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本文给出了由高能物理研究所设计、中国科学院微电子研究所制备的50 µm 厚低增益雪崩探测器 (LGAD) 传感器的模拟和测试结果。制备了三片晶圆，每片晶圆采用四种不同的增益层注入剂量。制备过程中采用了不同的生产工艺，包括改变 n++ 层注入能量和碳共注入。测试结果表明，从电容-电压特性来看，增益层剂量较高的 IHEP-IME 传感器具有较低的击穿电压和较高的增益层电压，这与 TCAD 模拟结果一致。Beta 测试结果表明，IHEP-IME 传感器在高压下工作时的时间分辨率优于 35ps，辐照前 IHEP-IME 传感器收集的电荷大于 15fC，满足 ATLAS HGTD 项目对传感器辐照前的要求。关键词：低增益雪崩探测器（LGAD），注入剂量，击穿电压，时间分辨率，电荷收集电子邮件地址：zhaomei@ihep.ac.cn (Mei Zhao)
具有良好时间分辨率的低增益雪崩探测器...
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