑料基板上需要适当控制打印温度。本文使用有限元分析研究了在 ME 工艺期间 PLA 长丝在 ABS 基板上的沉积。提出了一种用于挤出工艺的传热有限元 (FE) 模型，以估计 ME 机器的参数，从而制定热通量模型。使用所提出的挤出工艺 FE 模型研究了打印温度和间隔距离对温度分布的影响。热通量模型在所提出的 PLA 单珠沉积在 ABS 板上的传热 FE 模型中实现。从该沉积 FE 模型中，可以估计 ME 沉积过程中的温度变化。将温度变化结果与实验结果进行了比较。利用校准后的 FE 模型，评估了适合 PLA 沉积的 ABS 加热温度。
调查甲板上相对风对 MH-60S 直升机在船上发射和回收操作中的影响
我在此提交由 Dominick J. Strada 撰写的论文，题为“研究甲板上相对风对 MH-60S 直升机在船上发射和回收操作中的影响”。我已经检查了这篇论文的最终电子版的形式和内容，并建议接受它作为获得理学硕士学位（主修航空系统）的部分要求。
聚合物模板上的自限制电喷雾沉积
1 罗格斯大学机械与航空航天工程系，新泽西州 08854 2 罗格斯大学生物医学工程系，新泽西州 08854 * jonathan.singer@rutgers.edu
标题互补的测量在拆除基本板上和之后的残余应力中，在复杂的添加性不锈钢valv
摘要。使用中子衍射和轮廓方法的残留应力测量在由316升不锈钢粉制成的阀外壳上进行，并使用激光粉末床融合添加剂制造具有复杂的三维内部特征。测量结果捕获了残留应力场的演变，该状态是将阀外壳连接到底板上的状态，到达壳体从底板上切开的状态。利用此切割，因此使其在此应用中是非破坏性的测量，轮廓方法映射了整个切割平面上的残留应力分量正常的（通过切割完全缓解了这种应力场），以及由于切割而导致的整个壳体中所有应力的变化。中子衍射测量的无损性质启用了在切割前和切割后的构建点的各个点的残余应力测量。在两种测量技术之间观察到了良好的一致性，这两种测量技术表明，在外壳的外部区域中显示了较大的拉伸方向残余应力。轮廓结果表明，从两个不同区域中从底板上移除构建后，多个应力分量发生了很大变化：在平面附近，在该平面附近，从基本板中切开构建，并在充当应力集中器的内部特征附近。这些观察结果应有助于理解基本板附近构建破裂的驾驶机制，并确定对结构完整性的关注区域。中子衍射测量还用于显示基本板附近的剪切应力明显低于正常应力，这是对轮廓方法的重要假设，因为不对称切割。
聚合物模板上的自限制电喷雾沉积
显示指数衰减拟合 y = 846.9 nm*e (-x/1174.83nm) ，R 2 = 0.96。（b）1 wt% PVP 以 0.1 mL/hr 喷涂在不同厚度的 Parylene C-on-Si 基板上 60 分钟。由于气相沉积的保形特性，水平误差线不可见。蓝色轨迹是指数衰减拟合 y= 815.6 nm*e (-x/567.4 nm) ，R 2 = 0.98。（c）1 wt% PVP 以 0.1 mL/hr 喷涂在不同厚度的 SU-8-on-Si 基板上 60 分钟。黑色轨迹是指数衰减拟合 y = 804.4 nm*e (-x/348.8 nm) ，R 2 = 0.51。
薄膜金属化堆栈可作为有源植入物陶瓷基基板上的可靠导体
摘要 — 有源植入式医疗设备的密封和非密封封装通常由氧化铝等陶瓷制成。丝网印刷 PtAu 糊剂是功能结构最先进的金属化方法。由于 Au 在热暴露下会发生固态和液态扩散，焊接时间有限；否则金属结构容易分层。此外，研究表明，带焊料的 PtAu 会在 37.4 年后失效。我们建立了一种氧化铝薄膜金属化工艺来克服这些缺点。金属化由溅射铂和钨钛制成的底层粘附层组成，以增加与氧化铝基板的粘附强度。由于金具有较高的扩散趋势，我们避免在这项工作中使用金。相反，所使用的材料具有相对较低的扩散特性，这可能会提高组装和封装过程中的长期机械性能和可用性。
Piezotronic Algan Nanowire Schottky在金属基板上生长的连接
包括GAN，INN，ALN和ZnO的极性 - 肺导体的非中心对称晶体结构在研究了其菌株诱导的纳米能产生的潜力方面对科学共识感兴趣。耦合的半导体和压电性能产生了一个压电电源，可调节跨其异质结构界面的电荷传输。通过使用导电性原子显微镜，我们研究了在钼（MO）底物上生长的α纳米线（NWS）中产生的压平作效应的机制。通过使用PT – IR探针在NWS/MO结构上施加外部偏置和力，可以调节跨两个相邻的Schottky连接的电荷转运，这是由于明显的Schottky屏障高度（SBHS）的变化，而Schottky屏障高度（SBHS）是由于应变诱导的压电电位而导致的。对于背景力，我们测量了SBH的增加为98.12 MeV，该背景力对应于SBH变化∂ϕ∂F为6.24 MeV/nn，对于半导体/Ti/Mo界面。SBH调制负责对压电效应，通过测量从室温到398 K的温度依赖性I – V曲线进行进一步研究。从Algan NWS/Mo棚的独特结构中获得的见解，这些见解是在Algan/Mo Shed的独特结构上，对Metal-Sendoctor interface的电子特性以及Algan n Nw nw nw nw piquzoe nw pique的电子特性的启发光电子，传感器和能源产生应用。