云计算的指数增长需要强大的安全解决方案来保护敏感数据。传统的单因素身份验证(SFA)提供有限的保护,推动了多因素身份验证(MFA)机制的探索。本文对突出的MFA方法进行了比较分析,包括基于SMS的,基于应用程序的和生物识别验证,以评估其在增强云安全性方面的有效性。这项研究采用了多管齐下的方法。首先,我们进行了详尽的文献综述,以了解MFA技术的现有景观以及它们如何影响安全姿势。第二,我们进行比较分析,根据安全强度,用户便利性和潜在旁路漏洞评估每种MFA方法。此分析,再加上对MFA技术及其安全优势的现有研究的全面审查,对不同的MFA方法如何影响云安全性提供了整体理解。通过分析每种方法的优势,劣势和实施考虑因素,本研究旨在提供有价值的见解,以指导选择最佳的MFA方法来选择可靠的云安全性。
• Goldfarb, A., Gans, J.,& Agrawal, A.(2019)。人工智能经济学:议程。芝加哥大学出版社。• Agrawal, A., Gans, J., & Goldfarb, A.(2018)。预测机器:人工智能的简单经济学。哈佛商学院出版社。• Goldfarb, A., & Tucker, C. (2019)。数字经济学。经济文献杂志,57(1),3-43。• Goldfarb, A.、Greenstein, S. M. 和 Tucker, C. E.(Eds.)。(2015)。数字经济的经济分析。芝加哥大学出版社。• Maiti, D. 和 Awasthi, A.(2020)。ICT 暴露和福祉与进步水平:跨国分析。社会指标研究,147(1),311-343。• Acemoglu, D. 和 Restrepo, P. (2018)。人工智能、自动化和工作。在《人工智能经济学:议程》(第197-236 页)中。芝加哥大学出版社。• Acemoglu, D.,& Restrepo, P. (2018)。人与机器之间的竞赛:技术对增长、要素份额和就业的影响。美国经济评论,108(6),1488-1542。• Varian, H. R. (2001)。信息技术经济学。加州大学伯克利分校。• Maiti, D.、Castellacci, F. 和 Melchior, A.(2020)。数字化与发展:印度及其他地区的问题。数字化与发展(第页 3-29)。Springer,新加坡。• Singh,N.(2016 年)。信息技术及其在印度经济发展中的作用:回顾。印度发展,283-312。• Castellacci,F.,& Tveito,V.(2016 年)。ICT 对福祉的影响:一项调查和理论框架(编号20161004)。奥斯陆大学技术、创新和文化中心。• Huyer, S., & Mitter, S. (2003)。ICT、全球化和减贫:知识社会的性别层面。坎帕拉(乌干达):http://gab。wigsat。org/policy。htm。
在快速发展的量子计算领域,Shor 和 Grover 算法是利用量子力学解决超出传统计算能力的问题的杰出成就。本文对 Shor 算法(以分解大合数而闻名)和 Grover 算法(擅长搜索非结构化数据库和优化问题解决)进行了比较分析。该研究探索了理论基础、实际实施和现实影响。Shor 算法利用量子傅里叶变换和模块化算法,有望使分解速度呈指数级加快,影响 RSA 等传统加密系统。Grover 算法采用振幅放大和量子预言机操作,使搜索速度加快了二次方,其价值超越了素数分解。Shor 算法使用 IBM Qiskit 实现,专注于分解,展示量子相位估计和周期查找。Grover 算法适用于适合素数分解的数据集搜索。方法包括量子电路设计、参数调整和量子硬件模拟。结果评估了执行时间、准确性和可靠性,突出了优势和局限性。Shor 算法在特定问题上表现出色,但面临可扩展性问题。Grover 算法用途广泛,但受到二次加速的限制,应用范围广泛。讨论包括加密含义、对新协议的需求以及 Grover 在数据库搜索、优化和机器学习中的应用。未来的研究旨在解决量子比特保真度和门错误等硬件挑战,以提高量子算法的稳健性。这项研究强调了量子算法的变革潜力,指导了量子计算应用和理论的进步。
测量单位 本文件通篇使用国际单位制 (SI 单位) 和美国习惯单位 (英制单位)。每个单位制中的近似等价物使得可以使用不同国家/地区的现成材料。这避免了过高的采购和制造成本。所述单位尺寸之间的差异对于测试方法结果的比较微不足道,因此每组单位都被视为这些测试方法的标准。
摘要 本文报告了 EURAMET 项目编号 1431 的首批成果,该项目于 2017 年启动,目标是通过实验确定由于不同风洞中各种边界条件导致的叶轮和风杯风速计校准结果的系统偏差,尤其是在缺乏理论模型的开放式测试段风洞中。为此,在 14 个风洞中校准了 3 个不同尺寸的叶轮风速计和 2 个风杯风速计,这些风洞的测试段类型和尺寸从直径 15 厘米到 100 厘米不等。本文首次展示了最近完成的测量中的校准数据。最重要的是,测量了 5 个测试风速计前方的速度扰动场,以避免边界条件的影响与因将参考仪表放置在受测试仪表影响的区域而导致的其他偏差源混合。本文报告的速度扰动场可用于所有空速校准实验室,使其了解这些偏差有多大,以及参考仪表的最佳位置和距离是多少。
穿过接头线。虽然 FSW 的热输入低于熔焊,但它仍然是一个伴有不均匀加热和冷却的过程,因此残余应力和变形的存在是不可避免的[9-14]。在 GTAW 工艺中,高热量的产生可能会熔化热电偶。热输入率是熔焊中最重要的变量之一,可以强烈影响焊接过程中的相变。因为它决定了加热速度、冷却速度和焊接池大小。受热输入率直接影响的冶金特征是热影响区 (HAZ) 和焊缝金属中的晶粒尺寸。因此,了解工件中的热历史和温度分布是一个重要问题,不仅可以验证是否会采用某种工艺,还因为它会影响残余应力、晶粒尺寸,从而影响焊缝的强度。因此,为了更好地了解焊接接头中的残余应力和变形形成,应该了解热量的产生、随后的热量分布和向周围环境的热量损失。据观察,在预测 AA 5059 合金焊接接头温度分布方面开展的研究工作很少。因此,本研究工作重点关注搅拌摩擦焊接和气体钨极电弧焊接 AA 5059 铝合金接头的温度分布,以评估接头性能和焊接区特性。
水力发电 - 水力发电是一种成熟的技术,与新风和太阳能相比,可以提出竞争性的LCOE。具有储层存储的设施也可调节,它与风和太阳能的不可鉴定和可变性质很好地集成在一起。水电设施还提供了其他辅助服务来支持网格可靠性。现有的翻新(寿命延长)提供了非常有竞争力的LCOE。如果通过设备升级或构建其他生成单元可以实现额外的容量,则可以代表具有成本效益的灵活性和公司能力来实现额外可变可再生生成的能力。
