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混合量子点/...中的自旋塞贝克效应
采用非平衡格林函数方法结合戴森方程技术，理论研究了与具有强自旋轨道相互作用的拓扑超导或半导体纳米线连接的量子点（QD）中的自旋塞贝克效应（SSE）特性。低温下，在拓扑超导或半导体纳米线末端制备马约拉纳零模（MZM），并以自旋相关的强度与QD杂化。我们认为QD在自旋热积累（SHA）的存在下耦合到两根引线，即引线中的温度自旋相关。我们发现，当QD与MZM中一个模式之间的杂化强度取决于电子自旋方向时，热电势就是自旋极化的，而通过改变SHA的大小可以有效地调节其自旋极化。通过适当改变 QD-MZM 杂化强度的自旋极化、SHA 的大小、点级或 MZM 之间的直接耦合，可以产生 100% 自旋极化或纯热能。我们的研究结果可能在高效自旋电子器件或 MZM 检测中得到实际应用，这些器件目前正在接受广泛研究。本模型在当前纳米技术的范围内，可用于高效自旋热电子器件。
在独立衬底上生长的 GaN 外延层上的 Ni 肖特基势垒中的电流传输
本文对在独立衬底上生长的 GaN 外延层上的 Ni 肖特基势垒进行了表征。首先，通过对裸材料进行透射电子显微镜 (TEM) 图像和导电原子力显微镜 (C-AFM) 的纳米级电学分析，可以看到晶体中的结构缺陷以及电流传导的局部不均匀性。在外延层上制造的 Ni/GaN 垂直肖特基二极管的正向电流-电压 (IV) 特性给出的肖特基势垒高度平均值为 0.79 eV，理想因子为 1.14。对一组二极管的统计分析，结合温度依赖性测量，证实了在该材料中形成了非均质肖特基势垒。从 Φ B 与 n 的关系图中可以估算出接近 0.9 eV 的理想均质势垒，与通过电容-电压 (C – V) 分析推断出的势垒相似。通过 C-AFM 获得的局部 IV 曲线显示了电流传导开始点的不均匀分布，这又类似于在宏观肖特基二极管中观察到的电流传导开始点。最后，在不同温度下获得了在无缺陷区域制造的二极管的反向特性，并通过热电子场发射 (TFE) 模型描述了其行为。
用于火星快速运输的裂变碎片火箭发动机
自 20 世纪 50 年代以来，核火箭主要由洛斯阿拉莫斯国家实验室研发，以提供更快的太空旅行方法。（Bussard 和 DeLauer，1958 年；Dewar，1974 年；Borowski，1987 年；Dewar，2007 年）。这些技术利用核设计，以传统方式将热量从密封核心传输到液氢膨胀器或热电子转换器。从 20 世纪 80 年代开始，一种更有效的核能转换设计出现在火箭中（Haslett，1995 年；Lieberman，1992 年），当火箭远离地球大气层时，核心就会暴露在外，直接使用核碎片推力。从 2011 财年到 2014 财年，NASA 先进概念研究所研究了裂变碎片火箭发动机 (FFRE)。 （Werka 等人，2012 年；Chapline，1988 年；Chapline 等人，1988 年；Chapline 和 Matsuda，1991 年）。FFRE 会以极高的比冲（I SP）将裂变碎片的动量直接转化为航天器动量。I SP 是衡量发动机使用燃料产生推力的效率的指标。对于火箭技术，I SP 定义为每单位重量（地球上）推进剂在时间内的积分推力。（Benson，2008 年；Sutton 和 Biblarz，2016 年）。I SP 由公式 1 给出
电子加速度由低杂交饮用不稳定性驱动 - 延长的准线性模型
上下文。密度不均匀性在空间和天体物理等离子体中无处不在，尤其是在不同培养基之间的接触边界处。它们通常对应于在各种空间和时间尺度上表现出强大动态的区域。的确，密度不均匀性是一种可以驱动各种不稳定性的自由能来源，例如低杂交饮用的不稳定性，进而将能量通过波颗粒相互作用转移到颗粒并最终加热等离子体。目标。我们的研究旨在量化低杂交饮用不稳定的效率，以加速或热电子与环境磁场平行。方法。我们结合了两种互补方法：全运动和准线性模型。结果。我们报告了由低杂交饮用不稳定的3D-3V全动作数值模拟的发展驱动的电子加速度的自洽证据。观察到的加速度的效率无法通过标准的准线性理论来解释。因此，我们开发了一种扩展的准线性模型，能够在长时间尺度上定量预测低杂交闪光与电子之间的相互作用，现在与全动光模拟结果一致。最后，我们将此新的，扩展的准线性模型应用于特定的不均匀空间等离子体边界，即汞的磁化。此外，我们讨论了我们对电子加速度的定量预测，以支持未来的Bepicolombo观测值。
