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具有良好时间分辨率的低增益雪崩探测器...
本文给出了由高能物理研究所设计、中国科学院微电子研究所制备的50 µm 厚低增益雪崩探测器 (LGAD) 传感器的模拟和测试结果。制备了三片晶圆，每片晶圆采用四种不同的增益层注入剂量。制备过程中采用了不同的生产工艺，包括改变 n++ 层注入能量和碳共注入。测试结果表明，从电容-电压特性来看，增益层剂量较高的 IHEP-IME 传感器具有较低的击穿电压和较高的增益层电压，这与 TCAD 模拟结果一致。Beta 测试结果表明，IHEP-IME 传感器在高压下工作时的时间分辨率优于 35ps，辐照前 IHEP-IME 传感器收集的电荷大于 15fC，满足 ATLAS HGTD 项目对传感器辐照前的要求。关键词：低增益雪崩探测器（LGAD），注入剂量，击穿电压，时间分辨率，电荷收集电子邮件地址：zhaomei@ihep.ac.cn (Mei Zhao)
2023年企业社会责任报告
为了使碳化硅在功率器件中有效工作，必须对其进行抛光并且没有缺陷。以前，抛光过程耗费大量时间和资源，每片晶圆最多需要 50 小时。Entegris 的团队由 Rajiv Singh 博士领导，开发了一种可在大约一小时内抛光材料的工艺，大大节省了时间和材料。最近的改进将抛光时间进一步缩短至几分钟。这种快速抛光工艺可产生无缺陷、原子级光滑的表面，从而能够制造出性能更高的碳化硅器件，与传统硅器件相比，可将电动汽车电池的充电时间缩短高达 50%。通过促进电动汽车的过渡和清洁能源技术的发展，Entegris 的碳化硅创新正在为更可持续的未来做出贡献。
4254 多光束突破性半导体...
该公司重新革新了电子束光刻技术，使其能够快速成型和生产，并能以最快的速度将先进封装、光子学、安全芯片 ID 和其他特殊应用推向市场。这种无掩模多柱平台是业界唯一一款电子束解决方案，它采用模块化架构，提供全晶圆直写图案化功能和精细分辨率，并针对规模进行了优化。该全自动系统具有多个微型电子束传输柱，可独立写入以实现超高吞吐量，并采用先进的算法，实现前所未有的方向控制。结果：以最低的运营成本实现最快的首片晶圆生产速度 - 这项曾经因吞吐量低而只能停留在实验室环境中的极具价值的技术，现在却适合大批量的晶圆级生产。
用于扇出型封装 RDL 屏障/种子形成的 PVD 工具中晶圆传输架构的生产率比较
摘要 物理气相沉积 (PVD) 系统广泛应用于半导体制造行业，既用于晶圆厂的前端应用，也用于器件封装厂的后端应用。在扇出型晶圆级封装 (FOWLP) 和扇出型面板级封装 (FOPLP) 中，溅射沉积的 Ti 和 Cu 是构建电镀铜重分布层 (RDL) 的基础。对于这些 RDL 阻挡层/种子层，PVD 集群工具（自 20 世纪 80 年代中期以来广泛使用的晶圆传送架构）是当前先进封装中的记录工艺 (POR)；然而，这些工具通常在晶圆传送受机器人限制的条件下运行，每小时传送约 50 片晶圆，这限制了总体吞吐量并极大地影响了溅射沉积步骤的拥有成本 (COO)，因为中央处理机器人忙于从 Ti PVD 模块到 Cu PVD 模块的传送，除了特定的传送之外没有机会做任何其他事情。
年度报告 + 2024 年代理
除了朝着财务和业务目标迈进外，我们在为更可持续的未来做出贡献的征程中也取得了重要进展。2023 年，我们超越了 2025 年的目标，与 2020 年基准年相比，人均碳足迹减少了 48%。我们还将可再生能源的使用率提高到了 37%。此外，我们还通过减少每片晶圆和其他必要设施的总体功耗来帮助客户减少碳足迹。半导体和半导体资本设备的前景从未如此强劲。随着人工智能和“一切电气化”的长期驱动力，我们的客户正在快速创新，并依靠 Onto Innovation 这样的公司来实现他们的愿景。客户新产品的复杂性日益增加所带来的挑战，从严格的裸晶圆工艺控制要求到复杂的新内存和逻辑晶体管结构，再到革命性的新封装技术，正在对工艺控制解决方案产生新的需求。Onto Innovation 在整个价值链中都已建立完善的基础，我们很高兴能与客户密切合作，以确保我们继续提供实现其未来创新所必需的关键任务解决方案。