1702A Intel 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器,U = -9V 1302A Intel 1702 适配器 256 x 8 2048 24 ROM 需要适配器,U = -9V 1602A Intel 1702 适配器 256 x 8 2048 24 PROM 需要适配器,U = -9V Am1702A AMD 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器,U = -9V MM1702A National 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器,U = -9V 1702A Signetics 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器,U = -9V U501 (DDR) 1702 适配器 256 x 8 2048 24 ROM 需要适配器,U = -9V U551 (DDR) 1702 适配器 256 x 8 2048 24 PROM 需要适配器,U = -9V U552 (DDR) 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器,U = -9V K505РР1 (UdSSR) 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器,U = -9V,未经测试 CDP18U42CD RCA 74S271/470 适配器 256 x 8 2048 TS 24 EPROM 12=Vcc,22=Vsat,23=Vdd,24=Vss,单 5V 读取,未经测试 2704 2704 X 512 x 8 4096 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12/22=Vss, 未经测试 2704 Intel 2704 X 512 x 8 4096 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12/22=Vss, 未经测试 CDP1832 RCA 2704 X 512 x 8 4096 24 EPROM 24=Vcc, 21=nc, 19=nc, 12=Vss, 仅 5V, 未经测试 MM4204 National 2704 适配器 512 x 8 4096 TS 24 EPROM U = -12V, 5V, 使用 2704 设置与适配器MM5204 National 2704 适配器 512 x 8 4096 TS 24 EPROM U = -12V, 5V, 使用 2704 设置和适配器 2708 Intel 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss F2708 Fairchild 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss F2708 Fairchild 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MB8518 Fujitsu 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss SFF71708 Mostek 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MCM2708 摩托罗拉 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MCM68708 摩托罗拉 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MM2708 National 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss NTE2708 NTE 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MSM2708 Oki 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss TMS2708 德州仪器 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MSM3758 Oki 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss, 未经测试 CDP1834 RCA 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=nc, 19=nc, 12=Vss, 仅 5V, 未经测试 U505 (DDR) 2708 X 1k x 8 8192 24 ROM 仅 5V U555 (DDR) 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss K573РΦ1 (UdSSR) 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss K573RF1 (UdSSR) 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd,12=Vss 2716 英特尔 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM Am2716 AMD 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM Am4716 AMD 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM NMC27C16 仙童 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MBM2716 富士通 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM HN462716 日立 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MMN2716 微电子 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM M5L2716 三菱2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MCM2716 摩托罗拉 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM 27C16 国家 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MM2716 国家 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM uPD2716 NEC 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM NTE2716 NTE 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MSM2716 Oki 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM M2716 SGS 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM M2716 ST 微电子 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM TMM323 东芝 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM TMS2516 德州仪器 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM ET2716 汤姆逊 