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氮化镓半导体层是通过用包含开口阵列的掩模遮蔽底层氮化镓层，并通过开口阵列在掩模上生长底层氮化镓层，从而形成过度生长的氮化镓半导体层来制造的。尽管位错缺陷可能通过掩模开口从底层氮化镓层垂直传播到生长的氮化镓层，但过度生长的氮化镓层相对无缺陷。过度生长的氮化镓半导体层可以过度生长，直到过度生长的氮化镓层在掩模上聚结，以形成连续的过度生长的单晶氮化镓半导体层。氮化镓半导体层可以使用金属有机气相外延来生长。微电子器件可以在过度生长的氮化镓半导体层中形成。

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