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Blackman，Ryan T. 天文学和星体化学研究标题的未来空间实验平台 氮化硅的多技术研究
1耶鲁大学天文学系，美国纽黑文52号，美国康涅狄格州06511； ryan.blackman@yale.edu 2 Department of Astronomy, The Ohio State University, 4055 McPherson Laboratory, 140 West 18th Avenue, Columbus, OH 43210, USA 3 Lowell Observatory, 1400 Mars Hill Road, Flagstaff, AZ 86001, USA 4 Ball Aerospace and Technologies Corporation, 1600 Commerce Street, Boulder, CO 80301, USA 5 Department of Physics, Yale University, 217 Prospect ST，New Haven，CT 06511，美国6物理与天文学系，旧金山州立大学，旧金山Holloway大街1600号，旧金山，CA 94132，美国7 DTU Space，National Space Institute，丹麦技术大学，Elektrovej 328，DK-2800 KGS技术大学。Lyngby，丹麦8号亚利桑那大学光学科学学院，1630 E University Boulevard，Tucson，Tucson，AZ 85719，美国9 Jet Propulsion实验室，加利福尼亚技术学院，4800 Oak Grove Drive，Pasadena，Pasadena，CA 9110 9 35899，美国11 INAF - Osservatorio Astromonico di Brera，通过Emilio Bianchi 46，I-23807 Merate，意大利Merate，12 Fibertech Optica Inc，330 Gage Avenue，Suite 1，Kitchener 1，Kitchener，On，On，ON，N2M 5C6，加拿大N2M 5C6，加拿大，2019年12月20日获得2019年12月20日； 20020年2月25日修订； 3月17日接受；出版于2020年4月28日
氮化钛等离激元纳米钻阵列用于CMOS −对OpenPlc的控制逻辑注射攻击
摘要 - 真实的硬件PLC非常昂贵，有时科学家/工程师无法建立小型测试床并进行实验或学术研究。为此，OpenPLC项目引入了合理的替代选项，并在编程代码，模拟物理过程以及使用低成本设备（例如Raspberry Pi和Arduino uno）中提供了灵感。不幸的是，OpenPLC项目的设计没有任何安全性，即缺乏保护机制，例如加密，授权，反复制算法等。这使攻击者可以完全访问OpenPLC并进行未经授权的更改，例如启动/停止PLC，设置/更新密码，删除/更改用户程序等。在本文中，我们进行了深入的调查，并披露了OpenPLC项目中存在的一些漏洞，表明攻击者既没有对用户凭据，也不对物理过程进行任何先验知识；可以访问关键信息，并有效地更改OpenPLC执行的用户程序。我们所有的实验均在最新版本的OpenPLC（即V3）上进行。我们的实验结果证明，攻击者可能会混淆受感染的OpenPLC控制的物理过程。最后，我们建议OpenPLC创始人和工程师关闭所披露的漏洞并具有更安全的基于OpenPLC的环境的安全建议。索引条款 - OpenPlc;网络攻击；网络安全；控制逻辑注射攻击；
六边形的氮化硼中量子发射器的变色
抽象相干量子发射器是高级量子技术的中心资源。六角硼硝酸盐（HBN）容纳了一系列量子发射器，可以使用诸如高温退火，光学掺杂和用电子或离子辐照等技术进行设计。在这里，我们证明了此类过程可以降低HBN中量子发射器的连贯性，从而降解功能。具体来说，我们表明，在HBN纳米化方案中常规使用的HBN退火和掺杂方法会导致B-中心量子发射器的脱谐。详细表征了Decerention，并归因于在SPE激发期间静电波动并诱导光谱扩散的电荷陷阱的缺陷。当发射器是通过HBN生长的原始薄片的电子束照射来设计的，在HBN的电子束辐射中，B-中心线宽接近涉及干扰和纠缠所需的量子应用所需的寿命极限。我们的工作强调了晶格质量对于在HBN中实现相干量子发射器的至关重要性，尽管人们普遍认为HBN晶格和HBN SPE非常稳定，并且对化学和热降解具有弹性。它强调了对纳米制作技术的需求，这些技术在工程HBN SPES和量子交联技术的设备上时避免了晶体损伤。
