XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System电子器件
3D 打印电子产品的映射 - kth .diva
2 参考框架 3 2.1 3D 打印电子简介 . ...。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。3 2.2 材料 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。4 2.2.1 导电油墨。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。4 2.2.2 介电结构材料 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。4 2.3 3D打印电子技术。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。5 2.3.1 基于材料挤压的方法 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。5 2.3.2 基于材料喷射的方法 .。。。。。。.................5 2.3.3 其他印刷技术 ..........................6 2.4 印刷电子 ......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。7 2.5 3D 表面上的电子器件。。。。。。。。。。。。。。。。。。。............8 2.5.1 多面印刷电子产品 .................8 2.5.2 印刷保形电子产品 .....................9 2.5.3 在空心物体中打印电子元件 ................9 2.6 PCB 制造 ......。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 2.6.1 单层 3D 打印 PCB 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。......10 2.6.2 多层高定制化3D打印PCB ...........10 2.6.3 表面贴装技术（SMT） .......................11 2.7 柔性电子器件 .....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。......12 2.7.1 柔性混合电子器件 ...............。。。。。。。。12 2.7.2 可伸缩电子设备。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.12 2.7.3 智能纺织品 ................................13 2.8 结构和嵌入式电子产品 ............。。。。。。。。。。。13 2.9 模内电子器件 (IME)。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。14 2.10 3D-MID 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。............15 2.11 在非介电材料上印刷电子元件 ..................15 2.12 散热器能力 ..............。。。。。。。。。。。。....15 2.13 高性能射频元件 .................。。。。。。15
通过激光辅助等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅，用于下一代有机电子器件
利用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 在低温下无损伤、无应力地沉积化学计量的氮化硅是微电子、微机电系统 (MEMS) 等各种应用领域中的一个重要课题。本研究研究了氮化硅 PECVD (LAPECVD) 过程中激光辅助对沉积的 Si 3 N 4 薄膜的物理和化学特性的影响。由于反应气体的分解作用增强，在 80 ◦ C 下用 193 nm 激光辅助的 LAPECVD 显示出比 PECVD 更高的沉积速率。此外，沉积的氮化硅薄膜的 N/Si 化学计量比和残余应力也得到了改善。当氮化硅直接沉积在有机发光二极管 (OLED) 上进行薄膜钝化时，LAPECVD 没有观察到电气损坏，这可能是因为激光辅助沉积在 OLED 表面覆盖了一层薄薄的氮化硅层，而传统的 PECVD 则因直接暴露于等离子体而导致离子轰击导致器件损坏。我们相信 LAPECVD 系统可用于各种下一代微电子行业，这些行业需要在低温 PECVD 期间以最小的损坏进行高质量的薄膜沉积。
有机电子中的界面
