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高温电子器件 (HiTEC)
总主席：F. Patrick McCluskey，马里兰大学技术委员会：Brianna Klein，桑迪亚国家实验室 | Emad Andarawis，通用电气全球研究中心 | David Shaddock，通用电气全球研究中心 | Liangyu Chen，俄亥俄航空航天研究所/美国国家航空航天局 | Katherine Burzynski，美国空军研究实验室 | Brendan Hanrahan，美国陆军研究实验室 | Andrew Wright，桑迪亚国家实验室概述：HiTEC 2025 延续了提供领先两年一度会议的传统，致力于推动和传播高温电子行业的知识。在国际微电子组装和封装协会的组织赞助下，HiTEC 2025 将成为展示领先高温电子研究成果和应用要求的论坛。这也将是与来自世界各地致力于推动高温电子技术的同事建立联系的机会。要求的摘要包括以下主题：• 应用：
电子器件与电路（规
了解正反馈和负反馈系统所需的功能。 UNIT I PN 结器件 9 PN 结二极管 – 结构、操作和 VI 特性、扩散和过渡电容 - 削波和钳位电路 - 整流器 – 半波和全波整流器 – 显示设备 - LED、激光二极管、齐纳二极管特性 - 齐纳反向特性 – 齐纳作为稳压器 UNIT II 晶体管和晶闸管 9 BJT、JFET、MOSFET – 结构、操作、特性和偏置 UJT、晶闸管和 IGBT - 结构和特性。 UNIT III 放大器 9 BJT 小信号模型 – CE、CB、CC 放大器分析 – 增益和频率响应 – MOSFET 小信号模型 – CS 和源极跟随器分析 – 增益和频率响应单元 IV 多级放大器和差分放大器 9 BIMOS 级联放大器、差分放大器 – 共模和差模分析 – FET 输入级 – 单调谐放大器 – 增益和频率响应 – 中和方法、功率放大器 – 类型（定性分析）。单元 V 反馈放大器和振荡器 9 负反馈的优点 – 电压/电流、串联、并联反馈 – 正反馈 – 振荡条件、相移 – 维恩电桥、哈特利、考毕兹和晶体振荡器。
高频真空电子器件
毫米波和太赫兹频率的真空电子器件在现代高数据速率和宽带通信系统、高分辨率检测和成像、医学诊断、磁约束核聚变等领域发挥着重要作用。由于电子在真空介质中运动速度快，与现有的其他辐射源（如固态器件）相比，它们具有高功率、高效率以及紧凑性的优势。我们设立“高频真空电子器件”专刊的目的是加强有关这些器件的理论、设计、仿真、工艺和开发的研究信息的交流，促进它们的应用，并吸引年轻的研究人员和工程师进入这个重要领域，这是现代电子科学和信息技术的重要组成部分。真空电子射频功率器件有很多种，包括线束器件、交叉场器件和快波器件。在高达太赫兹的高频范围内，速调管、行波管、波谷振荡管和回旋管因其高功率或宽瞬时或调谐带宽而受到广泛研究。为了在毫米波和太赫兹频率下获得高质量的性能，过去十年中出现了新的技术和工艺，包括使用 MEMS 和 3D 打印的微加工、用于窗口和衰减器的新型金刚石相关材料。同时，人们还研究了新的慢波结构和谐振结构，如超结构、高阶模式操作和片状电子束，用于获得高功率；杂散抑制；并降低制造难度，特别是在高频范围内。阴极、电子枪、I/O 结构、磁聚焦系统和收集器等器件零部件的革命性技术在高频真空电子器件的发展中发挥了关键作用。本期特刊包含 15 篇论文，涵盖了广泛的主题，涉及频率范围高达 340 GHz 的高频真空设备的设计、仿真、制造和测试，以及包括回旋管、TWT 和 EIK 在内的设备，以及波束形成和限制阴极、慢波结构和模式转换器等。高频回旋管是动态核极化核磁共振 (DNP-NMR) 应用的核心设备，可显着提高医疗系统和科学研究中高场 NMR 的灵敏度和分辨率。北京大学论文[1]《330 GHz/500 MHz DNP-NMR应用的线性偏振高纯度高斯光束整形与耦合》提出了用于330 GHz/500 MHz DNP-NMR系统的波纹TE11-HE11模式转换器和三端口定向耦合器的设计与计算。模式转换器的输出模式呈现出高度