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM U556 (DDR) 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM K573RF2 (UdSSR) 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM TMS2716 摩托罗拉 TMS2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM 12=Vss, 19=Vdd, 21=Vbb, 24=Vcc TMS2716 德州仪器 TMS2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM 12=Vss, 19=Vdd, 21=Vbb, 24=Vcc 2732 英特尔 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM Am2732 AMD 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM F2732 飞兆半导体 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM NMC27C32 飞兆半导体 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM MB8532 富士通 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM MBM2732 富士通 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM CDM5332 GE 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732 Ro9333 GI 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732,当 18/20=LOW 时可读取 Ro9433 GI 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732,当 18/20=LOW 时可读取 HN462732 Hitachi 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM 2732A Intel 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM M5L2732 Mitsubishi 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM NMC27C32 National 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM uPD2732 NEC 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM M2732 ST Microelectronics 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM TMM2732 Toshiba 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM TMS2732 Texas Instruments 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM WS57C43 WSI 2732 X 4k x 8 32768 24 PROM 与 2732 兼容,当 18=HIGH、20=LOW 时可读取 U2732 (DDR) 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM 2333 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732,当 18/20=LOW 时可读 2764 Intel 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM Am2764A AMD 2764 X 8k x 8 65536 28 PROM MBM2764 Fujitsu 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM MBM27C64 Fujitsu 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM HN482764 Hitachi 2764 X 8k x 8 65536 28 ROM 2764A Intel 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM MK37000 Mostek 2764 X 8k x 8 65536 28 ROM 1/26/27=nc NMC27C64 National 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM M2764 SGS-Thomson 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM M2764A ST Microelectronics 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM U2764 (DDR) 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM TMS2564 Texas Instruments TMS2564 X 8k x 8 65536 28 EPROM 27128 Intel 27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM Am27128A AMD 27128 X 16k x 8 131072 28 PROM MBM27128 富士通27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM HN4827128 日立 27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM NM27C128 National 27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM UPD27128 NEC 27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM M27128A ST Microelectronics 27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM TMM24128 东芝 27128 X 16k x 8 131072 28 PROM 未经测试 27256 Intel 27256 X 32k x 8 262144 28 EPROM 6212424 AMD 27256 X 32k x 8 262144 28 EPROM