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World File Search System溅射
研究与开发实验室用户手册 GD044
如果在使用危险材料和/或化学品时存在溅射风险，请务必佩戴面罩或护目镜。 处理任何有毒或危险物质时，请务必使用适当的防护措施。处理干冰/液氮时，请务必佩戴专为低温设计的手套并使用个人氧气监测仪。这些监测仪放在 HRLI 研发区 AD3 办公桌旁的抽屉里，必须填写签出/签到表。 在大多数实验室区域，应穿着白大褂。在容易出现高温的实验室区域（Papworth 医院小型实验室和护理室内），可以穿着带围裙的制服作为替代。 离开实验室区域前必须洗手。 戴着手套时不要触摸脸部，离开实验室时请脱下手套。处理样本时，请勿触摸门/门把手或戴着手套在医院内走动。
X 射线光电子能谱 (HT-NAP-XPS)
X 射线源：AlKα（1.48keV），单色光斑尺寸：直径约 200μm 分析时压力：10-8mbar 至 25mbar 分析时温度：最高 1000℃ 可插入最大尺寸为 40mm（宽）x 40mm（长）x 40mm（高）的单个样品 可插入最大尺寸为 10mm（宽）x 10mm（长）x 40mm（高）的多个样品 可插入最大尺寸为 10mm（宽）x 10mm（长）x 5mm（高）的空气和湿度敏感样品 三个摄像头用于实时观察样品 惰性/反应剂：N2、Ar、H2、O2、CO、CO2、H2O 快速样品加载程序 使用氩离子溅射进行表面铣削，可进行深度剖析 用于空气或湿度敏感样品的惰性样品转移系统 用于设置测量位置和时间的半自动系统条件和任务调度
贝拉尔·乌斯马尼
.粉末 X 射线衍射 (XRD) (D8 Advance, Bruker) 扫描电子显微镜 (SEM) (Carl Zeiss EVO 18 Special Edition) 能量色散 X 射线光谱 (EDS) (Oxford Instruments) 组合式 RF/DC 溅射装置 (Hind High Vacuum) 原子力显微镜 (AFM) (Park Systems XE-70) .拉曼显微镜 (BaySpec, Inc. NamadicM 多波长) UV-Vis/UV-Vis-NIR 分光光度计 (Agilent Varian Cary 4000/5000 和 PerkinElmer 900) VERTEX 70v 真空 FT-IR 光谱仪，带 PMA 50 (Bruker) 荧光分光光度计 (LS 55 PerkinElmer) .电化学工作站 (lviumstat/AUTOLAB) 旋涂机 (Laurell技术) 同步热分析仪 (STA 6000 Perkin - Elmer) 差示扫描量热法 (DSC 4000 Perkin- Elmer) 手套箱 (MBARUN UNIlab/JACOMEX) 热蒸发器 .Oriel 1QE-200 软件技能
Si 表面处理对 CoSi2 形成和团聚的影响
在微电子领域，尽管钴硅化物 CoSi 2 在小尺寸内成核困难，但对于采用 65 nm 技术设计的一些特定器件，基于 CoSi 2 的触点仍然很有趣。因此，为了促进 65 nm 技术中 CoSi 2 的形成，可以干扰 RTA1 期间发生的 CoSi 的形成。为此，在 Co 沉积之前对 Si 基板的表面处理可能会影响钴硅化物相的形成。在这项工作中，在 Co 和 TiN 层沉积之前，在 Si(100) 晶片上应用了不同的表面处理（SiCoNi、HF，然后是 SC1 和仅 HF）以及几种软溅射蚀刻 (SSE) 工艺。根据表面处理的不同，通过 XRD 和/或 EBSD 观察到的 Co 硅化物相（包括 CoSi 2 ）的形成温度和/或晶体取向是不同的。四点探针测量还表明，CoSi 2 团聚与表面处理方案有很大关系。这些结果突出了表面处理对 Co 硅化物形成和团聚的影响，以及其对于将 CoSi 2 膜集成到 65 nm CMOS 技术中的重要性。
FIM电气法规
关于物质验证，如果有疑问，应在材料测试实验室进行样本或所涉及的零件。02电气需求02.01电气安全必须确保在任何情况下，在正常操作或可预见的故障情况下，所使用的组件均不能在任何情况下造成伤害。必须确保用于保护人员或物体的组件可以在适当的时间内可靠地履行其功能。必须确保电气系统的单点故障不会导致电动毒被危害生命（雨水等）在正常操作中。电压B类中不得有任何裸露的活导电部件（在DC（脉动DC） /> 30 V rms中的> 60 V中）。保护元素（卡特，保护盖等）不使用工具就无法删除针对直接接触的。 02.02电气组件必须保护所有电气设备的所有部分，至少与IP66D类型保护（防尘，防溅射无物体入侵）。 裸露的连接器/电线必须在发生事故（侧面盖）的情况下防止磨损。 