与整个行业共同前进
Archer 正在继续前进 Archer Materials 正在继续推进其 12CQ 和 Biochip 的研发阶段，它的大多数同行也是如此。Archer Materials 的现金管理得很好，两年内没有筹集任何资金，截至 2024 年 3 月 31 日，银行账户中有 2000 万澳元。24 年度的一大亮点是成功制造了 Biochip 石墨烯场效应晶体管 (gFET) 设计，该设计通过由该公司在西班牙的代工合作伙伴 Graphenea 运营的 6 英寸整片晶圆完成。Graphenea 生产了 145 个芯片。这将有助于 Archer Materials 推进制造工艺，以大规模生产 gFET 芯片。2024 年 5 月中旬，我们亲眼目睹了其中的一些情况，参观了悉尼纳米科学中心研究和原型铸造厂 (RPF)，Archer Materials 与其他公司共享该工厂以开发其技术。这将是本报告的重点。澳大利亚政府的量子赌注应会吸引更多投资 当一些投资者听到媒体报道政府正在投资 PsiQuantum 时，他们感到失望，他们不可避免地希望 Archer 自己获得投资。这是澳大利亚和昆士兰州政府与 PsiQuantum 合作对量子计算能力进行的一项更广泛的投资——它并不完全是一项股权发行交易。我们相信这笔交易将带来更多像 RPF 这样的设施，并可能带来更多来自成熟技术公司的投资，更广泛的澳大利亚量子计算生态系统将从这项投资中受益，进而受益于 Archer。
硅光子学
执行摘要 最新技术摘要 在过去 20 年中，硅光子学已成为光子集成电路 (PIC) 的一项极具吸引力的技术，因为它直接建立在硅纳米电子领域的极度成熟基础之上。因此，它开辟了一条通往非常先进的 PIC 的道路，具有非常高的产量和低成本。更准确地说，今天，硅光子 PIC 正在 200 毫米和 300 毫米 CMOS 代工厂中以纳米级精度和可重复性进行商业化生产，这从光子学的角度来看是前所未有的。基本技术利用绝缘体上硅 (SOI) 晶圆，其中埋氧层顶部的硅层充当连接芯片上器件的波导的核心。由于硅是导光材料，氧化硅是包层，该技术可以解决波长范围约为 1 至 4 m 的应用，从而包括以 1300nm、1550nm 和 1550(+)nm（分别为 O、C 和 L 波段）为中心的非常重要的光纤光谱带。硅光子学已经成为十多家公司（其中大部分是无晶圆厂公司）用于数据中心和电信网络中高数据速率收发器产品的首选技术。总的来说，他们向市场部署了估计数百万个硅光子收发器。大约有 20 个硅光子制造平台（部分为工业平台，部分为支持原型设计和小批量制造的研究机构平台）已经建立，这些平台基于现有基础设施和源自硅电子行业的专有技术（见附录 A1）。典型平台允许集成高速调制器和高速 Ge 探测器，符号率范围为 50 至 100 Gbaud，以及用于光束组合/分裂、波长选择功能、偏振选择功能和片外耦合的高级无源功能。一些平台允许其他功能，例如与高级电子设备的集成（单片或混合）、光源的集成（异构或混合）以及面向传感的功能（例如微流体）。大多数平台的运作方式类似于代工厂：任何最终用户都可以访问它们，无论是全掩模版/全晶圆批次 (FRFL) 模式还是成本分摊多项目晶圆 (MPW) 模式，其中最终用户可以提交部分掩模版的设计，并将收到几十个处理过的芯片而不是完整的晶圆。 FRFL 模式成本高昂（数十万欧元/美元），但每芯片成本较低（每芯片约 10 欧元/美元），而 MPW 模式每设计成本更实惠（数十万欧元/美元），但每芯片成本约 1000 欧元/美元。当扩展到更高产量（例如 1000 片晶圆）时，芯片成本可降至每芯片 1 欧元/美元以下，因为固定掩模和间接成本在整个批次中摊销。当代工厂基础设施的投资已经折旧或与其他用户共享时，较低的单芯片成本也会受益。芯片代工厂向其客户提供工艺设计套件 (PDK)。这些 PDK 详细说明了给定平台的设计规则，并包含基本组件和电路库。硅光子学 PDK 的成熟度尚未达到 CMOS IC 代工厂的水平。今天，硅光子学 PDK 仅包含非常基本的构建模块库，特别是对于 MPW 操作模式。未来的硅光子学 PDK 必须包含组件和电路的紧凑模型，其参数基于经过验证的测量数据，并考虑到晶圆之间和晶圆之间的工艺变化。