全集成拓扑电子器件
拓扑绝缘体 (TI) 因其独特的物理特性和广阔的应用前景而在光子学和声学领域引起了广泛关注。由于电子学在构建复杂拓扑结构方面具有优势，它最近成为研究各种拓扑现象的一个令人兴奋的领域。在这里，我们利用标准的互补金属氧化物半导体技术在集成电路 (IC) 平台上探索 TI。基于 Su–Schrieffer–Heeger 模型，我们设计了一个完全集成的拓扑电路链，该电路链使用多个电容耦合电感电容谐振器。我们对其物理布局进行了全面的布局后模拟，以观察和评估显着的拓扑特征。我们的结果证明了拓扑边缘状态的存在以及边缘状态对各种缺陷的显着鲁棒性。我们的工作展示了使用 IC 技术研究 TI 的可行性和前景，为未来在可扩展 IC 平台上探索大规模拓扑电子学铺平了道路。
迈向高性能 Ga2O3 电子器件
本期特刊主要关注 Ga 2 O 3 外延生长和电子器件相关主题的最新进展。实验和理论工作均可接受。我们邀请向本期特刊提交原创研究文章/通讯和综合评论论文。本期特刊将涵盖的主题包括但不限于： 高压 Ga 2 O 3 电子器件； Ga 2 O 3 射频器件； Ga 2 O 3 异质结器件； Ga 2 O 3 薄膜的高质量外延生长； Ga 2 O 3 在异质衬底上的异质集成； Ga 2 O 3 器件的理论建模与仿真； 大尺寸 Ga 2 O 3 单晶和晶片。
超低功耗电子器件：TFET 和 NEM 器件
学士：首尔国立大学电子工程学士 (1996 - 2000) 硕士：首尔国立大学电子工程学士 (2000 - 2002) 博士：首尔国立大学电子工程学士 (2002 - 2006) 工作经历
基于 SiC 的辐射探测器前端电子器件
摘要 — 在高剂量脉冲带电粒子束中，所有在线探测器都会因离子复合而饱和。因此，不可能单独计数探测器脉冲。碳化硅由于其高带隙、高热导率和高位移能量而被视为替代品。实时分析波形在带宽、可测量能量范围、传感器尺寸、数据速率方面具有挑战性。在此背景下，设计了一个用于辐射信号处理的模拟前端 (AFE)。它基于跨阻放大器 (TIA) 和电荷敏感放大器 (CSA) 来分析生成信号的形状。描述了用于表征高探测器电容 AFE 的方法。还介绍了从辐射环境中的模拟、实验和测量中提取的结果。
可穿戴和可植入软生物电子器件
能够实时记录生理信号并提供适当治疗的高性能可穿戴和植入设备在个性化医疗改革中发挥着关键作用。然而，刚性无机设备与柔软有机人体组织之间的机械和生化不匹配会造成严重问题，包括皮肤刺激、组织损伤、信噪比降低以及使用时间有限。因此，人们投入了大量研究精力，通过使用灵活、可拉伸的设备设计和软材料来克服这些问题。在这里，我们总结了软生物电子学的最新代表性研究和技术进展，包括可变形和可拉伸的设备设计、各种类型的软电子材料以及表面涂层和处理方法。我们还重点介绍了这些策略在新兴软可穿戴和植入设备中的应用。我们最后总结了目前的一些局限性，并对这一蓬勃发展的领域的未来前景进行了展望。
技术重点：宽带隙电子器件
碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件将逐渐取代现有的硅技术，因为硅已经达到其物理电学性质的固有极限。 因此，自 2007 年以来，硅基器件已不再能够跟上摩尔定律的步伐，曲线出现了平台期：摩尔预测，集成电路制造商每年应该能够将单个硅芯片上可容纳的晶体管数量翻一番。 相反，晶体管尺寸正在以较慢的速度减小；自 2007 年以来，尺寸减小的进程已明显放缓。 美国劳伦斯伯克利国家实验室 (LBNL) 最近制造的最小硅 MOSFET 的宽度（沟道长度）仅为 7 纳米，即仅比单个硅原子的尺寸大一个数量级。 在这种几何尺寸下，可能会发生量子隧穿，并且器件将失去控制电流流动的能力。因此，最近的发展意味着硅技术正在接近该材料的理论物理极限。由于硅的特性阻碍了器件性能的进一步提高，微电子研发变得更具挑战性，需要投入大量资金，有时似乎不经济，因为它太昂贵了。