光学和激光技术
激光引起的周期性表面结构（LIPS），尤其是表现出高空间频率LIPS（HSFL）的表面结构，由于其快速纳米结构的产生能力，因此在精确制造中具有至高无上的意义。但是，对于Au，在微纳米应用中广泛使用的材料，HSFL的表现仍然难以捉摸。这项研究成功地制造了HSFL，其周期性为100 nm，利用了520 nm飞秒激光（FS-LASER）引起的结晶。启动HSFL形成的基本元素在于用无序的晶格结构与FS激光诱导的结晶相结合。无序的晶格结构促进了电子在热传输中偶联的占优势，从而抑制了热电子扩散效果 - 这是HSFL形成的先决条件。结晶控制了“非晶Au”的转换为典型的Au的结晶状态，同时还可以使周期乘法取决于FS-LASER脉冲的数量。它最终促进了在晶体AU上形成100 nm HSFL的形成。此外，通过在单层石墨烯中的周期性纳米图案（即HSFL）中的应用中，Au HSFL的多功能性得到了证明。因此，除了揭示了基于金属HSFL形成的新型物理机制外，Au HSFL的成就无疑有望在纳米电子和纳米光子学方面取得重大进步。
等离子辅助锡支撑单原子镍催化剂
摘要我们报告了单原子镍催化剂在难治性等离子硝酸钛（TIN）纳米材料上使用湿合成方法在可见光光照射下支持的沉积。锡纳米颗粒有效吸收可见光，以产生光激发的电子和孔。光激发电子减少镍前体，以将Ni原子沉积在锡纳米颗粒表面上。产生的热孔被甲醇清除。我们通过改变光强度，光照时间和金属前体浓度来研究锡纳米颗粒上的NI沉积。这些研究结合了光沉积法是由热电子驱动的，并帮助我们找到了单个原子沉积的最佳合成条件。我们使用高角度的环形暗场扫描透射电子显微镜（HAADF-STEM），能量分散X射线光谱（EDX）和X射线光电子光谱（XPS）表征了纳米催化剂。我们使用密度功能理论（DFT）计算来预测Ni原子在TIN上的有利沉积位点和聚集能。TIN的表面缺陷位点最有利于单镍原子沉积。有趣的是，锡天然表面氧化物层上的氧位点也与单个Ni原子表现出很强的结合。等离子体增强的合成方法可以促进单个原子催化剂的光沉积在具有质量特性的广泛金属载体上。
S 波段脉冲射频操作期间功率 GaN-HEMT 的可靠性和故障分析
本文报告了两项 AlGaN / GaN 高电子迁移率晶体管 (AlGaN / GaN HEMT) 技术（器件“A”和器件“B”）的可靠性研究。对雷达应用的实际工作条件下承受应力的器件进行了故障分析研究。这些器件经过脉冲射频长期老化测试，11000 小时后射频和直流性能下降（漏极电流和射频输出功率下降、夹断偏移、跨导最大值下降、跨导横向平移以及栅极滞后和漏极滞后增加）。热电子效应被认为是钝化层或 GaN 层中观察到的退化和捕获现象的根源。光子发射显微镜 (PEM)、光束诱导电阻变化 (OBIRCH)、电子束诱导电流 (EBIC) 测量与这一假设一致。这三种技术揭示了沿栅极指状物的非均匀响应和不均匀分布，此外，在漏极侧或源极侧的栅极边缘上存在一些局部斑点。对这些斑点进行光谱 PEM 分析可识别出可能与位错或杂质等晶体缺陷有关的原生缺陷。对 AlGaN / GaN HEMT 的两种技术进行的原子探针断层扫描 (APT) 分析支持了这一假设。APT 结果显示存在一些化学杂质，如碳和氧。这些杂质在器件“A”中的浓度相对较高，这可以解释与器件“B”相比，该器件的栅极滞后和漏极滞后水平较高。
旋转等离子体中的天然热离子模式
