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磁控溅射沉积氮化钛薄膜的结构和光学特性
摘要。氮化钛的应用涵盖了微电子、生物医药等不同行业。本文介绍了不同沉积条件下氮化钛薄膜的结构和光学特性分析。样品采用直流磁控溅射沉积在硅基片上。沉积在室温下进行，在预热至 300°C 的基片上进行，在分别以 -40 V 和 -90 V 极化的基片上进行。结果表明，当沉积在室温下进行时，结构取向与沉积过程存在依赖性。当沉积在预热的基片上进行时，没有结构取向。基片的负极化导致小尺寸晶体的形成。至于光学特性，薄膜表现出良好的半导体特性和低反射率。
氮化镓 MEMS 谐振器：残余应力如何影响设计和性能
摘要 — 从硅上外延生长的氮化镓 (GaN) 开始，设计、制造并表征了集成压电换能器的预应力微谐振器。在夹紧梁中，众所周知，拉伸应力可用于增加谐振频率。在这里，我们计算了预应力梁中平面外弯曲模式的模态函数，并推导出一个模型来预测谐振频率和压电驱动因子。我们表明，理论和实验结果之间可以获得良好的一致性，并推导出机电转换的最佳设计。最后，我们的模型预测了由于拉伸应力导致的品质因数增加，这已通过真空下的实验测量得到证实。这项研究展示了如何利用外延工艺产生的材料质量和初始应力。
氮化硅芯片上的近简并正交压缩真空产生
压缩态是连续变量 (CV) 量子信息处理的主要资源。为了以可扩展且稳健的方式实现 CV 协议，最好使用集成光子学平台生成和操纵压缩态。在本信中，我们展示了使用具有双泵四波混频过程的小型氮化硅微谐振器在射频载波边带中生成正交相位压缩态。我们记录的压缩噪声水平比光电流散粒噪声低 1.34 dB（0.16 dB），这相当于芯片上 3.09 dB（0.49 dB）的正交压缩。我们还表明，考虑泵浦场的非线性行为对于正确预测此系统中可以产生的压缩至关重要。这项技术代表着朝着创建和操纵可用于量子信息应用（包括通用量子计算）的大规模 CV 簇状态迈出了重要一步。
氮化甲化物场在极端温度条件下的晶体管
摘要 - 紧凑的功率电子电路和开关设备的较高操作温度要求对寄生组件在这些设备中的影响进行分析和验证。通过文献研究了氮化壳效应晶体管（GAN-FET）中发现的漂移机制，并与测量结果有关。极端温度条件下的测量值远远超出了制造商推荐的操作范围。研究了GAN-FET的静态和动态操作中对寄生元件的影响，并以半桥电路的示例与开关模式功率电子电线中的设备损耗有关。在本文中，进行了对温度对电阻，泄漏电流和反向传导的影响的静态操作研究。GAN-FET两种状态之间的动态操作也被解决，并且与开关导管损失的潜在影响有关。使用曲线示踪剂构建了一个热室，以精确测量设备中寄生元件的影响。发现，r ds的增量，i dss，i gss和v sd可以通过文献来证明，并通过测量来验证。增量c oss和降低V gs Th时，将设备暴露于极端温度时。这两个参数对在时间至关重要的高温下设计电路方面给人带来了真正的挑战。尽管温度调节，但发现所研究的GAN-FET具有在极端温度稳定条件下使用的潜力。
离散的六角硼氮化液量子发射量及其化学
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全球最大硅基氮化镓晶体成功生长
日本制钢所和三菱化学株式会社正在 NEDO 的“节能技术战略创新计划”下，致力于电力电子用大直径块状氮化镓 (GaN) 基板的示范和开发。该示范和开发在 2021 年 5 月建立的世界上最大的 GaN 基板制造示范设施（大型示范设施）中进行。我们使用“SCAAT TM -LP”进行了 4 英寸 GaN 基板量产晶体生长实验，这是一种低成本的高质量 GaN 基板制造技术。实验结果，我们已确认 4 英寸 GaN 晶体正在按计划生长。与中试设施相比，大型示范设施的规模显著扩大，可以制造大量的 GaN 基板。未来，我们将在大型示范设施中进一步进行示范实验，旨在通过稳定供应高质量的GaN基板，为超高效器件的开发做出贡献，并于2022财年初开始向市场供应。
球形氮化镓和砷化镓量子点中量子限制的阈值和界限。
当材料的物理尺寸与电子的波长匹配或减小时，半导体中就会发生量子限制，从而产生量化的能级和离散的电子态。这是由于电子的波粒二象性，它同时表现出粒子和波的特征。限制能是对应于半导体纳米结构（如量子点）中电荷载流子的量子限制的能量。当这些结构的尺寸接近或等于电子的德布罗意波长时，就会产生量化的能级。基于有效质量近似并假设一个理想的球形量子点，其中激子被限制在球形限制势中，Harry 和 Adekanmbi (2020) 给出了球形量子点的限制能：
（TSRI）GAN12-114A
申请编号：GAN12-114A-E0011课程：微波及毫米波频率合成器（null）计画：使用0.12μm氮化镓制程实现正交反射型调变器（I/q反射型调制器中的0.12μmGan-Hemt过程中）晶片形式
薄膜合成，结构分析和新型三元过渡金属氮化金属MNCON2
最近的高通量计算搜索预测了许多新型的三元氮化物化合物为在未倍增的相位空间中提供了新的材料发现机会。然而，几乎没有任何预测和/或合成仅将过渡金属纳入新的三元氮化物中。在这里，我们报告了MNCON 2的合成，结构和性能，MNCON 2是一种仅包含过渡金属和N的新三元氮化物材料。我们发现，Crystalline MNCON 2可以在其竞争性的二进制物中稳定，并且在该系统的趋势中可以通过在狭窄的范围内控制该系统的趋势，以使其成为不型生长的趋势。我们发现，单相MNCON 2在阳离子隔离的岩石晶体结构中形成。X射线光电子光谱分析表明，MNCON 2通过各种氧化物和氢氧化物与表面上钴结合的氧气敏感。X射线吸收光谱用于验证Mn 3 +和Co 3 +阳离子是否存在于八面体的协调环境中，这与CON和MNN二元组的组合不同，并且与基于岩石基的晶体结构预测一致。磁性测量表明，MNCON 2在10 K以下具有倾斜的抗磁磁基态。我们提取θ= -49的Weiss温度。7 K，突出显示了MNCON 2中的抗磁相关性。