02.03电动总线最大电压最大电压总线中的最大电压电压为：A类试用摩托车：60 V dc＆30 V AC（RMS）（脉冲DC <60V）B级B 420 V dc＆300 V AC（RMS）800 V DC＆600 V DC（RMS）用于Motoe 1500 V DC DC＆1000 V AC（RMS） b级电压）土地速度世界记录。02.02电气组件必须保护所有电气设备的所有部分，至少与IP66D类型保护（防尘，防溅射无物体入侵）。裸露的连接器/电线必须在发生事故（侧面盖）的情况下防止磨损。02.03电动总线最大电压最大电压总线中的最大电压电压为：A类试用摩托车：60 V dc＆30 V AC（RMS）（脉冲DC <60V）B级B 420 V dc＆300 V AC（RMS）800 V DC＆600 V DC（RMS）用于Motoe 1500 V DC DC＆1000 V AC（RMS）b级电压）土地速度世界记录
尽管工业生产疲软，但全球经济在2023年第三季度增长。这主要是由于大力消费和R
尽管工业生产疲软，但全球经济在2023年第三季度增长。这主要是由于美国的大量消费和美国的弹性劳动力市场。多亏了大流行期间的节省，美国的家庭消费仍然很高。中国似乎正在从周期性的底部恢复过来，但是在房地产泡沫破裂之后，结构性挑战仍然巨大。德国是欧洲的经济引擎，溅出了严重的溅射。另一方面，由于消费者的需求强劲，许多新兴经济体的增长速度在很大程度上稳定。通货膨胀率仍然很高，尤其是在西方国家，但稳步下降。全球经济趋势因此在审查的季度中继续进行。这一点很引人注目的是，去年冬季，几乎所有经济学家和市场参与者都认为，到现在为止，美国经济将处于衰退状态。同时，共识的观点是在未来几个季度进行柔和的降落。软着陆被定义为经济弱点的时期，通常是在周期性的上升，这不符合经济衰退的标准。这个
铝薄膜传输线的低温损失测量
在本文中，我们研究了由溅射技术在低温下沉积的铝薄膜制成的平面微波结构。通过考虑导电线中的停止距离，已经分析了沉积在硅底物上的这些铝传输线中的损耗机制。表明，线的衰减取决于传输线的材料特性和边缘形状。使用低温恒温器系统，使用1-12 GHz频率范围的矢量网络分析仪对结构的两端微波传输测量进行测量。这项工作表明，铝可能是各种应用的潜在候选者，即MKID，并且可以替代其他用于低温应用的常规超导体。此外，可以继续基于硅基板的微带线中停止距离分析，以分析由于传输线的台阶边缘制造而导致的精确损失。然后可以使用此分析来估计损失测量中的不确定性。这项工作将有助于开发各种尖端技术的传输线，包括量子计算，物联网和高速通信系统，其中损失参数起着至关重要的作用。
dts0095-梁拆分器/组合器
光纤束拆分器用于将光从一个纤维分为两个或更多纤维。首先将输入纤维的光准直接发送，然后通过光束分裂的视频发送将其分为两部分。然后将结果输出梁聚焦到输出纤维中。1xn和2xn拆分器都可以以这种方式构建多达八个或以上的输出，而低回报损失和低插入损失。此设计非常灵活，使人们可以在不同端口上使用不同的纤维类型，并在内部使用不同的梁分离器光学器件。常规制造的定制设计结合了循环器，两极分化的溅射器和非极化拆分器。可以用永久连接到每个端口（辫子样式）的纤维或每个端口上的插座制成拆分器。我们还可以用Bui lt-In beamsplitters为激光或激光二极管源构建源源。有关详细信息，请联系Oz。
音调控制螺旋丝带的灵活性
月亮是研究深空血浆和能量颗粒环境的独特位置。在其围绕地球的大部分轨道上，它直接暴露于太阳风中。由于没有全局固有磁场和碰撞气氛，太阳风和太阳能颗粒几乎没有偏离或吸收而到达，并直接影响其表面，与月球雷隆和脆弱的月球外层相互作用。到达月球表面的能量颗粒可以吸收或散射，也可以通过溅射或解吸从月球岩石中去除另一个原子。同样的现象也发生在银河宇宙射线中，它呈现典型的行星际空间的通量和能量光谱。在5 - 6天的每个轨道中，月亮越过陆地磁层的尾部。然后，它提供了在陆地磁尾等离子体环境以及大气从地球电离层中逃脱的可能性，以重离子的形式加速并向下流动。月球环境提供了一个独特的机会，可以研究太阳风，宇宙射线和磁层与表面，直接地下以及未磁性行星体的表面外观的相互作用。
压电材料薄膜的制备及...
摘要 薄膜技术因其多种工业用途而具有吸引力，正在工程学、化学、物理学和材料科学等许多领域得到研究。近年来，随着可再生能源的开发前景，薄膜市场，尤其是光伏领域的研究得到了显著发展，薄膜市场迅速增长。然而，这并不排除其他领域，如半导体集成电路、保护、光学或简单的装饰涂层。上面没有提到的一个领域是新兴的能量收集领域，即捕获和积累来自环境中可用的替代能源的所有能量；第一步是寻找能够将环境能量转换为电能的设备。多年来，人们一直在研究实现这种转换的一种可能的解决方案，那就是压电薄膜，本论文的主题就是压电薄膜的实现和一些初步测量。所采用的技术是生产薄膜最通用的技术之一，即在反应环境中的磁控管配置中进行溅射，该技术快速且能适应各种要求，以获得具有所需特性的薄膜。沉积的压电材料是铝基板上的氮化铝。