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World File Search System沉积
通过共蒸发进行 AlxTi1-xN 原子层沉积 ...
图 1. 从四种不同样品中以不同摩尔比沉积的 Al x Ti 1-x N 膜获得的窄范围核心级光电子谱 a) Al 2p b) Ti 2p c) N 1s 和 d) O 1s。大多数样品中的碳贡献几乎低于检测限，因此省略了 C 1s 光谱。
通过原子层沉积多种缓解量
这项研究研究了使用原子层沉积（ALD）来减轻粒子加速器中使用的超导无线电频率内部的多重现象，同时在10个10范围内保留高质量的因子。在任意复杂形状对象上控制膜厚度至原子水平的独特ALD能力使TIN膜电阻率和总电源发射产量（TEEY）从优惠券到设备进行微调。这种控制水平使我们能够充分选择锡膜厚度，该薄膜厚度既可以提供高电阻率，以防止欧姆损失和低圆锥形，以减轻多重损失，以应用感兴趣。这项工作中所述的方法可以缩放到真空中受RF场的其他域和设备，并且对具有自身在电阻性和TEEY值的要求的多重或电子交换过程中敏感。
低温物理蒸气沉积了Cu种子...
摘要在这项研究中，提出了对低热稳定性临时粘合胶的优化对物理蒸气沉积（PVD）过程的优化。在各种底物上证明了Cu种子层在通过沟渠中的沉积：硅 - 硅粘合，硅玻璃键合和霉菌键合的底物。在处理过程中记录在这些底物上的表面温度远低于临时键合和去键（TBDB）材料的临界温度。本文重点介绍了PVD工艺的2.5D/3D集成电路（IC）包装中通过硅VIA（TSV）应用的创新。这些结果将在温度较低的范围明显较低的温度范围内稳健地整合具有低热稳定性的各种临时粘合粘合剂，其热稳定性低。引言临时键合和键合材料在实现薄和超薄晶圆底物的处理方面起着重要的中间作用。它为稀薄的Si Wafers提供结构和机械支撑，用于下游包装。这是因为在下游制造步骤期间，薄且超薄的基材具有高弯曲，折叠和有时断裂的趋势。因此，需要借助临时粘合粘合剂来支撑这些稀薄的底物在载体底物上[1]。这允许晶圆进行进一步的过程步骤，例如光刻，沉积等。设备晶圆通常与临时粘合涂层接触以进行支撑。在PVD过程中，金属靶标通过碰撞的热过程转化为原子颗粒。物理蒸气沉积（PVD）是TSV 2.5D/3D IC包装中铜的随后电化学沉积的关键过程步骤。这是一种以平滑表面，出色的机械性能以及对目标底物的良好粘附而闻名的先进材料处理技术。然后将这些颗粒定向到基板上，以在受控的真空环境中进行后续沉积，成核和生长。原子然后将其凝结成在底物上形成物理薄膜。这可以以两种方式进行：溅射和蒸发。在溅射过程中，将气态前体引入反应室，然后将其加速向目标加速，释放原子尺寸的颗粒以沉积到基板上。溅射技术的主要优点是由于加速
通过化学蒸气沉积对果胶气凝胶的疏水
摘要：果胶气凝胶，密度非常低（约0.1 g cm -3）和高比表面积（高达600 m 2 g -1），是出色的热绝缘材料，因为它们的导热率低于环境条件下的空气（0.025 w m -1 k -1 k -1）。然而，由于其内在亲水性，与水蒸气接触时果胶气凝胶塌陷，失去了超跨性能。在这项工作中，首先制作了果胶气凝胶，并研究了不同过程参数对材料结构和特性的影响。所有纯果胶气凝胶的密度低（0.04-0.11 g cm-1），高比表面积（308–567 m 2 g - 1）和非常低的热电导液（0.015-0.0.023 w m-1 k-1 k-1）。然后，使用不同的反应持续时间（2至24 h），通过甲基三甲氧基硅烷的化学蒸气沉积果胶疏水凝胶。通过在气候腔中进行调节（25℃，80％的相对湿度），记录了疏水性对材料特性的影响，尤其是对热导率的影响。疏水导致与整洁的果胶气凝剂相比，导热率的增加。mTMS沉积16小时有效地在潮湿的环境（接触角115°）和稳定材料特性（0.030 w m -1 k -1）和测试周期为8个月的测试周期中没有波动的材料（0.030 w m -1 k -1），有效地溶出了果胶气凝胶和稳定材料的稳定材料特性。
通过激光辅助等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅，用于下一代有机电子器件
利用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 在低温下无损伤、无应力地沉积化学计量的氮化硅是微电子、微机电系统 (MEMS) 等各种应用领域中的一个重要课题。本研究研究了氮化硅 PECVD (LAPECVD) 过程中激光辅助对沉积的 Si 3 N 4 薄膜的物理和化学特性的影响。由于反应气体的分解作用增强，在 80 ◦ C 下用 193 nm 激光辅助的 LAPECVD 显示出比 PECVD 更高的沉积速率。此外，沉积的氮化硅薄膜的 N/Si 化学计量比和残余应力也得到了改善。当氮化硅直接沉积在有机发光二极管 (OLED) 上进行薄膜钝化时，LAPECVD 没有观察到电气损坏，这可能是因为激光辅助沉积在 OLED 表面覆盖了一层薄薄的氮化硅层，而传统的 PECVD 则因直接暴露于等离子体而导致离子轰击导致器件损坏。我们相信 LAPECVD 系统可用于各种下一代微电子行业，这些行业需要在低温 PECVD 期间以最小的损坏进行高质量的薄膜沉积。
原子层沉积：一种有效的防腐工具
原子层沉积 (ALD) 是目前广泛应用的薄膜生长方法。它目前用于微电子和发光显示技术的工业制造工艺。由于可以生长致密、保形的薄膜，并且厚度可以得到完美控制，因此 ALD 有望用于许多其他应用领域，如能源、传感、生物材料和光子学。尽管关于其在防腐方面的应用报道很少，但事实已证明 ALD 的优良特性对该领域大有裨益。在简要回顾了 ALD 的原理以及主要参数对薄膜性能的影响之后，本报告试图展示该技术在减轻腐蚀方面的应用。本文回顾了在不同领域成功使用 ALD 来保护金属和非金属表面的各种实例。
使用 HelixJet 在硅上沉积氧化硅薄膜——一种
L. Rebohle 1、A. Quade 2、T. Schumann 1、D. Blaschke 1、R. Hübner 1、R. Heller 1、R. Foest 2、J.
导电铜铁矿 PtCoO2 的原子层沉积
电流[12–14]。此外，铜铁矿 PdCoO 2 和 PtCoO 2 被证明是导电性最强的氧化物。例如，Kushwaha 等人 [15] 在室温下测定了 PtCoO 2 的电阻率ρ低至 2.1 µΩ cm，这是迄今为止报道的氧化物的最低值。此外，在低温下，其电导率接近 Cu、Ag 和 Au 等金属的电导率。[15,16] 这些铜铁矿由二维 Pd 和 Pt 片组成，通过八面体配位的 CoO 2 连接。由于这种结构，它们的电导率具有强烈的各向异性，并且在 (ab) 平面内最高。此外，Kitamura 等人[17] 通过从头计算预测了 PtCoO 2 中存在较大的本征自旋霍尔效应，这使其成为一种有趣的材料，可用于制造铁磁赛道等自旋电子器件，在这些器件中，自旋霍尔效应可用于产生自旋电流。[18–22]