核融合设备旨在通过将等离子体加热到非常高的温度，通常是在数十千分kev的范围内实现点火。这些温度下的热量损失是融合效率效率的重要来源。但是，融合横截面仅取决于燃料离子的温度。同时，通过辐射或热传输会导致热电子损失，但不会产生融合功率。此外，磁性配置设备对捕获血浆的容量通常受到总等离子体的限制。因此，高温电子占据了该压力极限的很大份额，而无需产生任何额外的融合能力。因此，可以通过实现“热离子模式”来改善融合装置的性能，在该模式下，在该模式下，离子在高温下比电子高[1，2]。但是，获得热离子模式是一个重要的技术挑战。融合产生的高能离子优先碰撞地损失了它们的能量，而不是燃料离子。如果没有采取任何其他策略来加热离子种群，则电子将至少与燃料离子一样热，即使不是热。如果外部加热源针对离子种群，则可以产生热模式。这些来源可能是中性梁或RF波。在所有这些情况下，热离子模式需要明显的干预才能改变功率平衡，以便将能量引向燃料离子。本文将提出另一种可能性：a在反应器中达到热模式，但是，主要的加热必然是通过融合反应，需要某种形式的α通道，其中融合副产物的能量被引导到波浪中（避免对电子的碰撞加热），并将其引入其燃料中的燃料中的燃料中的燃料[3-111]。在任何这些情况下，如果降低电子能量的能量，则可以增加温度的差异，尽管此策略涉及增加能量损失的范围而言不太可取。
卡塔琳·玛丽安·杜库
1. 扩大X射线分析实验室的活动和设施评估和认证产品和废弃物，符合欧盟指令 - ROHS、WEEE、ELV、CEEX-M4-C2-6193，项目主管，2006 2. 用于先进气体检测的纳米结构光学传感器，CEEX 模块 1，项目编号。 6376/2006，项目经理，2006 3. 通过以下方法沉积的纳米结构碳层质量的比较研究：真空热电子弧（VAA）、阴极电弧和磁控溅射，CEEX 模块 1，项目编号。 9396/2006，项目经理，2006 4. 马氏体时效钢的硬化机理和热稳定性的高级研究，CEEX Module 1，项目编号： 1057/2006。项目经理，2006 年 5. 用于生产燃料电池超纯氢的膜反应器的研究和开发，PNCDI 2，合同 21004/2007，项目经理，2007 年 6. 用于改善汽车生产中使用的金属材料表面性能的创新技术，PNCDI 2，合同 71038/2007，项目主管，2007 年 7. 由金属间化合物制成的新材料，用作铱和钴伽马源的辐照靶，用于工业和医学，PNCDI 2，合同 71141/2007，项目经理，2007 年 8. 由金属间化合物制成的新材料，用作铱和钴伽马源的辐照靶，用于工业和医学，PNCDI 2，合同 71141/2007，项目经理， 2007 9. 先进医疗治疗技术开发综合项目，编号：PN-III-P1-1.2-PCCDI-2017-0728 合同号 63PCCDI/2018，项目经理，2018 10. 能源和医疗领域的先进材料和激光/等离子加工技术
Ar/O2 和 Ar/Cl2 电感耦合等离子体中的 E–H 跃迁
电负性电感耦合等离子体 (ICP) 用于微电子工业中半导体制造的导体蚀刻。天线功率和偏置电压的脉冲化提供了额外的控制，以优化等离子体 - 表面相互作用。然而，由于在前一次余辉结束时电子密度较低，因此脉冲 ICP 在功率脉冲开始时易受电容到电感模式转变的影响。电容 (E) 到电感 (H) 模式的转变对前一次余辉结束时等离子体的空间结构、电路（火柴盒）设置、操作条件和反应器配置（包括天线几何形状）很敏感。在本文中，我们讨论了通过计算研究的结果，研究了在 Ar/Cl 2 和 Ar/O 2 气体混合物中维持的脉冲 ICP 中的 E - H 跃迁，同时改变操作条件，包括气体混合物、脉冲重复频率、功率脉冲的占空比和天线几何形状。在 Ar/Cl 2 混合气体中维持的脉冲 ICP 容易发生显著的 E – H 跃迁，这是因为余辉期间与 Cl 2 发生热解离附着反应，从而降低了预脉冲电子密度。这些突然的 E – H 跃迁会从等离子体边界（尤其是天线下方）形成的鞘层发射静电波。在 Ar/O 2 混合气体中观察到的更平滑的 E – H 跃迁是由于缺乏对 O 2 的热电子附着反应，导致功率脉冲开始时的电子密度更高。讨论了入射到晶片和天线下方的介电窗口上的离子能量和角度分布 (IEAD)。天线的形状影响 E – H 跃迁和 IEAD 的严重程度，天线具有面向等离子体的较大表面积，会产生较大的电容耦合。通过将计算出的电子密度与实验测量值进行比较来验证模型。