天文学和星体化学研究标题的未来空间实验平台氮化硅的多技术研究
摘要。X射线探测器用于太空天体物理任务易受噪声，该光子受到工作能量范围以外的能量的光子引起的噪声；因此，需要有效的外部光学阻断过滤器来保护检测器免受偏离辐射的影响。这些过滤器在满足X射线探测器的科学要求中起着至关重要的作用，并且它们在任务生活中的适当操作对于实验活动的成功至关重要。我们研究了由氮化硅和铝制成的薄三明治膜，作为空间任务中高能检测器的光学阻滞过滤器。在这里，我们报告了厚度在40 nm至145 nm的sin膜的多技术表征的结果，两侧有几十纳米的纳米含量。，我们已经测量了同步辐射束线时的X射线传输，紫外线的排斥，可见和近红外辐射，X射线光电谱的铝表面上天然氧化物的量，通过原子力显微镜的样品表面的形态和蛋白质效应。
电子的往返旅程：电子催化使N₂直接固定到偶氮化合物
计算结果表明，电子催化策略显着降低了将N 2转换为AZO化合物的活化能。与非催化反应相比，该反应需要3.44 eV（在正常条件下几乎不可能），电子催化的途径将活化能降低至仅为0.14 eV，从而使反应在动力学上可行。此外，该策略表现出广泛的适用性，扩展到偶氮合成超出各种芳基卤化物和亲核芳香族化合物，为合成高价值增添化学物质的有效方法提供了有效的方法。
Chao-et-Al-2024-抗抗氮化物纳米管 -
注意：请注意，此文档可能不是记录的版本（即已发布的版本）。作者手稿版本（作为同行评审或同行评审后接受的出版物接受的子手稿版本）可以通过出现出版商品牌和/或排便中的出现来确定。如果有任何疑问，请参考已发布的来源。
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氮化硼集成锂电池
于2023年10月25日收到； 2024年1月30日接受；于2024年2月15日发布作者隶属关系：昆士兰州昆士兰州大学的化学与分子生物科学学院1，澳大利亚昆士兰州圣卢西亚； 2昆士兰大学临床研究中心，皇家布里斯班和妇女医院，澳大利亚昆士兰州赫斯顿； 3澳大利亚昆士兰州大都会北部健康局的赫斯顿传染病研究所； 4昆士兰州的病理学，中央实验室，皇家布里斯班和妇女医院，澳大利亚昆士兰州赫斯顿； 5昆士兰州昆士兰州昆士兰州昆士兰州昆士兰州昆士兰州昆士兰州免疫和感染控制中心； 6 Advance ID，看到新加坡新加坡国立大学的Swee Hock公共卫生学院； 7传染病转化研究计划，新加坡新加坡国立大学Yong Loo -Lin医学院； 8澳大利亚昆士兰州大学澳大利亚澳大利亚传染病研究中心，澳大利亚昆士兰州圣卢西亚。*信函：Brian M. Forde，b。Forde@uq。Edu。Au; Scott A. Beatson，S。Beatson@uq。Edu。Au关键词：基因组流行病学；与医疗保健相关的感染；病原体基因组监测；可视化工具。缩写：CSV，逗号分开值； HAI，医疗保健相关的感染； ICU，重症监护室； JPEG，联合摄影专家小组； PNG，便携式网络图形； SNP，单核苷酸多态性； ST，序列类型； UI，用户界面； WGS，整个基因组测序； XML，可扩展的标记语言。数据语句：文章或通过补充数据文件中提供了所有支持数据，代码和协议。001200©2024作者补充材料可与本文的在线版本一起使用。
六方氮化硼中量子发射器的双光子干涉
最近在二维材料中发现的量子发射器为量子信息集成光子器件开辟了新的前景。这些应用中的大多数都要求发射的光子是不可区分的，而这在二维材料中仍然难以实现。在这里，我们研究了利用电子束在六方氮化硼中产生的量子发射器的双光子干涉。我们在非共振激发下测量了 Hong-Ou-Mandel 干涉仪中零声子线光子的相关性。我们发现发射的光子在 3 纳秒的时间窗口内表现出 0.44 ± 0.11 的部分不可区分性，这对应于考虑不完美发射器纯度后的校正值 0.56 ± 0.11。 Hong-Ou-Mandel 可见度与后选择时间窗口宽度的相关性使我们能够估计发射器的失相时间约为 1.5 纳秒，约为自发辐射设定的极限的一半。使用 Purcell 效应和当前的 2D 材料光子学，可见度可达到 90% 以上。
![b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'](/simg/3/3667ff1348138e0ee8b2d560bc8bba8245de6047.webp)
b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'
b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'