Mats Fahlman 1、Simone Fabiano 1、Viktor Gueskine 1、Daniel Simon 1、Magnus Berggren 1,2 和 Xavier Crispin 1,2 * 1 瑞典诺尔雪平林雪平大学 ITN 有机电子实验室。 2 瑞典诺尔雪平林雪平大学 ITN 瓦伦堡木材科学中心。 *电子邮件：xavier.crispin@liu.se Toc Blurb 有机半导体与多种材料形成干净的界面，包括金属、其他有机半导体、电解质、电介质和生物体。在本综述中，我们讨论了这些界面的性质及其在有机电子器件功能中的核心作用。摘要未掺杂的共轭有机分子和聚合物具有半导体的性质，包括电子结构和电荷传输，可以通过化学设计轻松调整。此外，有机半导体 (OS) 可以进行 n 掺杂或 p 掺杂，成为有机导体（所谓的合成金属），并可表现出混合电子和离子电导率。与无机半导体和金属相比，有机（半）导体具有一个独特的特性：暴露在空气中时，其表面不会形成绝缘氧化物。因此，OS 与许多材料（包括金属和其他 OS）形成干净的界面。过去 30 年来，人们对 OS-金属和 OS-OS 界面进行了深入研究，并形成了一致的理论描述。自 21 世纪以来，人们越来越关注有机电子器件中的界面，这些界面涉及电介质、电解质、铁电体甚至生物有机体。所有这些界面都是有机电子器件功能的核心，界面的物理化学性质决定了光、激子、电子和离子的界面传输，以及电子向细胞分子语言的转导。 [H1] 引言有机半导体 (OS) 可用作各种 (光) 电子器件和电路中的活性材料。与硅基电子器件相比，有机电子器件具有许多独特的特性，例如大的光吸收和发射、溶液可加工性、机械柔韧性以及混合离子和电子传导。OS 包括基于共轭分子或聚合物的一大类半导体（图 1）。OS 的 π 电子形成价带和导带。在还原或氧化时，π 系统容纳负电荷或正电荷，而相反电荷的反离子则中和整个材料。重掺杂会导致电子结构发生剧烈变化，使得带隙消失，位于占据能级和未占据能级之间的费米能级可以定义为费米玻璃 1、金属 2 或半金属 3 。因此，未掺杂和掺杂的 OS 是非常不同的材料，但它们具有一个独特的特性：与无机半导体不同，暴露在空气中时其表面不会形成绝缘氧化物。因此，操作系统
EMI、SI 和 PI：克服电力电子设计中的常见挑战
每台电子设备都需要某种电源，无论是电网、电池还是简单的台式电源。当今汽车和绿色能源等行业的先进电力电子器件面临着电力转换带来的重大挑战，需要低噪音和热管理来确保可靠性和稳定的电力输送，从而确保整个系统的电气性能。除了低噪音、热管理和稳定的电力外，现代电力电子器件还需要在更紧凑的外形尺寸中实现更高的功率因数，这将传统设计推向极限。突出的例子包括汽车电源管理、绿色能源系统和支持 5G 部署的电信设备。
PM-1 3½"x4 - 卡尔顿大学机构知识库
carleton.ca › downloads PDF 1991 年 12 月 15 日 — 1991 年 12 月 15 日 数字和模拟半导体电子器件都受益于较低的温度。
微创脑机接口技术研发
图2：超薄膜轻量化电子器件及柔性电极技术 为了实现不损伤体内软血管的高精度EEG信号测量，如上图2所示，利用薄膜电子技术进行了研发。具体而言，利用厚度1μm的超薄超轻量化电子器件及可伸缩柔性电极技术，进行了实现微创BMI系统的研发。过去的研发成果包括利用生物相容性半导体材料实现信号放大电路、利用光学技术开发控制柔性电子电路特性的技术等。发表论文如下。 ・Science 380, 690 (2023)【影响因子：63.832】 ・Advanced Electronic Materials 2201333 (2023)。【影响因子：7.633】
第 19 届低温探测器国际研讨会
22. “高阻抗、低耗散和超低噪声 HEMT 1K 前端电子器件和读出器，用于未来 RICOCHET 实验的 Cry-oCube 探测器阵列” Jean-Baptiste Filippini - IP2I/IN2P3/CNRS
应变敏感柔性磁电陶瓷纳米复合材料
先进的柔性电子器件和软体机器人需要开发和实施柔性功能材料。磁电 (ME) 氧化物材料可以将磁输入转换为电输出，反之亦然，使其成为先进传感、驱动、数据存储和通信的绝佳候选材料。然而，由于其易碎性质，它们的应用仅限于刚性设备。在这里，我们报告了柔性 ME 氧化物复合材料 (BaTiO 3 /CoFe 2 O 4 ) 薄膜纳米结构，它可以转移到可拉伸基底上，例如聚二甲基硅氧烷 (PDMS)。与刚性块体材料相比，这些陶瓷纳米结构表现出柔性行为，并通过机械拉伸表现出可逆可调的 ME 耦合。我们相信我们的研究可以为将陶瓷 ME 复合材料集成到柔性电子器件和软体机器人设备中开辟新途径。
平面纳米真空发射器的电子发射模式
纳米制造技术的最新进展使得人们能够制造出具有纳米级自由空间间隙的真空电子器件。这些纳米电子器件具有冷场发射和通过自由空间传输的优势，例如高非线性和对温度和电离辐射的相对不敏感性，同时大大减少了占用空间，增加了工作带宽并降低了每个器件的功耗。此外，平面真空纳米电子器件可以很容易地以类似于典型的微纳米级半导体电子器件的规模进行集成。然而，这些器件中不同电子发射机制之间的相互作用尚不清楚，其他人已经注意到它们与纯 Fowler-Nordheim 发射不一致。在这项工作中，我们系统地研究了平面真空纳米二极管的电流-电压特性，这些二极管的曲率半径为几纳米，发射极和集电极之间有自由空间间隙。通过研究由两种不同材料制成的几乎相同的二极管在不同环境条件（如温度和大气压）下的电流-电压特性，我们能够清楚地分离出单个器件中的三种不同发射模式：肖特基、福勒-诺德海姆和饱和。我们的工作将实现对真空纳米电子器件的稳健而准确的建模，这对于需要能够在极端条件下运行的高速、低功耗电子器件的未来应用至关重要。
应变敏感柔性磁电陶瓷纳米复合材料
先进的柔性电子器件和软体机器人需要开发和实施柔性功能材料。磁电 (ME) 氧化物材料可以将磁输入转换为电输出，反之亦然，使其成为先进传感、驱动、数据存储和通信的绝佳候选材料。然而，由于其易碎性质，它们的应用仅限于刚性设备。在这里，我们报告了柔性 ME 氧化物复合材料 (BaTiO 3 /CoFe 2 O 4 ) 薄膜纳米结构，它可以转移到可拉伸基底上，例如聚二甲基硅氧烷 (PDMS)。与刚性块体材料相比，这些陶瓷纳米结构表现出柔性行为，并通过机械拉伸表现出可逆可调的 ME 耦合。我们相信我们的研究可以为将陶瓷 ME 复合材料集成到柔性电子器件和软体机器人设备中开辟新途径。